Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Создан самый быстрый в мире транзистор


Американские исследователи создали самый быстрый в мире транзистор, который может стать основой электронных чипов нового поколения. Ученые Милтон Фенг (Milton Feng) и Вэлид Хейфз (Walid Hafez) из университета в Иллинойсе (University of Illinois), разработали сверхбыстрый транзистор, путем наложения различных полупроводниковых слоев, в структуре микроскопического устройства.

 Длина полупроводника составляет одну миллионную метра, а максимальная скорость работы - 604 ГГц - это означает, что транзистор способен проводить 604 млрд. операций в секунду. Исследователи разработали особый тип компонента, известный как биполярный переходной транзистор, который состоит из трех расположенных друг на друге слоев.

Сила тока зависит от направления, его прохождения через три слоя - слои базы, эмиттера и коллектора. Управляя током, походящим через базу к эмиттеру, можно управлять током, между эмиттером и коллектором. Для изготовления слоев был использован кристаллы фосфида индия, арсенида индия и галлия. Основой повышения производительности транзистора послужило то, что ученые модифицировали состав слоя коллектора, увеличив долю индия, а это повлияло на кристаллическую решетку материала, облегчив прохождение электронов. По заявлению одного из ученых, электроны не только стали передвигаться быстрее, но и дальше на невероятно больших скоростях, прежде чем остановиться в атомах коллектора. К сожалению, транзисторы не приспособлены для управления электрическим полем, как в компьютерных компонентах, однако для радиоприемников они подойдут идеально, заявил Кэвин Крэвэл (Kevin Krewell), главный редактор издания Microprocessor Report.

www.newscientist.com


Источник: 3dnews.ru | Дата публикации: 13/04/2005

Предыдущая новость: Солнечные батареи за спиной... Следующая новость: Температурный датчик отпечатка пальца из семейства FingerChip™ с функциями органа управления и расширенным диапазоном питания ввода-вывода (1,8…3,3В) AT77C105A
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»