Подтягивающий резистор в транзисторном ключе

[Yuri222]

Почему тогда блоки питания на БИ ограничены 500Вт?

Думаю, при желании можно и под киловатт на биполярных сделать (раз на полумосте Вы получаете 500Вт, с моста снимете в два раза больше). Только - с появлением более продвинутой элементной базы - никому такое не нужно.
А раньше, когда полевики были не так распространены, как сейчас, особо не нужны были слишком мощные БП.
Вы посмотрите времена рассасывания и закрывания высоковольтных биполярников.
А с появлением дешевых мощных IGBT (по сути там силовой ключ - тот же биполярник) уже не парятся с разработкой таких мощных чисто биполярных транзисторов, кмк.

[zoog]

Ну, лично мне отклонения от идеальной прямоугольности по той картинке понятны и без осциллограммы

По какой картинке?

Вполне может статься, что при коммутации в ключевом транзисторе 500-ваттного БП и возникает ток околопредельного для него уровня.

Нет, не думаю, просто никогда не слышал о проблемах при включении. В более ВЧ блоках - да, там обратное восстановление диодов играет, но не здесь, т.б. ультрафасты за 30..50нс отрабатывают, в этом диапазоне Ls трансформатора немного смягчает ключевание.

[zoog]

Только - с появлением более продвинутой элементной базы - никому такое не нужно.

Вы забываете, что в масспродукции экономят каждый цент. 13009 стоит примерно в 5 раз дешевле 20n50 какого-нибудь, а мост - это кратные затраты.
Другими словами - если б из БТ можно было выжать штатные 12А (а это до 1500Вт), вряд ли переходили бы на ПТ. Биполяры можно использовать почти до 70% макс. тока в ключевом режиме, мосфеты - где-то на 30%. Стат. потери при больших токах у БТ лучше, динамика похуже, хотя при эмиттерной коммутации догоняет полевики.

[bordodynov]

Есть такие не кремниевый высоковольтные ультрабыстрые транзисторы. Хоть это и не биполярные транзисторы, но управляются они аналогично - током. Коэффициент усиления примерно 50. Пример такого транзистора GA50JT17. Его напряжение 1700 В и ток 50 А. Правда крупный недостаток - цена. Я загнал в LTspice несколько таких транзисторов.

[Yuri222]

По какой картинке?

картинка со схемой драйвера управления этим транзистором - указана амплитуда и фронты управляющего сигнала, что еще может быть нужно...

ультрафасты за 30..50нс отрабатывают

угу, вот только посмотрите в даташитах - что такое эти 30-50 нс, как они измеряются...

13009 стоит примерно в 5 раз дешевле 20n50 какого-нибудь, а мост - это кратные затраты.

так и я о чем - какой смысл ставить аж 4 шт этих, когда можно обойтись парочкой других. И еще - посмотрите временнЫе характеристики этих транзисторов - не такие они и радужные. Да и с PFC лично я не рискнул бы применять эти 1009-е...

Стат. потери при больших токах у БТ лучше

ну так потому и придумали же IGBT, к тому же - более устойчивые ко вторичному пробою по сравнению с БТ.

в этом диапазоне Ls трансформатора немного смягчает ключевание

350В скачок напряжения и сколько там той индуктивности? Десяток микрогенри...
Время переключения около полмикросекунды (rise и fall)...

если б из БТ можно было выжать штатные 12А (а это до 1500Вт)

An efficient switching transistor must operate at the
required current level with good fall time, high energy
handling capability and low saturation voltage. On this data
sheet, these parameters have been specified at 8 amperes
which represents typical design conditions for these devices
Т.е. - никакой речи о 1,5кВт априори идти не может...
Вот если бы Вы смогли добавить к этому транзистору остальные идеальные детали - чтобы коммутация происходила подобно чисто активной нагрузке - тогда может киловатт и смогли бы выжать из обычной схемы ATX.

[zoog]

картинка со схемой драйвера управления этим транзистором - указана амплитуда и фронты управляющего сигнала, что еще может быть нужно...

Упр. сигнал - да, а выходной драйвера?? 65МГц-транзистор в принципе может выдать фронт порядка 10нс? Вых. напряжение плохо определено - при Uбэофф в 1,5..9В и Uнас 0,75..1,8В - что там будет во время Ts? Я полагаю, что на базе будет 0,7В, на выводе транзистора - добавится падение на Rб, которое тоже не нормируется.

