Toshiba разработала первую в мире 48-слойную микросхему флэш-памяти емкостью 256 Гбит |
Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ячеек. Новая микросхема является первым в мире 48-слойным 256-гигабитным флэш-устройством. Кроме того, оно основано на самой совершенной в отрасли технологии TLC (Triple-Level Cell – трехуровневая ячейка). Поставка образцов начнется в ближайшее время.
|
BiCS FLASH основана на новейшем процессе производства 48-слойных структур, позволяющем создавать память бóльших объемов, с бóльшим количеством циклов записи чтения и бóльшей скоростью записи, чем традиционная двумерная флэш-память NAND. Новый прибор объемом 256 Гбит (32 Гбайт) найдет применение во множестве различных приложений, включая потребительские твердотельные накопители, смартфоны, планшеты, карты памяти и твердотельные накопители для центров обработки данных.
Со времени анонса технологии в июне 2007 Toshiba продолжала разработки с целью ее оптимизации для возможности использования в массовом производстве ИС. Принимая во внимание ожидаемый рост рынка флэш-памяти в 2016 и последующих годах, Toshiba планомерно переходит на BiCS FLASH, расширяя ассортимент новой продукции, предназначенной для приложений большого объема, таких, например, как твердотельные накопители.
Toshiba имеет богатый опыт создания компонентов памяти и в настоящее готовит к массовому производству BiCS FLASH новую фабрику Fab2 в Йоккаити – основную площадку по выпуску флэш-памяти NAND. Строительство Fab2 будет завершено в первой половине 2016 г.
| |
|
Реклама на сайте |
|
Последние новости |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |