Усилитель

[Ан-162]

Да я ничего не оспариваю.
Просто у БТ диффузионная емкость сильно больше барьерной, измеряемой без протекания прямого тока. Плюс эффект Миллера, если ОЭ.
У большинства мосфетов/иджибити реальная рабочая емкость затвора (которую нужно поставить вместо затвора, чтоб получить такой-же ток драйвера) сильно больше входной емкости затвор-исток/эмиттер, измеряемой без подключения стока, из-за эффекта Миллера.
Теперь все понятно?

[zoog]

Просто у БТ диффузионная емкость сильно больше барьерной, измеряемой без протекания прямого тока.

А кто спорит? К тому же Сэбобр практически не имеет никакого значения, не могу себе представить сценарий с ней.

У ПТ реальная рабочая емкость затвора (которую нужно поставить вместо затвора, чтоб получить такой-же ток драйвера) сильно больше входной емкости затвор-исток, измеряемой без подключения стока, из-за эффекта Миллера.

И с этим никто не спорил, с Миллером ток заметно больше. Речь именно о "настоящих", измеряемых емкостях. Как-то не ожидаешь, что площадь@толщина диэлектрика у 15-амперного биполяра из 70-х будет сравнима с таковыми у 400-амперного мосфета 8го или какого-то там ещё поколения. Чисто субъективные впечатления.

[Yuri222]

Как-то не ожидаешь, что площадь@толщина диэлектрика у 15-амперного биполяра из 70-х будет сравнима с таковыми у 400-амперного мосфета 8го или епеого-то поколения. Чисто субъективные впечатления.

Как я понял субъективно из дискусии - у БТ при Uбэ=0 емкость перехода б-э составляет десятки пикофарад, а в даташитах на мосфеты при Uзи = 0 емкость может составлять десяток нанофарад.

Сэбобр практически не имеет никакого значения, не могу себе представить сценарий с ней.

Запирание транзистора при подаче отрицательного напряжения на б-э переход.

[zoog]

у БТ при Uбэ=0 емкость перехода б-э составляет десятки пикофарад

Это науке неизвестно)

а в даташитах на мосфеты при Uзи = 0 емкость может составлять десяток нанофарад.

И при любом другом Uзи, при условии отсутствия усиления - думаю, различаться будет не сильно.

Запирание транзистора при подаче отрицательного напряжения на б-э переход

Вряд ли эти нескольк нФ что-то изобразят, когда только что несколько мкс несколько ампер разряжали базовый заряд. Если Uбэ снизилось до 0 и меньше, это коммутация уже давно завершена.

[Ан-162]

Вряд ли эти нескольк нФ что-то изобразят, когда только что несколько мкс несколько ампер разряжали базовый заряд

Это точно.

Как-то не ожидаешь, что площадь@толщина диэлектрика у 15-амперного биполяра из 70-х будет сравнима с таковыми у 400-амперного мосфета 8го или епеого-то поколения.

Странное сравнение.
Теплого с мягким.
Совершенно разными процессами обусловлены эти эквивалентные емкости.
У биполяра диэлектрик вообще к диффузионной емкости не в тему.

[zoog]

У биполяра диэлектрик вообще к диффузионной емкости не в тему.

От площади всё же зависит. Насчёт тольщины диэлектрика в прямосмещённом переходе не знаю)

[bordodynov]

От площади всё же зависит. Насчёт тольщины диэлектрика в прямосмещённом переходе не знаю)

И там и там конденсаторы рассчитываются как плоские конденсаторы. Только у МОПов окисел, а у биполярах диэлектриком выступает обеднённый кремний (доп носителей нет и сопротивление очень велико). Толщина этого обеднённого слоя меньше микрона и до долей микрона. Ко всему диэлектрическая проницаемость кремния больше чем у окисла. У низкочастотных транзисторов диффузионная ёмкость больше (пропорциональна току и постоянной времени) Например транзистор КТ819 при токе 10А диффузионная ёмкость 40 нс* 10 А / 26 мВ ==›
40.e-9*10/0.026*=*1.538461538462E-5=15.4 мкФ!
Как вам.
В разных моделях этого транзистора tf отличаются. Есть и tf=20n, но тогда 7.7 мкФ.
Я думаю, что я вас порадовал, а то вы удивлялись ёмкости 30000 пФ.
Для эффекта подброса важна суммарная ёмкость эмиттерного перехода.

[ForcePoint]

Если Uбэ снизилось до 0 и меньше, это коммутация уже давно завершена.

Не скажи... Нулевое напряжение - не значит нулевой ток. Вот, например, ключи в классическом комповом БП на TL494 - закрываются минусом. И более "сильным", чем открываются.

[Ан-162]

ForcePoint, нет, он прав.
Я как-то одно время во всех подробностях изучал режим работы ключа HOT (выходной каскад строчной развертки) и был поражен тем, что в базу подается минус 1-2 ампера, а ключ еще 4-7 мкс! остается открытым! Это довольно много, я не ожидал. Это импортный НОТ, а наши КТ846 вообще 10 мкс закрываются.
Но еще больше меня поразило то, что все это время, пока идет рассасывание, напряжение на базе остается положительным!!!
Ток отрицательный, и довольно большой, а напряжение положительное!!!
Пониже, чем при прямом токе, но все-же 0,4-0,5 вольт держится.
База в это время является источником эдс! Во как!
И только когда рассасывание заканчивается, напряжение на базе идет ближе к нулю и меняет знак, и в этот момент напряжение на коллекторе наконец начинает резко увеличиваться.

[zoog]

Нулевое напряжение - не значит нулевой ток

Рассасывание завершается в момент падения Uбэ ниже 0,6..0,9В, затем ещё 200..300нс нарастает Uкэ (при этом Uбэ за счёт Миллера практически неизменно), так что по достижении нулевого напряжения внутри транзистора уже ничего не не дёргается.
Как я это понимаю.

в базу подается минус 1-2 ампера, а ключ еще 4-7 мкс! остается открытым!

А как это с ДШ бьётся, или там закрывали напряжением?

Пониже, чем при прямом токе, но все-же 0,4-0,5 вольт держится.

Это за счёт падения на сопротивлении базы, а на самом насыщенном переходе в районе Uбэнас, полагаю.

База в это время является источником эдс!

Ну так в ней же заряд)

У низкочастотных транзисторов диффузионная ёмкость больше (пропорциональна току и постоянной времени)

Где бы об этом расчёте почитать? При такой ёмкости в стандартном усилителе доп. ток базы равен всего лишь 40мА, так что вполне реально.