Стойкость MOSFET к перенапряжениям в силовой части

[Ан-162]

Всем здравствовать!
Буду испытывать MOSFETы по напряжению пробоя с-и.
Интересует, насколько они устойчивы к таким испытаниям, какие токи можно подавать?
Вот здесь написано:

Ввиду большей стойкости MOSFET к лавинному пробою, 500-вольтовый полевой транзистор сравнивается с IGBT, рассчитанным на напряжение 600 В.

(Биполярные и диоды испытывал, есть опыт. Подавал от 0,1 до 1-2 мА. В основном, успешно переносят.)
А то возникла мысль в БП ТВ просто снаббер отключить, и посмотреть напряжение ограничения - индуктивность рассеяния сама введет MOSFET в режим перенапряжения, всплески там достаточно короткие, доли мкс. Да вот только сомневаюсь - выдержит ли.
Жду ваших советов.
Спасибо.

[niXto]

Какие транзисторы, какого производителя? Существуют десятки технологий изготовления полевиков, у каждого производителя по несколько разных технологий, и у каждой технологии свои нюансы и особенности... Времена однотипных диффузионно-сплавных давно прошли, нынче на кристаллах рисуют такую хохлому...

[Scadauser]

Да вот только сомневаюсь - выдержит ли

Откуда такие сомнения? Вам что, не попадались блоки, сдохшие именно по этой причине? Я ещё помню Горизонты на TDA4605 и BUZ90, с хреновыми пайками. Их тогда собирали чуть не в каждом дворе, скупая комплектующие с завода, видимо, нередко бракованные.

[Ан-162]

Вам что, не попадались блоки, сдохшие именно по этой причине?

Именно по этой - не попадались.
Видимо, везло.

Какие транзисторы, какого производителя?

По виду похоже на нонэйм, а может и нет.

[Андрей К]

Ан-162, вот те транзисторы куда твоя ссылка ведёт я видел, нормальные и дешёвые. Я видел их много раз уже и применение у них было одного вида- ЗУ ноутбуков и прочих порттативных приблуд с питанием от сети с мощностью в нагрузке до 30 ватт.

[Ан-162]

Ну, в современных теликах тоже в основном до 30W (мерял), хотя и пишут на крышке больше раза в 1,5-2.
Меня интересует, какую повторяющуюся энергию импульса перенапряжения они должны держать, и какую мощность длительно в режиме "стабилитрона" с-и при закороченном затворе.
Но что-то мне кажется, придется самостоятельно выяснять, спалив парочку.
В даташите читаю:

Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by Tjmax) - 4 А

Значит ли это, что в лавинном режиме он кратковременно выдерживает ток 4 ампера при условии непревышения температуры кристалла и энергии импульса 0,12 Дж ?

[jump]

Ан-162,
для большинства MOSFET у производителей есть типовые схемы испытаний. например, у IR в даташитах есть на последних страницах