Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
07.12.2019, 00:15
|
#21
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 12.02.2013
Сообщений: 1,044
Сказал спасибо: 43
Сказали Спасибо 273 раз(а) в 214 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Сообщение от vg155
|
А при какой рассеиваемой мощности они накрылись, успели заметить?
|
Нет. Я поразбираюсь и отпишусь что получилось.
|
|
|
|
07.12.2019, 01:24
|
#22
|
Заблокирован
Регистрация: 17.07.2010
Адрес: мурмурляндия
Сообщений: 10,715
Сказал спасибо: 189
Сказали Спасибо 3,199 раз(а) в 2,074 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Термическое разрушение....
Вот вы блин тут развели сопли.
За полсекунды кристал раскалился поэтому сам сгорел а теплоотвод не нагрелся.
Safezone превышен, все правильно пишут
|
|
|
Эти 2 пользователя(ей) сказали Спасибо индюк за это сообщение:
|
|
|
07.12.2019, 02:34
|
#23
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,115
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Да тут у автора видятся проблемы с законом Ома вообще. Только такой вывод я могу сделать, когда вижу, как вместо мощностей ТС оперирует токами.
Некоторые, увидев в ДШ значения 200В, 20А, перемножают их и потом удивляются - а почему в реальной схеме транзистор выдаёт не 4000 и даже не паспортные 150, а всего лишь 20Вт.
Ну и на правах зануды:
Неизвестно, как он их на режим выводил, может, просто напряжение на затвор подавл - ни схемы, ничего.
Судя по трансформатору - там под 10МГц, никаких развязок не вижу, выводная X5Y и ничикон, транзисторы на слюде? туда надо хотя бы миллиметр прокладки. Истоки длиной в сантиметры - тут и трёхточку можно получить. Земля, похоже, вообще через всю плату идёт. Странно, что это хоть с какими-то транзисторами работало.
Последний раз редактировалось zoog; 07.12.2019 в 02:53.
|
|
|
|
07.12.2019, 08:20
|
#24
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,010
Сказал спасибо: 793
Сказали Спасибо 4,003 раз(а) в 2,854 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Когда то я помогал иностранному товарищу в разработке усилителя на 1 - 30 МГц усилитель. Нагрузка 50 Ом, амплитуда 50 В. Схему я сварганил (в LTspice) и достиг (опять же в программе) нужных параметров. При расчёте я получил, что нужен ток покоя не менее 150 мА (при этом на транзисторах рассеивается мощность 15 Вт). Но я не сделал термокомпенсацию порогов транзисторов. Транзисторы я выбрал самые подходящие по своим ВЧ параметрам. В результате у товарища при выставлении потенциометром тока покоя два транзистора сгорело и он бросил эксперимент, потеряв время и $10 (стоимость двух транзисторов). Специализированные транзисторы МОП для ВЧ усилителей стоят порядка $150. А всё из-за моей ошибки. Я сделал смещение стабилизированным напряжением на затворе (стабилитрон + потенциометр). Надо было задействовать ещё 2 - 3 последовательных диода (для компенсации изменения порога транзисторов на 3 - 5 мВ/гр. И диоды прилепить к соответствующему транзистору. Каюсь - грешен. Я поступил легкомысленно. А блок питания, имеющий на выходе большие по ёмкости конденсаторы может обеспечить импульсный ток, существенно превышающий его максимальный, а также его защита имеет какое-то время срабатывание. Этого небольшого времени может быть достаточно для выхода транзистора из строя.
|
|
|
|
07.12.2019, 08:28
|
#25
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,010
Сказал спасибо: 793
Сказали Спасибо 4,003 раз(а) в 2,854 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
И да. Максимальный импульсный ток транзистора может превышать максимальный постоянный ток раза в три и больше. Всё зависит от времени токового импульса. Фактически у транзистора есть пороговая энергия разрушения Eмах=P*tи для коротких импульсов.
|
|
|
|
07.12.2019, 08:28
|
#26
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,115
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Сообщение от bordodynov
|
Надо было задействовать ещё 2 - 3 последовательных диода (для компенсации изменения порога транзисторов на 3 - 5 мВ/гр
|
А автосмещение никак было? Ибо подкручивать доли мВ (для крутизны в 20А/В и точности ТП 10%) - как-то собвсем анально. И это при разбросе порогового в 2В...
Сообщение от bordodynov
|
Фактически у транзистора есть пороговая энергия разрушения Eмах=P*tи для коротких импульсов.
|
Фактически есть теплоёмкости кристалла, корпуса и радиатора -
Последний раз редактировалось zoog; 07.12.2019 в 09:00.
|
|
|
|
07.12.2019, 09:31
|
#27
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,010
Сказал спасибо: 793
Сказали Спасибо 4,003 раз(а) в 2,854 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Вот этот первый конденсатор тепловой эквивалентной схемы и определяет Эту энергию. При очень коротких процессах напряжение на нём (равное температуре кристалла) и определяет пойдут разрушения или нет. Остальные конденсаторы просто не успеют изменить своё состояние. Можно из этой эквивалентной схемы подсчитать энергию разрушения при сверхкоротких импульсах ~100 нс.
|
|
|
|
07.12.2019, 10:40
|
#28
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,010
Сказал спасибо: 793
Сказали Спасибо 4,003 раз(а) в 2,854 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Сообщение от zoog
|
А автосмещение никак было? Ибо подкручивать доли мВ (для крутизны в 20А/В и точности ТП 10%) - как-то собвсем анально. И это при разбросе порогового в 2В...
|
Мне не понятно ваше предложение относительно моей схемы. Особенности моей схемы это используются два n-канальных транзистора с трансформаторным управлением (полумостовая схема). Какое ещё автосмещение? Питание 140 В.
|
|
|
|
07.12.2019, 11:13
|
#29
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 12.02.2013
Сообщений: 1,044
Сказал спасибо: 43
Сказали Спасибо 273 раз(а) в 214 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Еще раз доброе утро всем.
Проблему поборол - главная засада была с транзисторами - IRL. L- что значит управляется логичнским уровнем (в даташите про это ни слова) У IRL транзисторов очень резко открывается переход (чтобы слабыми уровнями с логических схем их можно было коммутировать) У IRF серии все гораздо плавнее. Да, IRL у меня сгорели из за своей быстрооткрываемости.
Транзисторы у меня работают в истоковом повторителе (в истоки включен трансформатор). Стабилизации по постоянному току рабочей точки (если этот термин уместен для MOSFET ов) не было. Для IRF такая схема работала, хотя при нагреве ток покоя через транзистор увеличивался но без последствий.
Для IRL я сегодня просто добавил последовательно с трансформатором в цепь истока резистор 0.2ома (ООС по току) - это радикально изменило ситуацию. В режиме, котором вчера у меня сгорел транзистор, сегодня он работает (экспериментирую только на одном плече чтобы не жечь пару если что).
Так что главная беда была в резком открывании транзисторов IRL серии. Там, где IRF работали, IRL быстро уходили в опасную зону и досвидос.
Последний раз редактировалось dgrishin; 07.12.2019 в 11:28.
|
|
|
|
07.12.2019, 11:20
|
#30
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 12.02.2013
Сообщений: 1,044
Сказал спасибо: 43
Сказали Спасибо 273 раз(а) в 214 сообщении(ях)
|
Re: максимально допустимый ток через MOSFET
Вот так оно работает (хотя при нагреве ток покоя на транзисторе увеличивается с сотни мА до 1А - без резистора он бы вырос очень сильно и транзистор бы сгорел)
Последний раз редактировалось dgrishin; 07.12.2019 в 11:23.
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 01:42.
|
|