|
Поиск Datasheets |
|
N25Q128A21EF8H0E |
128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface |
Numonyx B.V |
|
|
N25Q128A21EF8H0E Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
N25Q128A21EF8H0E и другие |
|
Компонент | Описание | Производитель | PDF |
NAND01GW3A2B-KGD |
Known Good Die, 1 Gbit (x 8/x 16), 528 Byte/264 word page, 3 V, NAND Flash memory |
Numonyx B.V |
|
TLYU1002A |
LED LAMP PANEL CIRCUIT INDICATOR |
Toshiba Semiconductor |
|
NAND01GW3B2BN1E |
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
Numonyx B.V |
|
NAND02GW3B2DN6E |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories |
Numonyx B.V |
|
NAND02GR4B2CN6F |
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
Numonyx B.V |
|
| |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|