Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Si8410DB — новый 20-вольтовый MOSFET в сверхминиатюрном корпусе от Vishay Intertechnology


Vishay Intertechnology представила новый 20-вольтовый N-канальный TrenchFET MOSFET, разработанный с целью экономии площади платы, снижения потерь мощности и увеличения времени автономной работы носимых устройств, смартфонов, планшетов и твердотельных накопителей. Выпускаемые в сверхнизком корпусе MICRO FOOT с высотой не превышающей 0.54 мм, транзисторы Vishay Siliconix Si8410DB имеют наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала среди любых устройств с рабочим напряжением 20 В, и занимают площадь всего 1 мм2.

Оптимизированный для использования в качестве коммутатора нагрузки, слаботочного ключа и быстродействующего переключателя в схемах управления питанием, Si8410DB отличается чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала: 37 мОм при 4.5 В, 41 мОм при напряжении затвор-исток, равном 2.5 В, 47 мОм при 1.8 В и 68 мОм при 1.5 В.

Сравнение по этому параметру с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусе CSP площадью 1 мм2 показывает улучшение на 26% для напряжения затвор-исток 4.5 В, 32% для 2.5 В, 35% для 1.8 В и 27% для 1.5 В. При сравнении с устройствами в корпусах DFN аналогичного размера, сопротивление открытого канала оказывается ниже на 32% при 4.5 В, на 40% при 2.5 В, на 48% при 1.8 В и на 43% при 1.5 В. Сочетание низкого сопротивления открытого канала, нормированного для напряжений затвора до 1.5 В, и высокого допустимого напряжения затвор-исток (±8 В), обеспечивают запас надежности, гибкость в выборе драйвера затвора и хорошие характеристики устройств с питанием от литий-ионных аккумуляторов.

Si8410DB

Si8410DB имеет чрезвычайно низкое удельное сопротивление открытого канала – 30 мОм/мм2 что на 28% меньше, чем у ближайших конкурентов с рабочим напряжением 20 В в пластиковых корпусах площадью 1 мм2. Это позволит сэкономить объем и снизить мощность, потребляемую от аккумуляторов мобильных устройств. Комбинация пониженного сопротивления открытого канала и малого теплового сопротивления уменьшает нагрев до 45% и 144% по сравнению с лучшими приборами в корпусах CSP и в квадратных корпусах площадью 1 мм2, соответственно. 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 30/03/2015

Предыдущая новость: FXAS21002 — 3-осевой цифровой гироскоп семейства Xtrinsic Следующая новость: ZXTR2105F — высоковольтный транзисторный регулятор для микроконтроллерных систем от компании Diodes
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»