Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Atmel представила автономный LIN2.0 трансивер с наилучшими в промышленности характеристиками электромагнитной совместимости


Благодаря применению высоковольтной технологии Atmel BCD-on-SOI (SMARTIS™) ИС ATA6662 установила новую рекордную планку по уровню электромагнитных излучений. Превосходная защита ИС от электростатических разрядов (свыше 6 кВ) играет важную роль при разработке надежных блоков управления, применяющихся в сложных автомобильных окружающих условиях. Микросхема ориентирована на применение в таких автомобильных приложениях, как дверные модули, управление положением сидений, интеллектуальные датчики и другая бортовая электроника, в которой требуется низкоскоростная передача данных и важную роль играет низкая стоимость.

ATA6662 отвечает стандарту LIN2.0 и может работать при напряжении питания до 40 В. Данный полностью интегрированный LIN-трансивер позволяет подключить локальный микроконтроллер, реализующий протокол LIN, к шине LIN. Улучшенное управление фронтами на шине LIN гарантирует надежную передачу данных на скоростях до 20 кбод, используя для синхронизации передачи RC-генератор. При переводе ATA6662 в режим сна потребляемый ток снижается до 10 мкА.

Чтобы исключить проблемы с электромагнитными излучениями, у ATA6662 поддерживается управление скоростью изменения фронтов. Фильтр на входе приемника позволяет удалить РЧ-излучения, созданные сигналами на шине. По сравнению со стандартной технологией BCDMOS (комбинированная аналогово-цифровая технология, использующая биполярные, КМОП- и ДМОП-компоненты), технология Atmel SMARTIS использует основание SOI (кремний на диэлектрике). Это, в конечном счете, позволило добиться экстремально малых токов утечки, существенно уменьшить взаимовлияние аналоговых и цифровых каскадов внутри кристалла, а также исключить возможность возникновения "тиристорного эффекта" при высоких температурах.

Кроме того, ATA6662 поддерживает несколько защитных функций, в т.ч. отключение при перегреве, полная защита от коротких замыканий, а также защита высоковольтной линии шины от напряжений до 40 В. ATA6662 полностью совместима с 3.3В-ыми и 5В-ыми приборами и содержит таймер контроля вывода TxD, который исключает возможность длительного нахождения шины в доминантном состоянии. По состоянию выводов TxD и RxD можно определить источник возобновления работы шины: локальный через вывод WAKE-UP или удаленный через шину LIN. В зависимости от распознанного источника возобновления работы, микроконтроллер исполняет соответствующую процедуру. Микросхема также отвечает жестким автомобильным требованиям и может противостоять переходным процессам в соответствии с ISO/TR 7637/1.

Образцы новой интегральной схемы LIN-трансивера ATA6662 в корпусе SO8 доступны в настоящее время.

Отличительные особенности:

  • Рабочее напряжение питания 5…27 В
  • Скорость передачи до 20 кбод
  • Улучшенное управление фронтами импульсов в соответствии с требованиями к шине LIN версии 2.0 и SAEJ2602-2
  • Полная совместимость с 3.3В-ыми и 5В-ыми устройствами
  • Функция контроля длительности доминантного состояния при передаче данных (TXD)
  • Нормальный режим работы и режим сна
  • Возможность возобновления работы через шину LIN (доминантное состояние в течение 90 мкс)
  • Внешние возобновление работы через вывод WAKE (низкий уровень в течение 35 мкс)
  • Управление внешним стабилизатором напряжения через вывод INH
  • Очень малое потребление в режиме сна (10 мкА)
  • Распознавание источника возобновления работы
  • Защиты от короткого замыкания выводов шины с линиями GND и батарейного питания
  • Входной ток на выводах шины LIN типично составляет 5 мкА (вывод VBAT отключен)
  • Зашита от перегрева
  • Высокий уровень электромагнитной совместимости
  • Защита от повреждения и излучений в соответствии с ISO/CD 7637
  • Защита от электростатических разрядов по модели человеческого тела 6 кВ на выводах шины LIN и вывода питания VS

Структурная схема ATA6662:

Структурная схема ATA6662

Схема включения ATA6662:

Схема включения ATA6662

Расположение выводов ATA6662:

Расположение выводов ATA6662

Описание выводов:

Вывод Обозначение Функция
1 RXD Выход принимаемых данных
2 EN Вход разрешения работы (если вход отключен или на него подан низкий уровень, то активизирует режим сна)
3 WAKE Высоковольтный Вход запроса на возобновление работы
4 TXD Вход передаваемых данных
5 GND Общий
6 LIN Линия ввода-вывода шины LIN
7 VS Батарейное питание
8 INH Выход управления внешним стабилизатором напряжения

Общее описание:

ATA6662 - полностью интегрированный LIN-трансивер, отвечающий требованиям LIN 2.0 и SAEJ2602-2. Он предназначен для подключения контроллера, реализующего протокол LIN, к физической шине. Микросхема разработана для организации низкоскоростной передачи данных в автомобилях. Улучшенное управление фронтами на шине LIN гарантирует защищенную передачу данных на скорости до 20 кбод при управлении протоколом RC-генератором. Поддержка режима сна гарантирует минимальное потребление. ATA6662 характеризуется улучшенными характеристиками электромагнитных излучений и электростатического разряда.

Информация для заказа:

Код заказа Корпус Прим.
AT6662-TAQY SO8 LIN-трансивер, без содержания свинца


Источник: rtcs.ru | Дата публикации: 18/04/2007

Предыдущая новость: Texas Instruments анонсировала выход платиновой версии передовой интегрированной среды DSP Code Composer StudioTM теперь с поддержкой новых двухъядерных процессоров DaVinci Следующая новость: Freescale Semiconductor выпустила первую в мире микросхему памяти на основе магниторезистивных структур (MRAM)
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»