Re: Рассчет ts составного транзистора.
Следует соблюсти паспортные данные обеих транзисторов (или подкорректировать их по графикам оттуда-же, по реальным, меньшим, как правило, значениям), приводимые в документации: ток коллектора в режиме насышения, ток базы в открытом состоянии, обратный (рассасывающий) ток базы в выключенном состоянии. Последний в типовом случае обеспечивается соответствующим номиналом резистора база-эмиттер. Напряжение на нем можно с достаточной точностью принять 0,7 вольта. Например, при подаче тока 30 мА вкл./0 мА выкл. в базу транзистора, б-э переход которого будет шунтирован резистором 68 Ом - ток базы в открытом состоянии будет около 20 мА, а при закрывании, пока заряд в базе не рассосется, минус 10 мА.
Понятное дело, ток базы второго (который мощнее) транзистора это ток коллектора (точнее, эмиттера, но различия небольшие) первого, минус ток через этот резистор.
При выполнении этих условий, время рассасывания примененных транзисторов, не выйтет за пределы паспортных значений.
Суммарное время рассасывания будет равно сумме этих параметров у примененнных транзисторов, т.к. пока зе закроется первый транзистор, не начнет закрываться второй. Но так как в простой схеме дарлингтона второй транзистор не насыщен, то преобладающее значение имеет время рассасывания первого транзистора. Если конечно, второй не слишком тормозной по сравнению с первым.
Это по-простому. Время закрывания состоит не только из времени рассасывания, но остальные составляющие сравнительно малы.
Последний раз редактировалось Ан-162; 02.02.2013 в 21:15.
|
