IGBT driver. Дополнительная емкость на выходе? - Страница 5

vidask · 11.11.2010, 10:01

еще мнения, плз-------

Alex9797 · 11.11.2010, 10:16

Сообщение от vidask

еще мнения, плз-------

Этого добра сколько угодно!

Хватило бы транзисторов на все идеи!

Сообщение от vidask

IGBT по своей природе намного лучше выдерживает перегрузки по току. Значит, надо заменить IGBT на IGBT .
Если поставить 4 транзистора BUP314D, по 2 в параллель ? Будут они работать ? А может поставить транзисторы на меньшее напряжение, вольт на 600 ?

Не так уж намного. Но полевики в параллель намного легче соединяются, практически без проблем. Чего не скажешь об IGBT. Проблемно обеспечить равное распределение токов в режиме насыщения. Эмиттерные резисторы до лампочки.

А вот идея поставить 600-вольтовые, но с большим запасом по току - это может прокатить. Ведь напряжение питания, как я понял, всего 300 вольт, запас хороший.

Nickey232 · 11.11.2010, 12:27

Сообщение от vidask

а почему диоды не поставить, например 1,5КЕ400 ?

Во-первых потому что 1,5КЕ - это не диоды. Это импульсные стабилитроны (саппресоры). К тому же 1,5кВт. мгновенной мощности - для вашего случая - это копейки, 1,5КЕ обречены сразу! Во-вторых, они не такие уж и быстрые. Они предназначены для "отлова" высоковольтных импульсных помех с ограниченной энергией ипульса. Поэтому успешно применяются в качесвте клэмперов в обратноходовиках. Нотам мощность в разы меньше. В-третьих, да, действительно, диоды за счет своей емкости при очень большой крутизне импульса не успевают перезарядить свою емкость, и через диод протекает в импульсе огромный ток. В принципе, ключу это по барабану, а вот диоды могут повылетать нахрен.

vidask · 12.11.2010, 10:49

Сообщение от Alex9797

Не так уж намного. Но полевики в параллель намного легче соединяются, практически без проблем. Чего не скажешь об IGBT. Проблемно обеспечить равное распределение токов в режиме насыщения. Эмиттерные резисторы до лампочки

хорошо, тогда можно попробовать подать на затвор плюс 15 В, подать ток через коллектор каких нибудь 10 ампер и измерить падение напруги коллектор-эмиттер. Подобрать в пару транзы с одинаковым падением.
А применить транзюки на 600 В - очевидно, достаточный запас.

А насчет саппрессоров 1,5КЕ - то я видел такие параллельно полевикам. В сварочном аппарате ,мощность на выходе около 4 кВт

Nickey232 · 13.11.2010, 02:11

Сообщение от vidask

хорошо, тогда можно попробовать подать на затвор плюс 15 В, подать ток через коллектор каких нибудь 10 ампер и измерить падение напруги коллектор-эмиттер. Подобрать в пару транзы с одинаковым падением.

Не прокатит. Во первых, 10А - это мало. В импульсе там поболее, но и это не главное. Даже транзисторы из одной партии и из одной кремниевой болванки отличаются параметрами перехода. Достаточно отличия в 1%, и перекос токов между параллельными P-N переходами, неважно, будь то транзистор или диод, будут настоль существенными, что фактически нагрузка будет только на один. Это все равно, что подключить параллельно 2 одинаковых стабилитрона. Из-за разброса параметров ток будет протекать только через меньший по напряжению. Помните совецкие сбоки тип 159НТ? Спрашивается, нафига делать из 2 обычных транзисторов микросхему? А это попытка сдеть абсолютно идентичные тразисторы, но только на одном кристалле. Для дифф усилителей.
Даже если вам удасться поймать два прибора со схожим падением в данной точке ВАХ, то это не значит, что у них вся ВАХ будет абсолтно идентичной. Т.е. в другой точке, при другом токе, будет разное напряжение у этих транзисторовю
С полевыми в этом плане гораздо проще.

Nickey232 · 13.11.2010, 02:18

Сообщение от vidask

А насчет саппрессоров 1,5КЕ - то я видел такие параллельно полевикам. В сварочном аппарате ,мощность на выходе около 4 кВт

Саппрессоры умеют то, что не умеют диоды. Как раз то, о чем я говорил, что убивает диоды при перезарядке собссной емкости, короткий выброс большой энергии, саппрессоры могут рассеять. Но все равно, сами посудите, они расчитаны на мгновенное отлавливание до 1,5кВт мощности. Но макс мощность рассеяния прибора в корпусе до-41 (или типа того), ватта 2 не более. Если он будет "схватывать" мощный импульс каждые 50мкс, выполняя функции диода, он долго не протянет по тепловому пробою. Долго - это не более 1с. Они в вашем сварочнике для другого стояли, надо смотреть, возможно для отлова коротких и редких "иголок", типа помех, т.к. в мосфетах есть встроенный диод.

Alex9797 · 13.11.2010, 10:32

Сообщение от Nickey232

Из-за разброса параметров ток будет протекать только через меньший по напряжению

К этому надо еще добавить другую неприятную особенность. При повышении температуры биполярных и IGBT проводимость канала уменьшается. Это приводит к еще большей неравномерности распределения токов. Тот, кто изначально пропускает больший ток, греется больше, что приводит к еще большему увеличению тока. Конечно, если они стоят на общем теплоотводе, и тепловое сопротивление небольшое, то эта разность температур не достигнет больших значений.

У полевиков температурный коэффициент сопротивления канала положительный, поэтому они обладают свойством саморегуляции, при параллельном соединении.

Nickey232 · 13.11.2010, 15:18

Сообщение от Alex9797

При повышении температуры биполярных и IGBT проводимость канала уменьшается.

Может быть проводимость все же увеличивается?

Alex9797 · 13.11.2010, 15:52

Сообщение от Nickey232

Может быть проводимость все же увеличивается?

Блин, конечно увеличивается!

На работу торопился, на ходу писал

vidask · 16.11.2010, 10:24

ну вот, история продолжается так--

в магазине долго искали из IGBT, что они могут заказать. Нашли такие транзюки-SGW50N60HS . Параметры не хуже ,чем у оригинального IGBT модуля. Но интересно, что такой маленький корпус TO-247 держит аж 100 А и 416 Вт- http://pdf1.alldatasheet.co.kr/datas...GW50N60HS.html ----