IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5

Новое семейство IGBT-транзисторов является большим инновационным шагом навстречу будущим требованиям рынка к максимальной эффективности. Транзисторы оптимизированы для применения в схемах коррекции коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях в таких приложениях, как инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания, инверторы сварочных аппаратов и другие системы с жесткими условиями переключения.

Отличительные особенности:

• Новый эталон эффективности для «лучших в своём классе» устройств
• Самые низкие потери на переключение
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер V_CE(sat) на 10% ниже, чем у транзисторов предыдущего поколения
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V_BR 650 В
• Температурная стабильность падения напряжения на встроенном встречно-параллельном диоде
• Сниженный в 2,5 раза по сравнению с семейством HighSpeed 3 заряд затвора Q_G

Преимущества IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5:

• Лучшая в своем классе устройств эффективность, благодаря которой снижена температура перехода и корпуса и увеличена надёжность
• Допустимый уровень импульсного перенапряжения в питающей линии: 50 В
• Конструкция транзистора с повышенной плотностью мощности

Область применения:

• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания
• Инверторы солнечных батарей

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest