максимально допустимый ток через MOSFET

[bordodynov]

Так, например?

Из "списка литературы":
Fairchild – AN-4161 Practical Considerations of Trench MOSFET Stability when Operating in Linear Mode;
Jeffrey A. Ely – Are Trench FETs Too Fragile for Linear Applications?
Infineon Application Note – Automotive MOSFETs in Linear Applications: Thermal Instability

Спасибо за ссылки. Но в списке литературы вторая ссылка дала ошибку. Но это не беда. Я сделал копию названия и Яндекс мне нашёл файл.
Я применял мощный полевик для генератора тока 10 А для лазера. Правда применив дополнительный источник напряжения для лазера я ограничил напряжение на транзисторе одним вольтом (типовое 0.7 в) и транзистор я применил IPP80N03S4L-03

[estet]

А вот если попадётся мосфет без буквы - это старого типа приборы (Р=0,1%) или китайщина по мотивам (Р=99,9%)?

MOSFET по старому техпроцессу, ИМХО, можно распознать по размеру кристалла.
Это если замер крутизны недоступен.

[Eddy71]

MOSFET по старому техпроцессу, ИМХО, можно распознать по размеру кристалла..

К сожалению, применить после таких измерений транзистор уже не получится..

(начал собирать детальки для электронной нагрузки и чувствую, со скрытым в толщу пластика кристаллом будет та еще лотерея )

[genao]

К сожалению, применить после таких измерений транзистор уже не получится.

Использование силовых транзисторов в линейном режиме. Силовая электроника №1, 2008г
https://power-e.ru/components/ispolz...ejnom-rezhime/

под влиянием некоторых различий температуры вдоль кристалла в нем возникает температурно-индуцированное изменение тока. Если температурно-зависимое изменение плотности тока окажется температурнонестабильным (что нормально для линейного режима работы), то результатом может быть локальный разогрев и колебания тока в кристалле. Следствием разогрева может быть выход из строя, идентичный вторичному пробою биполярных силовых транзисторов. Исходя из этого, границы действительной ОБР-П могут быть существенно меньшими, чем те, что получены только на основании тепловых сопротивлений, часто публикуемых в документации.

У любого МОП- или IGBT силового транзистора есть внутренний биполярный транзистор. Его коэффициент передачи возрастает при увеличении температуры прибора, а также при увеличении напряжения сток-исток. Сопротивление базы биполярного транзистора возрастает с нарастанием температуры, и снижается напряжение база-эмиттер. Учитывая данные факторы совместно, можно сделать вывод, что с ростом температуры повышается вероятность генерации напряжения на сопротивлении базы, достаточного для включения биполярного транзистора.

Таким образом, при определенном уровне нагретости кристалла может произойти отпирание расположенного в разогретой области биполярного транзистора. Вследствие этого работа в линейном режиме становится аварийной: разогрев становится необратимым, температура стремительно возрастает вплоть до перегорания аварийного участка, вызывающего закорачивание стока с истоком, а иногда и затвора с истоком. Некоторые поврежденные приборы еще могут работать в открытом состоянии, но после запирания они смогут работать только с напряжением, которое характеризуется большим током утечки, протекающим через поврежденную область.

Иллюстрации из "Некоторые особенности работы мощного полевого транзистора в линейном режиме"
https://zen.yandex.ru/media/id/5b935...a06000affd5022
Линейный NP88N04NUG с ОБП линейного режима и ключевого


Ключевой IRLU8726 с ОБП ключевого режима


От туда же

Многие современные мощные полевые транзисторы предназначены лишь для работы в ключевом режиме и не могут работать в линейном. При этом существуют и транзисторы специально адаптированные для линейного режима работы. Так же, в линейном режиме могут работать и многие "старые" транзисторы, которые не были так оптимизированы для ключевого режима.

Если предполагается работа в линейном режиме, необходимо обращать внимание на область безопасной работы в документации на транзистор. Если линейный режим там не предусмотрен, то никто не может гарантировать, что транзистор будет устойчиво работать. Даже, если отдельно взятый транзистор и будет на это способен.

[genao]

детальки для электронной нагрузки

Линейные МОП-транзисторы ADVANCED POWER TECHNOLOGY, APT
http://www.yeint.ru/linejnye_moptranzist/

[verdana]

(начал собирать детальки для электронной нагрузки и чувствую, со скрытым в толщу пластика кристаллом будет та еще лотерея )

..............................

[Eddy71]

Я взял 4 шт. IRFP250. Сперва на Али. Приехало нечто с ёмкостью затвора меньше 1нФ. Пришлось взять в оффлайне, вроде оригинальные..

[Инн]

Увеличьте ваше сообщение до 10 символов.

[Инн]

Увеличьте ваше сообщение до 10 символов.

[zoog]

Хоть 1 из этих документов даёт ответ на вопрос, какую мощность на постоянке можно снимать, например, с irfp240 или любого другого доступного мосфета?