Общие вопросы по программе Multisim

[Santil@]

Встретились два адепта.

[цифровик]

Нет, я хочу доказать, что Мультисим хуже LTspice. А в приведенном вами усилителе потенциометр для линейности есть? Потенциометр есть, но он для установки тока покоя. А по поводу держания в руках приборов. Я таскал и осциллографы и частотомеры (на поверку)

Вот и таскайте приборы на поверку дальше. Видимо не доверяют вам ваши начальники работы с реальными приборами. И правильно делают. Так что работайте в своей программе не дальше. Там нечего не сожгете. Можно засрать мозги тупым начальникам. А что - изменили любую виртуальную модель для своей схемы при этом ни какого понятия о реальной элл. базе.
И все довольны.
Насчет какого потенциометра линейности речь ведете. Эти транзисторы работают в линейном режиме. Потенциометр на входе и управляет усилением транзистора. Если например в эту схему поставить мосфет
с напряжением открытия по затвору он резко откроется. Любой мосфет сделан только для импульсного режима по затвору. При этом надо точно по даташиту выводить напряжение открытия для N- канальных и напряжения закрытия для P- канальных. Если это напряжение ниже то они сильно нагревается при работе по шим. Но у него есть в начале небольшой участок в котором он работает в усилительном режиме. Его используют в схемах но редко. Мороки в железе с ними много в этих режимах. Потому что есть для каждой схемы свой класс транзисторов. Для усилительных схем в мощных унч они годятся. Там просто получают очень чистое звучание так называемый ламповый эффект. Ну это для меломанов. Лучше ставить линейные мощные выходные транзисторы. Их кстати отечественных много. И они выпускаются до сих пор.

[genao]

Более правильно не линейный, а усилительный. Есть усилительный и есть ключевой режимы.

Усилительный режим - работа в области насыщения
Ключевой режим - работа в омической области и в области отсечки

Омическую область (зеленая) eȇ) часто также называют линейной областью, потому что характеристические кривые в этой области имеют примерно линейную зависимость между ID и VDS, аналогичную резистору.
Оба термина используются в литературе как синонимы. В этой области полевой МОП-транзистор ведет себя как резистор. По мере увеличения напряжения сток-исток ток также увеличивается линейно.
По мере того, как VDS продолжает увеличиваться, ток начинает насыщаться, и устройство входит в так называемую «область насыщения» (желтая, справа). В этой области ток контролируется приложенным напряжением затвор-исток и мало зависит от напряжения стока-исток .

Линейная область (также известная как «Триодный режим» или «Омический режим»)
 В линейной области ток стока (ID) является линейной функцией напряжения стока (VDS).

 Устройство работает как резистор, управляемый напряжением затвора (VGS) относительно напряжения стока (VDS).

 В линейном режиме меньшее изменение напряжения затвора приводит к линейному изменению тока стока

[bordodynov]

genao, всё это я знаю. Область насыщения названа не очень хорошо, потому что для биполярного транзистора область насыщения совсем в другом месте.
И скажите мне - какой идиот будет использовать в усилителе транзистор в линейной области (в триодном или омическом). Просто цифровик не очень подкован в теории - он практик. И по-этому многие вещи истолковывает по своему. А про полевики мне нравится называть области триодной и пентодной. Именно в пентодном режиме полевики работают в усилительном режиме. Но это не линейный лежим.

[genao]

Область насыщения названа не очень хорошо,

Согласен, что касается

пентодной

то её ёще называют активной областью

[цифровик]

bordodynov,
Я просто хотел сказать что линейные мощные и не мощные полевики и мосфеты это совсем разные транзисторы. У мосфетов параметры другие. А насчет нашей мощной элл. базы список большой. Вот они и устанавливаются на вых. каскады УНЧ. При чем они не дешовые даже с советских времен оставшиеся на складах. Золота в них не жалели. Мосфеты намного дешевле.
Даю список с их параметрами. Параметры не плохие. Может кому пригодиться. Некоторые модели есть в мультисиме. И хорошо моделируются.

Можно при желании в Мультисиме включить эти транзисторы для сравнения с выводом линейно изменяющемся напряжении на затворе и с конечным током стока и вывести ВАХ каждого. Скажу сразу что мосфеты имеют резкий переход в активную область при напряжении открывания. Линейные имеют такую же зависимость как и у биполярных по току базы. Плавное нарастание тока стока. Вот вся разница. А что там про пентоды интересно. Что то новое.

[bordodynov]

Что то новое.

Это не новое. Просто я прочёл много книг. И очень старых времён начала изготовления МОП транзисторов.

[Santil@]

МОП - металл окисел проводник.

[цифровик]

Вот работа мосфетов разных каналов. Напряжения на затворах выбраны по даташитным параметрам. Что и соответствует в железе. Просто для себя сделал такую схему. Всегда можно поставить нужный и посмотреть работу модели в программе.
Схема со статическим управлением в программе. В железе вместо источника ставиться генератор имп. с соответствующим напряжением импульса. Статический режим они не любят. Сразу идут в нагрев в железе конечно. Цепочки R5 R6 R2 R4 для устранения переходных процессов в моменты переключения.
Покажи мне книгу про пентоды в полевых транзисторах ??? И кто автор.
Только не приплети сюда работу двузатворных транзисторов. Вот там по работе второго затвора они похожи на работу пентода. Это как на р/лампе с двумя сетками.

[genao]

Покажи мне книгу про пентоды в полевых транзисторах ??? И кто автор.

Уважаемый цифровик, нет слов кроме ......
Эти области полевых транзисторов называют по аналогии с характерным видом анодных характеристик радиоламп.
Омическая область похожа на триодные характеристики, активная похожа на пентодные характеристики
Вот посмотрите, возьмём триод-пентод 6Ф4П для наглядности
Триодные анодные характеристики слева, и справа пентодные анодные характеристики

Для MOSFET транзисторов обе области имеются
А для СИТ (SIT) транзисторов характерна триодная характеристика
http://www.firstwatt.ru/index.php?path=node/213