Компания IR объявила о разработке нового МОП-транзистора IRF6607 для DC-DC конвертеров, используемых в новом поколении микропроцессоров Intel и AMD |
|
Новый транзистор IRF6607 произведен по технологии DirectFET и предназначен для управления ключами в высокочастотных синхронных конвертерах. Конвертеры, использующие два IRF6607, подают на выход 30 А на фазу при частоте преобразования 2 МГц и имеют показатель эффективности 77%. Выходной ток такого уровня в два раза превышает возможности самого современного МОП-транзистора в корпусе SO-8.
|
Высокочастотные конвертеры используются для питания гигагерцовых микропроцессоров ноутбуков фирм Intel и AMD, а также настольных компьютеров и серверов. Микропроцессоры следующего поколения работают на высоких частотах при напряжении 1 В. Растущие требования современных компьютерных технологий, в первую очередь, связаны с уменьшением времени переходных процессов. Показатели времени переходных процессов с 1999 г. увеличились с 20 А/сек. до 325 А/мкс. и обещают достигнуть 400 А/мкс. в ближайшие годы. Для удовлетворения растущих требований и уменьшения конденсаторных батарей, рабочая частота конвертеров должна составлять 1-2 МГц.
Тридцативольтовый IRF6607 транзистор является первым индустриальным транзистором в корпусе для поверхностного монтажа SO-8 с двухсторонним охлаждением кристалла. Он показывает значительно улучшенные характеристики проводимости и потерь на переключение. Благодаря технологии DirectFET удалось достичь минимальных показателей уровня сопротивления в открытом состоянии – 2,7 мОм. Низкий заряд затвора и заряд сток-затвор в сочетании с индуктивностью корпуса, уменьшенной на 70% по отношению к другим SO-8 устройствам, позволили уменьшить потери на переключение в мегагерцовом диапазоне рабочих частот.
Высокая термопроводимость корпусов DirectFET гарантирует высокую теплоотдачу. Использование радиатора для отвода тепла с поверхности корпуса дает возможность сократить пространство платы, уменьшить размер схемы и сократить индуктивную нагрузку платы для устранения нежелательных потерь. DirectFET устройства имеют меньшую рассеиваемую мощность и высокую теплопроводимость, обеспечивая питание 30 А при частоте преобразования 2 МГц, при использовании только двух МОП-транзисторов IRF6607.
Наименование: IRF6607
Напряжение пробоя сток-исток: 30 В
Пост. ток стока при t корпуса 25оС: 95 А
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2,7 мОм
Суммарный заряд затвора: 16 нКл
Корпус: DirectFET
Применение: Синхронизированные МОП-транзисторы для конвертеров ноутбуков и серверов
| | Дата публикации: 24/11/2004 |
|  |
 |
Реклама на сайте |
|
Последние новости  |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
|
|
|
|
