Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для
построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более
1,0 гр.
| 1 |
Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
159НТ1А-В
159НТ1Г-Е |
не более 3 мВ
не более 15 мВ |
| 2 |
Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА |
0,55...0,75 В |
| 3 |
Обратный ток коллектор-база |
не более 200 нА |
| 4 |
Обратный ток эмиттер-база |
не более 500 нА |
| 5 |
Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В |
не более 20 нА |
| 6 |
Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
159НТ1А,Г
159НТ1Б,Д
159НТ1В,Е |
20...80
60...180
более 80 |
| 7 |
Емкость эмиттера на частоте 10 мГц |
не более 5 пФ |
| 8 |
Емкость коллектора на частоте 10 мГц |
не более 4 пФ |
1,8 - свободные;