Помогите с азами импульсного преобразования

[zoog]

tanq, насчёт трансформаторов - почему тогда звуковые без нагрузки выдают намного лучшие параметры по искажениям, чем нагруженные?

[tanq]

Если при проектировании следовать параметрам, измеренным вами на нескольких экземплярах,

На входном контроле можно отсортировать транзисторы как надо. И если даже транзистор формально годный, но его параметры существенно отличаются от всех остальных, то использовать ли его - большой вопрос.

А если, задавшись достаточно высокими параметрами блока питания (КПД, надёжность, компактность), сравнить стоимость блока на БТ и на MOSFET?

Как раз те производители, которые "задаются и сравнивают", ставят BJT. У меня есть несоклько разных БП в виде вилки. В половине BJT. Преимущество MOSFET - они позволяют работать на более высокой частоте. Это снижает габариты трансформатора, но потери снижаются в меньшей степени. Поэтому достаточно быстро конструкторы упираются в лимит по нагреву, который не позволяет сделать корпус еще меньше.
Если посчитать количественно, то не факт что MOSFET выиграют, т.к. на BJT комповые БП, китайские балласты, половина маломощных БП, довольно много преобразователей для CCFL в старых мониторах.
В светодиодных лампах встречал 13001 + контроллер (специальный для BJT).

А ареал обитания MJE1300X и иже с ними - большей частью дешёвые китайские поделки, обладающие крайне низкой живучестью

Как будто китайские поделки на MOSFET обладают большей живучестью

Я сам делал балласт самоосциллирующий на 13003. При мощности реальных 36Вт они грелись до 45 гразусов без радиатора. Мне нравится их КПД. И делал такой же балласт на Si6822 на 12Вт - они были вообще холодные в своем корпусе TO-92.

[Scadauser]

А чем они так плохи?

Кто, транзисторы или дешёвые китайские поделки?

в базах рассеивается мощность менее ватта, из-за этого кпд, конечно, намного меньше

А если весь источник в режиме Standby выдаёт меньше ватта? Не замечали, что многие источники на БТ в этом режиме греются весьма сильно, есть даже такие, которые греются в ждущем режиме сильнее, чем в рабочем. Пример - Funai 2000MK7.

Надёжность полевиков выше за счёт чего?

Да не надёжность полевиков, а надёжность всего изделия в целом. Вы или невнимательно читаете, или сознательно передёргиваете?
Надёжность напрямую связана с КПД и нагревом. Долговечность с температурой снижается экспоненциально. Что в ж в этом неясного?
Компактность - за счёт более высоких динамических характеристик полевиков возможно увеличение рабочих частот до сотен килогерц и даже до мегагерца, что снижает массогабаритные характеристики индуктивных компонентов и общие размеры и вес источников. Для вас это всё - открытия?
Просто я имел дело с импульсниками со времён их появления (например, в советских ЭВМ), и могу легко сравнить достижения в этой области и проследить тенденции. Три десятка лет назад обычная зарядка для мобильника была бы удивительна, не говоря уж о других применениях ИИП. Например, в электротехнической продукции с диапазоном питания 12-230 V AC/DC (фотобарьеры, бесконтактные датчики, и пр.), в электроприводах.

[zoog]

Кто, транзисторы или дешёвые китайские поделки?

Транзисторы, конечно, которые Вы послали в такие места

А если весь источник в режиме Standby выдаёт меньше ватта?

Ну и что, если это никому не мешает? Да и фокус в основном на мощных питателях, а не на ультра-грин-устройствах.

Да не надёжность полевиков, а надёжность всего изделия в целом. Вы или невнимательно читаете, или сознательно передёргиваете?

Я вообще не обладаю опытом в вопросах надёжности..

Долговечность с температурой снижается экспоненциально.

Вы не с электролитами путаете? У транзисторов афаик пока нет нарушений ТУ, износ кремния имеет порядок времени - десятилетия (и разница там действительно будет).
* и лишние 10-15% мощности заметно нагрев не повысят, запас/разброс гораздо больше этой величины

увеличение рабочих частот до сотен килогерц и даже до мегагерца, что снижает массогабаритные характеристики индуктивных компонентов и общие размеры и вес источников. Для вас это всё - открытия?

В массовых блоках питания - да. Может, в спец-зарядках частоты до пары сотен кГц и встречались, но в обычных АТХах вроде до сих пор десятки кГц (инфы просто нема). А уж на мегагерце даже преобразователи процессорного питания не работают. Может, это Вы передёргиваете?)

[Scadauser]

А уж на мегагерце даже преобразователи процессорного питания не работают

Почему даже?
Новые ШИМ-контроллеры фирмы Texas Instruments (Unitrode)
"UCC35705, UCC35706 - высокочастотные ШИМ-контроллеры (более 4 МГц) для создания однотактных DC/DC- или AC/DC-преобразователей до 200√250 Вт. Диапазон напряжений питания 4:1. Эти микросхемы выпускаются в малогабаритных 8-выводных корпусах. Необходимо учесть, что для корректной работы на максимальной частоте необходим внешний драйвер ключевого транзистора, в качестве которого может быть использована одна из недорогих микросхем серии TPS281x (улучшенный вариант IR442x IRF)."
Вы интернет используете только для того, чтобы пререкаться? Упорно настаивать на своём? А просто почитать статьи, погуглить? Повысить свой уровень? Думаете, истина только в спорах рождается? Чаще всего она в них тонет.

