K4R271869B-NCK7 Datasheet

K4R271869B-NCK7 - 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 711 MHz. by SAMSUNG

Название/Part No:

K4R271869B-NCK7

Описание/Description:

256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 711 MHz.

Производитель/Maker:

Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

K4R271869B-NCK7 и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
K4R271869B-MCK7	256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 711 MHz.	Samsung semiconductor
K4R271869B-NCG6	256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.	Samsung semiconductor
K4R271869B-MCG6	256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.	Samsung semiconductor
K4R881869M-NCG6	512K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.	Samsung semiconductor
5KKP58A	64.4-71.2V transient voltage suppressor	Dc Components

Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей

Реклама на сайте