Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Infineon выпустила силовые транзисторы с размерами 3.0×3.4 мм


Infineon выпустила силовые транзисторы Blade 3×3 MOSFET с размерами 3.0 × 3.4 мм. Новая революционная концепция корпусов Blade задает новый стандарт в области высокопроизводительных силовых корпусов.

В данной технологии больше не используются стандартные процессы корпусирования, такие как сварка и опрессовка. Межкомпонентные соединения реализуются с помощью гальванических процессов, для дополнительной защиты кристалл ламинируется. Сток в корпусе Blade 3×3 располагается внизу, а верхняя часть корпуса, имеющая низкое тепловое сопротивление, обеспечивает эффективное охлаждение.

Основание корпуса с двумя выводами, подключенными к затвору, и большими площадками стока и истока оптимизировано для работы с высокими токами и для упрощения топологии печатной платы. Использование такой технологии позволяет создавать продукцию с самыми низкими сопротивлениями в открытом состоянии и с наибольшей плотностью мощности без ухудшения рабочих характеристик и охлаждения.



Особенности:

  • Лучшее в своем классе сопротивление в открытом состоянии
  • Низкий профиль (0.55 мм)
  • Большие контактные площадки для подключения к стоку и истоку
  • Оптимизированное расположение выводов
  • Низкое тепловое сопротивление верхней части корпуса
  • Соответствует требованиям директивы RoHS, не содержит галогенов


Применение:

  • Ноутбуки: ядро, периферийные устройства
  • Системные платы: ядро, периферийные устройства
  • Сервер
  • Телекоммуникационное оборудование — преобразователи в точке нагрузки (PoL) 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 21/05/2014

Предыдущая новость: DS125DF111 — малопотребляющий двухканальный преобразователь скорости передачи данных (ретаймер) Следующая новость: TPS54361 — понижающий DC/DC преобразователь с входным напряжением 4.5…60 В, током нагрузки 3.5 А, режимами мягкого старта и Eco-mode™
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»