Сообщение от COO
|
Не понятно кому учить?
|
Судя по тому что процитировали Вас, а не меня, то учить мат часть Вам.
Сообщение от COO
|
uriy-ch
А вы вообще-то сами представляете, что такое глубокое насыщение биполярного транзистора и на сколько оно увеличивает время запирания
|
Скажу честно – глубокое насыщение понимаю с трудом. Насыщение транзистора происходит при определённом токе базы, я привёл фрагмент из даташита на транзистор С2335, с права величина времени открывания и запирания транзистора, как видите полное время закрытия транзистора 3,5мксек. Теперь посчитайте мёртвое время в АТХ ИБП если учесть что D‹=0.8 и частота 40кГц. Так вот, если увеличить ток базы с 0,6А до 1,5А то время открытия/закрытия будет меньше, и нет в пропорциональном токовом управлении ничего того что Вы описывали. Вот и всё. И зачем придерется к книге. В книге описана работа полумостовых ИБП. А не схемы управления, позволяющие ускорить открытие/закрытие биполярных транзисторов.
-- Прилагается рисунок: --