Samsung Electronics сообщила о создании 2 Гб OneNAND-чипа памяти, выполненного в соответствии с нормами 60-нм технологического процесса. По сравнению с предыдущими OneNAND микросхемами Samsung емкостью 1 Гб новые чипы более производительны, поскольку скорость записи составляет 17 Мб/с (против 9,3 Мб/с), а вот скорость чтения осталась на прежнем уровне - 108 Мб/с.
Преимущества OneNAND-памяти очевидны. Микросхемы памяти будут использоваться как при создании гибридных винчестеров, так и отдельных твердотельных накопителей. К примеру, объединив восемь таких чипов мы получим 16 Гб флэш-накопитель со скоростью записи данных около 136 Мб/с. Впрочем, OneNAND-память уже применяется в гибридных НЖМД и первые прототипы компания продемонстрировала на Microsoft WinHEC 2006.
