| Серия: |
Серия: |
Серия: |
Серия: |
Серия: |
|
|
|
|
|
Корпус ИМС К174УН7
Принципиальная схема ИМС К174УН7
Типовая схема включения ИМС К174УН7
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература
Микросхема представляет собой усилитель
мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт
на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420
(функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в
телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент.
Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса
не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.).
Корпус ИМС К174УН7
 |
1 - питание +Uи.п.;
4 - цепь обратной связи для регулировки Ку.u;
5 - коррекция;
6 - обратная связь;
7 - фильтр;
8 - вход;
9 - общий - Uи.п..
10 - эмиттер выходного транзистора;
12 - выход;
|
 |
| 201.12.-1 |
|
238.12-2 |
Принципиальная схема ИМС К174УН7
Типовая схема включения ИМС К174УН4
Электрические параметры
| 1 |
Номинальное напряжение питания |
15 В ± 10% |
2
|
Выходное напряжение при
Uп = 15 В, fвх = 1 кГц |
2,6…5,5 В |
3
|
Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В,
Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт |
30…70 мВ |
| 4 |
Ток потребления при Uп = 15 В |
5…20 мА |
| 5 |
Выходная мощность при Rн = 4 Ома |
4,5 Вт |
6
|
Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц:
Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт
Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт
Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт |
> 10 %
> 2 %
> 2 % |
| 7 |
Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10…+55°С |
45 |
| 8 |
Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц |
30 кОм |
| 9 |
Диапазон рабочих частот |
40…20 000 Гц |
| 10 |
Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт |
50 % |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 |
Напряжение питания |
13,5…16,5 В |
| 2 |
Амплитуда входного напряжения |
> 2,0В |
3
|
Постоянное напряжение:
на выводе 7
на выводе 8 |
> 15 В
0,3…2,0 В |
| 4 |
Сопротивление нагрузки |
4 Ом |
5
|
Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда |
20°С/Вт
100°С/Вт |
| 6 |
Температура окружающей среды |
-10…+55°С |
| 7 |
Температура кристалла |
+ 85 °С |
Общие рекомендации по применению
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода
при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса
выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по
формуле
Р=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом),
где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у
основания пластмассового корпуса микросхемы.
Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения
питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего
источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы
недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не
более 0,05 Ом.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник
/И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. -
Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги:
Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник
/А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание,
переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
|
