NGTB15N120IHL — IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей от ON Semiconductor |
Этот биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) изготовлен по надёжной и эффективной по стоимости технологии Field Stop (FS) Trench.
|
NGTB15N120IHL обеспечивает высочайшую производительность в требовательных импульсных устройствах, обладая при этом низким остаточным напряжением и малыми потерями на переключение. IGBT-транзистор хорошо подходит для резонансных схем и каскадов с мягким режимом коммутации. Схема транзистора содержит шунтирующий диод с низким падением прямого напряжения.
Отличительные особенности NGTB15N120IHL:
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 1200 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat: 1.8 В (тип.)
- Постоянный ток коллектора IC: 30 А (TC=25°C) / 15 А (TC=100°C)
- Импульсный ток коллектора ICM: 120 А
- Задержка выключения td(off): 165 нс (тип.) (TJ=25°C) / 180 нс (тип.) (TJ=125°C)
- Время выключения tf: 200 нс (тип.) (TJ=25°C) / 260 нс (тип.) (TJ=125°C)
- Прямой ток диода IF: 30 А (TC=25°C) / 15 А (TC=100°C)
- Падение прямого напряжения на диоде VF: 1.4 В
- Рассеиваемая мощность PD: 156 Вт (TC=25°C) / 62.5 Вт (TC=100°C)
- Рабочая температура перехода TJ: -55…+150°C
- Корпус TO-247 без содержания свинца
Область применения NGTB15N120IHL:
- Индукционные нагреватели
- Бытовая техника
- Коммутирующие схемы с мягким переключением
Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 17/05/2014 |
| |
|
Реклама на сайте |
|
Последние новости |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
|
|
|