А мож так,если при полностью открытом транзисторе ток равен 1.7 примерно где то,то падение в цепи эмитера 1.7В,то при достижении напряжения на базе 2.3В будет насыщение?
Мож есть другой расчет?
Насыщенный маломощный транзистор с током 1-2 ма имеет напряжение насыщения 0,1...0,3 Вольта.
Свою схему, Сергей, в режиме насыщения можете представить как закороченные выводы к-э и через открытый переход б-э соединенные с базовмм делителем. Это в предположении что через б-э переход течет прямой ток насыщающий транзистор (из-за входного сигнала например или неправильно подобранного базового делителя).
Входное сопротивление Вашей схемы в момент насыщения транзистора резко уменьшается. получается соединение четырех резисторов в одной точке , правда через диод, но его динамическое сопротивление невелико по сравнению с базовыми резисторами.
А расчет очень прост,
как сказано выше Uнас 0,1...0,3В, примем его равным 0
тогда,при каком токе коллектора Uкэ=0?
При Iк=20В/11кОм=1,8мА.
Напряж. на базе при этом
Uб=(1кОм*1,8мА+0,7)=2,5В.
Это расчет приближенный!!!
А напряжения на выше приведенной схеме
указаны не верно.
Есть же протеус!!!
Хм,точно немного не так,а почему пока не понял,падение на переходе база-эмитер 0.64В если верить протеусу,правда не понятно что обозначает в характеристиках транзистора 200 mV,150(такого символа найти не смог)V-наверно коэфициент усилинения с общим эмитером.
А напряжения на выше приведенной схеме
указаны не верно.
Извиняюсь, лопухнулся, не так посчитал.
А 0.7 или 0.64 в упрощенном расчете значения не имеют.
Коэф. усиления такой сх.(грубо) R3/4R.
В протеусе подай на вход синус 1кГц,и меняя амплитуду
посмотри, когда произойдет насыщение(будет видно
искажение синусоиды на вых).
