Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Toshiba разработала первую в мире 48-слойную микросхему флэш-памяти емкостью 256 Гбит


Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ячеек. Новая микросхема является первым в мире 48-слойным 256-гигабитным флэш-устройством. Кроме того, оно основано на самой совершенной в отрасли технологии TLC (Triple-Level Cell – трехуровневая ячейка). Поставка образцов начнется в ближайшее время.

BiCS FLASH основана на новейшем процессе производства 48-слойных структур, позволяющем создавать память бóльших объемов, с бóльшим количеством циклов записи чтения и бóльшей скоростью записи, чем традиционная двумерная флэш-память NAND. Новый прибор объемом 256 Гбит (32 Гбайт) найдет применение во множестве различных приложений, включая потребительские твердотельные накопители, смартфоны, планшеты, карты памяти и твердотельные накопители для центров обработки данных.



Со времени анонса технологии в июне 2007 Toshiba продолжала разработки с целью ее оптимизации для возможности использования в массовом производстве ИС. Принимая во внимание ожидаемый рост рынка флэш-памяти в 2016 и последующих годах, Toshiba планомерно переходит на BiCS FLASH, расширяя ассортимент новой продукции, предназначенной для приложений большого объема, таких, например, как твердотельные накопители.

Toshiba имеет богатый опыт создания компонентов памяти и в настоящее готовит к массовому производству BiCS FLASH новую фабрику Fab2 в Йоккаити – основную площадку по выпуску флэш-памяти NAND. Строительство Fab2 будет завершено в первой половине 2016 г. 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 17/09/2015

Предыдущая новость: AT21CS01 и AT21CS11 — инновационные 2-выводные EEPROM с паразитным питанием от Atmel Следующая новость: XCL219 и XCL220 — самые миниатюрные в мире модули понижающих преобразователей с интегрированной катушкой индуктивности

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»