угу, вот только посмотрите в даташитах - что такое эти 30-50 нс, как они измеряются...

Подачей обратного тока. В реале подаётся напряжение, ток ограничен длительностью фронтов и паразитами. Насколько большая разница? Не знаю.

так и я о чем - какой смысл ставить аж 4 шт этих, когда можно обойтись парочкой других.

Так и я писал, мост - это нехорошо. Могли бы 13009 выдать 1000+Вт в полумосте - не стали бы переходить на мосфеты имхо, разве что выигрыш по частоте там 1,5 раза...

ну так потому и придумали же IGBT, к тому же - более устойчивые ко вторичному пробою по сравнению с БТ.

Не для АТХ всё же они) Слишком мощные, дорогие и медленные (если не в QR режиме).

350В скачок напряжения и сколько там той индуктивности? Десяток микрогенри...
Время переключения около полмикросекунды (rise и fall)...

Десяток я мерил на большом торе, на Ш - всё же под 50..100 должно быть. Если вторичка замкнута, то на первичке 150В перепад. Tf 0,2..0,7мкс, при небольших токах ‹200нс по графикам. Это порядка 0,6А в коллекторе.

Т.е. - никакой речи о 1,5кВт априори идти не может...

Да, это я загнул. Для театрального эффекта, так сказать. Но и 8А там не пахнет афаик: 120В*8А*всякие DC и КПД = 750Вт.

чтобы коммутация происходила подобно чисто активной нагрузке

Никто не подразумевает такие транзисторы на активной нагрузке)

[Yuri222]

на первичке 150В перепад

Да, точно

Подачей обратного тока

Вот-вот. Для какого-нибудь UF4007 при прямом токе 0,5А запирают подачей обратного тока в 1А - и через 75нс он спадает даже не до нуля, а до половины первоначального прямого тока... Вот такое оно - ультрабыстрое восстановление...

Десяток я мерил на большом торе, на Ш - всё же под 50..100 должно быть. Если вторичка замкнута, то на первичке 150В перепад. Tf 0,2..0,7мкс, при небольших токах ‹200нс по графикам. Это порядка 0,6А в коллекторе.

Может и так, что не очень страшно. Но еще емкости паразитные остаются.

65МГц-транзистор в принципе может выдать фронт порядка 10нс?

а зачем?! У этого транзистора время рассасывания полторы микросекунды!

добавится падение на Rб

Rb же в цепи транзистора MJE210, формирующего открывающий ток, на нижний (MJE200, подающий закрывающее напряжение) он не влияет.

[zoog]

Вот-вот. Для какого-нибудь UF4007 при прямом токе 0,5А запирают подачей обратного тока в 1А - и через 75нс он спадает даже не до нуля, а до половины первоначального прямого тока... Вот такое оно - ультрабыстрое восстановление...

Не прямого, а обратного, т.е. до 0,5А)) но это только у 400х так, у остальных - до 0,25 обратного / 0,5 прямого.

а зачем?! У этого транзистора время рассасывания полторы микросекунды!

А фронты сигнала нормируются на 10нс, просто так?

Rb же в цепи транзистора MJE210, формирующего открывающий ток, на нижний (MJE200, подающий закрывающее напряжение) он не влияет.

Rb самого транзистора.

[Yuri222]

фронты сигнала нормируются на 10нс, просто так?

Там же еще жменька деталей, с которыми нужно вовремя управиться. Это раз. Второе - открывается нижний (запирающий) через конденсатор - т.е. сигналом с пологим фронтом не очень то его открыть получится. Третье - нужна же определенность в тестах...

Rb самого транзистора

Понял. Потому и прикладывают импульс напряжения до -9В к БЭ переходу, в расчете на этот паразитный токоограничивающий резистор.

[zoog]

Второе - открывается нижний (запирающий) через конденсатор - т.е. сигналом с пологим фронтом не очень то его открыть получится.

Да на фронт ему наплевать, главное - чтоб длительность (вершины) не приближалась к постоянной времени.

в расчете на этот паразитный токоограничивающий резистор.

В результате имеем неопределённость - напряжение неизвестно, ток неизвестен, Rb неизвестно. Зато есть 10нс-е фронты, которые разве что ёмкости монтажа могут испугать