Балласт на IR2153 - перевод с 48В на 12В

[jump]

можно запитать напрямую от 12 вольт

можно, но в исходной схеме он является частью задержки включения, а разница потенциалов (48 - U(C)в позволит легко оценить и рассчитать R фильтра на 12в, впрочем, 10-50-100ом вполне подойдут. VD3 (диод) разряжает С6 при пропадании питания

[omercury]

2-5 секунд вполне достаточно.
AE3 4N действительно транзистор, меняет частоту генератора.

10-50-100ом вполне подойдут

вместо R7 R11, напрямую опасно - помехи в бортовой сети ещё те.

я знаю что придется перематывать трансформатор

А Вы попробуйте сначала не перематывая.

[vavan1983]

Был опыт с микросхемами IR2111,IR2104,IR2101 вот по выше приведённой схеме защита от КЗ не гарантированная. На опыте при КЗ на выходе трансформатора силовые ключи открывались одновременно на преобразователе 24 в 12 вольт 10 ампер(IR2104,2101) и 220 12 вольт 20 ампер 220 48 10 ампер(IR2111).
Совет:
Затворы силовых ключей подтяните к истокам резисторами 5 КОм тем самым исключая одновременное открывание транзисторов при включении устройства.

[vavan1983]

Не увидел. На встречу не могут открыться. Спутал с полумостом.

[GTK31]

jump, спасибо за подсказки!
Неизвестный компонент в корпусе SOT-23 должен быть N-канальным полевым транзистором. И скорее всего это IRLML2402. Меня только смущает низкое напряжение порога этого транзистора.
Собрал схему для проверки балласта. В качестве источника питания использовал два источника питания на 24В. У источников есть подстроечники, поэтому они позволяют имитировать небольшой кач входного напряжения.

Понаблюдал работу схемы в установившемся режиме.
Задействован встроенный в микросхему стабилитрон. Напряжение питания составило 15,9В. Приблизительно в микросхему втекает ток 8 мА.
Посредством VT1 и VT2 работает защита от перенапряжения. При номинальном напряжении питания обратная связь через транзисторы VT1, VT2 не работает. Осциллограммы на выводах 2 и 3 IR2153 идентичны классическому таймеру.
Все осциилограммы сняты с делителем 1:10. Поэтому амплитуду сигнала надо умножать на 10.

[GTK31]

Напряжение на стоке VT3, VT4:

Форма напряжение на С13 (вывод выходной обмотки трансформатора):

Осциллограмма за дросселем, на клемме 4:

В первый раз сохранял картинки с осциллографа на флешку, пока не освоил всех возможностей. Раньше в этом не было нужды.
Попробовал повысить напряжение. При напряжении примерно 52,5В лампа начинает моргать. При этом срабатывает защита источника питания. От греха подальше не затягивал с этим режимом.
Понижение до 40в схема не заметила. Только немного уменьшилась яркость лампы.
Напряжение на стоке IRLML2402 в установившемся режиме практически равно потенциалу общей земли. Видимо эта цепь работает только в момент включения. Когда IRLML2402 не шунтирует конденсатор С3, емкость на выводе выводе 3 IR2153 относительно земли становится ниже. Снижение пропорционально соотношению емкостей С2 и С3. Например при равных значениях суммарная емкость в 2 раза ниже - соответственно частота работы IR2153 при отключенном IRLML2402 должна быть в 2 раза выше .

[GTK31]

VD2 видимо стабилитрон с номинальным напряжением 6,8В или около того. На затворе
IRLML2402 6.3В, на катоде VD2 - 13,5В. Опять же смущает слишком низкий ток через стабилитрон. На R6 (330кОм) падает 2.1В. Т.е. ток 6,3 мкА (что стыкуется с напряжением на затворе транзистора задающего частоту). Ранее думал, что при таком малом токе стабилитрон не должен использоватся.

[GTK31]

Схема балласта на 12В. Изменения обведены кружками. Количество витков первичных обмоток трансформатора будет уменьшено в 4 раза.
В виду повышения тока придется поменять транзисторы с меньшим сопротивлением канала, с напряжением сток-исток 55-60В. Желательно с зарядом затвора равным или меньшим чем у IRF640.



Спасибо участникам за обсуждение и конструктивные предложения!
По получению результата отпишусь.

[jump]

скорее всего это IRLML2402. Меня только смущает низкое напряжение порога этого транзистора

это MOSFET с логическим уровнем управления затвором - в ДШ есть характеристики при 2.7в на затворе

[proba60]

Изменение частоты драйвера от напряжения на затворе управляющего транзистора