Драйверы управления силовых транзисторов и силовых ключей по низким ценам

Mike121234 · 15.09.2020, 20:14

Продав драйвера силовых транзисторов.
Кол-во большое,серию. Можно заложить в серию.
Все оригинальное, не из выбраковки, как на Алиэкспресс.

IPS511G 75 р.
https://docs.rs-online.com/c067/0900766b813418a5.pdf
FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
Тип Общего Назначения
Конфигурация High Side
Количество выходов 1
Соотношение - вход: выход 1:1
Тип выхода n-канал
Напряжение нагрузки, В 5.5…35
Выходной ток (Max), А 1.4
Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом 0.13
Интерфейс on/off
Рабочая температура, °C -40…+150
Корпус so-8
Вес, г 0.15

IPS5551T 75р
http://www.irf.com/product-info/data...a/ips5551t.pdf
FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
Rds(on) 6.0mΩ (max)
V clamp 40V
Ishutdown 100A
Vcc (op.) 5.5 - 18V

IR2101 15р.
https://www.infineon.com/dgdl/Infine...5355c7a755166c
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.

Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)

IR21094 40р.
https://www.infineon.com/dgdl/Infine...5355c7e85b1679
The IR21094PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for both channels
• 3.3, 5 and 15V Logic input compatible
• Cross-conduction prevention logic
• Matched propagation delay for both channels
• High-side output in phase with IN input
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Shut down input turns OFF both channels

Технические параметры
Максимальная рабочая температура +125 °C
Топология Полумост
Длина 20.19мм
Количество выходов 2
Минимальное рабочее напряжение питания 10 V
Производитель Infineon
Полярность Инвертирующий, неинвертирующий
Логическая совместимость входного сигнала CMOS, LSTTL

R2112 40р
https://www.infineon.com/dgdl/Infine...5355c81cb71685
DRIVER, MOSFET/IGBT, 2112, DIP14 Driver IC Type Power Outputs, No. of 2 Voltage, Output 620V Output Current 250mA Power, Dissipation Pd 1.6W Voltage, Supply Min 10V Case Style DIP No. of Pins 14 Operating Temperature Range -40°C to +125°C Base Number 2112 IC Generic Number 2112 Logic Function Number 2112 Temp, Op. Max 125°C Temp, Op. Min -40°C Termination Type Through Hole Voltage, Offset 600V Voltage, Output Max 20V Voltage, Output Min 10V Voltage, Supply Max 20V Logic IC Function Independent High & Low Side Output Sink Current Min 420mA Output Source Current Min 200mA Time, t Off 105ns Time, t On 125ns Voltage, Vcc Max 25V Voltage, Vcc Min 10V
Корпус DIP-14, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 250 мА, Максимальный выходной ток спада 500 мА
Технические параметры
Конфигурация High-Side/Low-Side
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.5
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)

IR2130 135р.
https://www.infineon.com/dgdl/Infine...5355c8757d169a
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon
A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal levels.
Технические параметры
Конфигурация half-bridge
Тип канала 3-фазный
Кол-во каналов 6
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.5
Тип входа инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 35
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)

IR2151 45р.
https://www.infineon.com/dgdl/Infine...5355c8d26316b3
Конфигурация half-bridge
Тип канала синхронный
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.125
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.25
Тип входа RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)

IR3310 50р.
http://www.irf.com/product-info/data...ata/ir3310.pdf
DC интеллектуальный ключ - [TO-220-5]; Тип: верхний ключ; Вход: прямой; Выходов: 1; Rвкл: 5.5 мОм; Iном: 23 А; Iмакс: 100 А

IR4426 24р
https://www.infineon.com/dgdl/Infine...5355d60b491822
DRIVER, MOSFET, DUAL LOW SIDE, 4426 Driver IC Type MOSFET Outputs, No. of 2 Voltage, Output 20V Output Current 2.3A Power, Dissipation Pd 1W Voltage, Supply Min 6V Case Style DIP No. of Pins 8 Operating Temperature Range -40°C to +125°C Base Number 4426 IC Generic Number 4426 Logic Function Number 4426 Output Current + Max 1500mA Temp, Op. Max 125°C Temp, Op. Min -40°C Termination Type Through Hole Voltage, Output Max 20V Voltage, Output Min 6V Voltage, Supply Max 20V Output Sink Current Min 1500mA Output Source Current Min 1500mA Time, t Off 65ns Time, t On 85ns Voltage, Vcc Max 20V Voltage, Vcc Min 6V
Корпус DIP-8, Кол-во нижних каналов 2, Кол-во верхних каналов 0, Максимальный выходной ток нарастания 2.3 А, Максимальный выходной ток спада 3.3 А
Технические параметры
Конфигурация Low-Side
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 6…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 3.3
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 10
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)