Быстрый и мощный ключ на транзисторах

[spyx]

Всем здравствуйте!
Необходимо разработать схему для управления p-i-n диодами, тоесть подавать на диод либо +5В 800мА, либо подавать -40В, для быстрого рассасывания заряда из базы диода. Управление ключем осуществляется с КМОП микросхемы (питание 5 Вольт). Задержка переключения ключа должна составлять единицы наносекунд...
Возможно ли сделать такой ключ?
В первой версии была взята схема, изображенная ниже. Здесь D2, D3 - p-i-n диоды. Источник V1 - 5 вольт, V3 - -40 вольт. Транзисторы 2Т629А. Но при моделировании да и при сборке схема показала большие задержки (порядка одной микросекунды).
Подскажите в какую сторону копать? Может книги какие-нибудь? Возможно применение полевых транзисторов.

-- Прилагается рисунок: --

[Elf]

Всем здравствуйте!
Управление ключем осуществляется с КМОП микросхемы (питание 5 Вольт). Задержка переключения ключа должна составлять единицы наносекунд...
Возможно ли сделать такой ключ?

Не совсем понятно, что значит задержка переключения? Время от подачи сигнала на вход, и до того как напряжение на диоде спадет с +5 до -40 вольт?
Я так думаю, что нельзя. Сотня наносекунд- может быть, но тоже не уверен. У вас только сам фронт на диодах должен получиться в районе 10V/nS, а то и быстрее- с учетом задержек предыдущих каскадов. ИМХО, нереально...

-- Прилагается рисунок: --

[spyx]

Спасибо за ответ!

Не совсем понятно, что значит задержка переключения? Время от подачи сигнала на вход, и до того как напряжение на диоде спадет с +5 до -40 вольт?

Да, именно это и имелось ввиду.

Я так думаю, что нельзя. Сотня наносекунд- может быть, но тоже не уверен. У вас только сам фронт на диодах должен получиться в районе 10V/nS, а то и быстрее- с учетом задержек предыдущих каскадов. ИМХО, нереально...

Ну что же, может быть и не возможно. По крайней мере институтские профессора мне тоже не помогли... Теперь осталось убедить начальство что такое не возможно

-- Прилагается рисунок: --

[tkachuk01]

доброй ночи
посмотрите книгу по ПТ
удачи

Прикрепленный файл: 6147647.zip

[spyx]

Спасибо за книгу!
Правда с такой книгой я уже ознакамливался . При применении полевых транзисторов возникает следующая проблема: Для переключения отрицательного напряжения нужен P-канальный полевик, так как напряжения ниже -40 В подводиться к схеме не будет. Но из отечественной компонентной базы я не нашел быстрых Р-канальных транзисторов, может я конечно отстал от жизни (но, повторюсь, возможно применение только отечественных транзисторов).
Есть быстрые N-канальные транзисторы (да все мощные СВЧ полевые транзисторы N-канальные), но как на них организовать ключ, ведь на затвор нужно подать напряжение меньшее, чем на истоке, а если на истоке -40 В, то ниже напряжения в схеме уже нет.

[frend]

1 что у вас за диоды? прочтите на них ДШ (дайте в студию)
2 ваша логика(КМОП) никаких единиц наносекунд не обеспечит
3 диоды эти затем и ставят, что за счет долгого времени жизни носителей они играют роль сопротивления(с малым времением рассасывания идет в разрез)

сначала ответ на 1 пункт

[spyx]

Итак, начнем с первого. Диоды в данном случае - pin. Используются для управления СВЧ сигналом. При включении в прямом направлении pin диод представляет емкость и шунтирует СВЧ. При включении в обратном направлении такого эффекта не происходит. Следовательно скорость нужна именно для того, чтобы быстро переводить диод из одного состояния в другое, подключая или отключая СВЧ.
С даташитом на диоды проблема, так как диоды мы делаем сами. Из того, что могу сказать это пробивное напряжение 1 кВ, то есть мощные диоды, с "большой" базой. Время рассасывания заряда не более 8 мкс. Более точные подробности не вспомню, могу завтра на работе узнать (если они конечно есть).
А про КМОП логику, предположим что будет стоять микроконтроллер, рабочая частота 16 МГц, будет переключать через 100 нс, да, это не единицы наносекунд, но нам нужно минимизировать скорость переключений, поэтому в задании стваим самую высокую скорость.

[alberio]

...но, повторюсь, возможно применение только отечественных транзисторов...

...предположим что будет стоять микроконтроллер, рабочая частота 16 МГц...

Если допустимо использовать МК, так почему загвоздка с импортными транзисторами?

[spyx]

Потому что транзисторы у нас хоть какие, но есть! А вот нормальных микроконтроллеров у нас нет! И наша промышленность, к сожелению, их не в состоянии воспроизвести. Поэтому выхода не остается, как использовать зарубежные МК, а вот остальное, только наше...

[alberio]

Но раз уж МК буржуйский, логичней использовать импортные транзисторы (в силу того что для вашей задачи они подходят больше), а не изобретать 5-колесный велосипед на отечественной елементной базе, имхо...
Хотя я и не знаю особенностей поставленой задачи.