FDMS86350 — N-канальные PowerTrench® MOSFET-транзисторы на основе карбида висмута (BiC) на 80 В, 130А от компании Fairchild Semiconductor |
Новые N-канальные MOSFET-транзисторы компании Fairchild Semiconductor произведены с использованием запатентованного технологического процесса Power Trench®, позволяющего минимизировать сопротивление открытого канала и обеспечить низкие потери на переключение. Кроме того, при производстве данных транзисторов применяется фирменная технология размещения кристаллов мощных силовых схем в стандартных корпусах типа PQFN размерами 5 х 6 мм, также способствующая снижению значения RDS(ON).
|
N-канальный MOSFET-транзистор FDMS86350
Отличительные особенности FDMS86350:
- Максимальное остаточное сопротивление открытого канала:
- RDS(ON) = 2.4 мОм, при VGS = 10 В, ID = 25 А
- RDS(ON) = 3.2 мОм, при VGS = 8 В, ID = 22 А
- Улучшенная конструкция корпуса и использование особого соединения кремния снижают сопротивление канала и повышают КПД транзистора
- Корпус с повышенной влагостойкостью, соответствует уровню влажности MSL1
- Соответствие требованиям директивы RoHS
Область применения FDMS86350:
- Силовые каскады импульсных источников питания
- Синхронные выпрямители
- Коммутаторы нагрузки
- Ключевые каскады управления электродвигателями
Источник: gaw.ru | Дата публикации: 05/12/2013 |
| |
|
Реклама на сайте |
|
Последние новости |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
|
|
|