Подтягивающий резистор в транзисторном ключе

[ForcePoint]

Сообщение от ForcePoint

Например: Icbo * Rleak ‹ Vbe / [2..4]

Мегаомы получаются так...

Верхняя граница. За скорость - Бордодынов отметил.

задания рабочего тока предыдущего каскада для увеличения усиления.

Это задача последовательного резистора, ИМХО. А то можно и весь ток вдуть в переход, хозяин - барин.
Да в первом посте указано, что это - ключ. Так-что усиление тут - сбоку...

ТС так вроде бы и не уточнил, какой у него был ЛА7. М.б. 155ЛА7...

155-я - 4И-НЕ. На фрагменте - двухвходовая.

[Yuri222]

одно умничанье

это называется "теоретическое обоснование", или "расчет".

155-я - 4И-НЕ. На фрагменте - двухвходовая.

Ну, тогда -
SN74LVC1G38 Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output

[zoog]

ТС так вроде бы и не уточнил, какой у него был ЛА7.

Прямо - нет, так было бы неинтересно..

Uпит. одно = 11,5в.

Iвых. у ЛА7 = 0,4ма

да, обычно это описывает график области безопасной работы в даташите на транзистор.

И получается, чтоб коммутировать 300В 7А нужен транзистор мощностью 2100Вт с прямоугольной ОБР)) так, для протокола.

А на практике получается, что очень даже "может"

Если объясните, как - я был бы признателен (но больше - удивлён).

Это задача последовательного резистора, ИМХО.

Последовательный - ограничивает, в ключевом режиме, а параллельный - задаёт начальный ток на уровне 0,65/R в линейном. Иначе транзистор без нагрузки будет открываться даже от наноампер, и диапазон вх. напржения предыдущего каскада будет 0,35..0,75В, что довольно неприятно.

[ForcePoint]

И получается, чтоб коммутировать 300В 7А нужен транзистор мощностью 2100Вт с прямоугольной ОБР)) так, для протокола.

Всё можно довести до абсурда, да-с.

Последовательный - ограничивает, в ключевом режиме, а параллельный - задаёт начальный ток на уровне 0,65/R в линейном.

Начина-а-ается... давай, сначала, с режимом определимся. Ключевой или линейный?

Сообщение от NewWriter

Сообщение от zoog Сообщение от NewWriter недозакрытие транзистора может объясняться утечками выхода микросхемы. Не может. В теории то понятно, что "не может". А на практике получается, что очень даже "может" Вот чем практика и отличается от теории. В теории всё идеально и работает так, как предписано. Теория изучает и определяет то, как должно работать. А практика - как оно есть на самом деле

Если объясните, как - я был бы признателен (но больше - удивлён).

См. сообщения 13 и 14, утечкой через паразитный диод на выходе ИМС. Поскольку - см. далее.
Хотя, конечно, в случае с разными напряжениями - практическое поведение схемы вполне объяснимо и теоретически. Надо только достаточно вводных и достаточно подробную "модель" происходящего.

Про тип микросхемы в соседней теме автор упоминал, что там К561. Вообще, автору конечно же нужно в полной мере формулировать вопрос. Ибо эти недосказанности только отнимают время на лишние гадания, чего может быть, а чего не может.

+ 1.

[индюк]

zoog, вот тебе кстати с указанием госта расчет тока в кабеле.

[Yuri222]

получается, чтоб коммутировать 300В 7А нужен транзистор мощностью 2100Вт с прямоугольной ОБР))

При таких исходных данных - нагрузка 40 Ом округленно.
Максимальная мощность на транзисторе будет рассеиваться при полпитания на нем - т.е при 150В, и составит "всего то" 150*150/40=560 Вт.
Т.е. если Вы будете вручную меееедленно (например - регулируемым резистором) закрывать этот транзистор - то вполне достаточно 600-ваттного, у которого эти 600 Вт впишутся в скорость движения руки

[индюк]

Транзистор мощностью 2100 ватт??? Чо это за характеристика такая???

[zoog]

Всё можно довести до абсурда, да-с.

Признайтесь, вы разбираетесь в ключевании биполярами чи не? Я так нет, и когда уточнял этот вопрос, в т.ч. на казусе - пришли к именно такому выводу. Ну это хардсвич, разумеется, в КР всё совсем не всё.

Начина-а-ается... давай, сначала, с режимом определимся. Ключевой или линейный?

ТС говорил о ключевом. Я рассмотрел общий случай - считаю это более важным, чем отвечать на тривиальные частные вопросы.

См. сообщения 13 и 14, утечкой через паразитный диод на выходе ИМС

Нет. При одном питании никакой утечки не будет (да и при разном - прямое смещение перехода никак нельзя назвать утечкой).

Надо только достаточно вводных и достаточно подробную "модель" происходящего.

Вы такой неиспорченный.. а я в постах новичков уже не пытаюсь понять ТЗ, давно им не верю, всё брешуть(с)

zoog, вот тебе кстати с указанием госта расчет тока в кабеле.

Кто о чём, а индюк обо мне.. не забывает, помнит...

Хотел написать, что 70мкм медь - это не 50кв.люминь, но передумал

[zoog]

При таких исходных данных - нагрузка 40 Ом округленно.
Максимальная мощность на транзисторе будет рассеиваться при полпитания на нем - т.е при 150В, и составит "всего то" 150*150/40=560 Вт.
Т.е. если Вы будете вручную меееедленно (например - регулируемым резистором) закрывать этот транзистор - то вполне достаточно 600-ваттного, у которого эти 600 Вт впишутся в скорость движения руки

Нет, имелся в виду обычный инвертор-мост, нагрузка 2100Вт грубо, и ОБР транзистор должна охватывать эти значения (300 и 7) при закрывании.

Чо это за характеристика такая???

ОБР, обратная, я же писал про коммутацию. Даже для проектирования на мосфетах эти слова нужно знать)

[Yuri222]

Транзистор мощностью 2100 ватт?

BU2522DF выдерживает 4кВт. В течение 100 мксек.