Усилитель

[Ан-162]

ДШ ключевых биполяров показывают, что время рассасывания заряда при индуктивной нагрузке не зависит от тока

Еще как зависит, потому как этот самый ток заряд и выносит (рассасывает)
Видать Вы перепутали ts и tf (время рассасывания и время спада тока)

увеличивается в 3..6 раз при понижении тока от 100 до 10% от номинального

Это просто следствие уменьшения тока, дело не в типе нагрузки.
От типа нагрузки зависит, как будет меняться ток, когда рассасывание закончилось и транзистор уже выключается.
На индуктивной он не изменяется, пока напряжение коллектора не поднимется до уровня питания или несколько выше, на активной - линейно спадает с ростом напряжения на коллекторе.

[zoog]

Видать Вы перепутали ts и tf

Не перепутал, ts:

Это просто следствие уменьшения тока, дело не в типе нагрузки.

По идее да, на время рассасывания ток и напряжение коллектора неизменны. Не знаю, почему в ДШ так.
И почему уменьшение тока увеличивает ts? Вот Бордодынов полагал обратное.

[Ан-162]

zoog, дайте файл даташита, а не картинку из него.
По картинке могу сказать, что подозреваю причину в том, что транзистор жестко закрывается по б-э, минусовым напряжением без ограничения запирающего тока.
(б-э минус 5 вольт и ноль ом, если правильно разобрал эту размытую картинку)

[zoog]

Покапался в ДШ - всё сложно.
Вот небольшая табличка:
транзистор - тип нагрузки - поведение ts - чем выключают.
‹del›13009L res const Ib
13007 res x5 Ib
ind x4 2*Ib
13005-1 res x6 Ib
13005 res x4 Ib
ind const Ub
13009 ind const ?
Долбаный движок со своими апдейтами - то тэги игнорирует, то табы и пробелы не видит(((‹/del›
картинкой:

[Ан-162]

Смотрим 13007 чтоб не расплываться по древу.
И что видим?
11й график ясно говорит о том, что с ростом тока коллектора время рассасывания уменьшается в разы, а время спада тока меняется при этом слабо.
13й о том, что при токах выше 1,5А тенденция та же.
(предыдущий график тоже ниже 1А не показывает)
Но здесь форсированное закрывание: закрывающий ток равен 50% тока коллектора.

[zoog]

1) А потом посмотрите другие ДШ - там разнобой.
2) Как Вы объясняете снижение времени рассасывания, ведь с ростом тока увеличивается и число неосновных носителей в базе?

[Ан-162]

А потом посмотрите другие ДШ - там разнобой

К сожалению, сейчас нет времени для подробных разборов.

Как Вы объясняете снижение времени рассасывания

Я конечно в академиях не учился, и не буду бить себя пяткой в грудь, но для себя объясняю это двумя факторами:
1. больший ток коллектора быстрее "выносит" тот же заряд (количество накопления которого имеет предел)
2. при увеличении тока коллектора падает глубина насыщения, что уменьшает величину избыточного заряда
(обратите внимание, что Ik/Ib величина постоянная, обычно равна 5, а h21э сильно падает на больших токах, и когда он упадет до 5, транзистор выйдет в активный режим, без избыточного заряда, и время рассасывания будет околонулевое)

[zoog]

в академиях не учился, и не буду бить себя пяткой в грудь

Очень ценное качество) К сожалению, не всегда полезное(

больший ток коллектора быстрее "выносит" тот же заряд (количество накопления которого имеет предел)

Заряд в базе пропорционален базовому току, разве нет?

при увеличении тока коллектора падает глубина насыщения

Отличное объяснение, графики ts почти идентичны hfe. Но есть и другие, где ts постоянно..

[Ан-162]

Заряд в базе пропорционален базовому току, разве нет?

Время рассасывания пропорционально избыточному заряду.
Избыточный заряд появляется в режиме насыщения, когда ток базы больше чем ток коллектора деленный на h21э.

[zoog]

Время рассасывания пропорционально избыточному заряду.

То есть транзистор Шоттки рассасывается мгновенно?