Может, это Вы передёргиваете?

Поспорьте с Texas Instruments теперь.

[Scadauser]

Вы не с электролитами путаете? У транзисторов афаик пока нет нарушений ТУ, износ кремния имеет порядок времени - десятилетия

Ещё раз хочу повторить, если не поняли до сих пор, нет смысла рассматривать надёжность отдельного компонента в изделии, что толку от того, что ваш транзистор не сдох, если последствием его нагрева стала деградация других деталей, например, электролитов. Но старение полупроводников подчиняется тому же закону экспоненты. Вот прочтите, чтобы не было иллюзий относительно "десятилетий":
"Относительно небольшое изменение энергии активации процесса старения вызывает весьма существенное изменение коэффициента ускорения. ВС показывает экспоненциальную зависимость от температуры в диапазоне 0,3-1,3 эВ. Обычно фактор ускорения при температуре 55 °С принимается равным единице. Получаемые при 125 °С факторы ускорения изменяются от 1 до 104 в зависимости от изменения энергии активации [7]. Установлено: чем она меньше, тем незначительнее температурная зависимость процесса старения [8]. Например, при повышении температуры испытаний с TQ =40 °С до Т1 = 70 °С происходит смена доминирования между типами отказов. В режиме применения ИС (TQ =40 °С) доминировал процесс с энергией активации Ед= 0,3 эВ, на долю которого приходилось 62% отказов. В форсированном режиме (Tj = 70 °С) доминирующим оказался процессе Ед= 1,0 эВ, дающий 70% отказов [8]. Если принять, что различные дефекты влияют приблизительно одинаково на изменение интенсивности отказов, то можно считать, что средняя энергия активации равна 0,4 эВ. Согласно правилу «10 градусов», скорость старения увеличивается вдвое при увеличении температуры на 10 °С (рис. 3). Этому закону нарастания скорости старения соответствует энергия активации в пределах 0,7-0,8 эВ. Именно эту величину 0,7 эВ фирма Analog Devices использует в расчетах интенсивности отказов [10]. Фирма Microchip в расчеты надежности закладывает величину 0,6-0,7 эВ [11]."
11. Microchip. 1998 Annual Reliability Report (compiled 7/99) // http://www.microchip.com

[zoog]

Новые ШИМ-контроллеры фирмы Texas Instruments (Unitrode)

Вообще мегагерцовые преобразователи ещё чуть ли не в 80х были. На реальных материнках такое есть? Очень сомневаюсь - даже на 200-300кГц катушки уже очень маловитковые, а скин эффект какой у 2мм-х проводов - страшно подумать.

Вы ... свой уровень?

Прошу прощения, если где-то был некорректен, старался этого не допускать. На глаза какие-либо новые данные не попадались, в Г-е тоже - счас поискал - нет упоминаний о продуктах с UCC3570х

если последствием его нагрева стала деградация других деталей, например, электролитов.

Всё же на 10% больший нагрев погоды не сделает. Ещё раз, я говорю о больших напряжениях и относительно невысоких частотах.

Но старение полупроводников подчиняется тому же закону экспоненты.

Знаю, но в советское время была информация, что при изменении температуры с 55 до 105 градусов время износа меняется с 200 до 10ти лет (грубо)
Спасибо за ссылку - смотрю.

[alpebar]

Здравствуйте.
Мужики подскажите,кто сможет. Не могу толком запустить маломощный флайбек вот по этой схеме,это часть общей схемы.
Схема стартует(цыкает),на выходе напряжение пытается поднятся.В нагрузке,на 12В, лампочка 12В,120мА-мигает синхронно цыканиям.Две другие обмотки(по 25В) намотаны но не подключены вообще,решил пока не подключать.В данном ,последнем варианте,трансформатор намотал на ферите из энергосберегающей лампы,по размерам совпадает с Е16/8/5, имеющийся зазор убрал стачиванием,для данной схемы сделал зазор из обрезков офисной бумаги в три слоя по крайним кернам.Обмотки расщитал в Flyback(4000)-получилось 116витков0,2мм; 12вит.0,31мм; 25вит.0,25мм-два раза.
До последнего варианта пробовал мотать трансф. на ш5х5, ш6х6(проницаемости не знаю,советские) с зазором 0,2-0,3мм и обмотками согласно схемы. Мотал виток к витку изолируя обмотки.Толком ни один вариант не заработал, сразу вроди бы с третьего раза запускалось и напряжения соответствували расчётным.Пробовал менять зазор прямо в работе,но стабильности не добился ,с небольшой нагрузкой -лампочка 12В,120мА могло не запустится вовсе.Запускал в хлостую,а потом подключал лампочу-работало.
В общем пробовал много раз,точно всё описать уже не смогу.
В чём я ошибся подскажите пожалуйста.

[Starichok51]

а что это такое вы нарисовали? абсолютно не работоспособное...

[omercury]

абсолютно не работоспособное...

Зато как красиво питание подано.