Китайские мосфеты

[zoog]

достаточно какойто слой на кристалле выполнить на скорую руку в целях экономиии - вот и усё, карачун

Какой слой? Это _часть_ транзистора, такая же, как переходы в биполярном. Путаете с биполярами, где диод отдельно формировался, что ли? Паразит - это тоже сосем другое...

[zoog]

Я не очень хорошо разбираюсь в техпроцессах, могу ошибаться - но если вы умные, поправляйте по теме, а то кажется, что вы ещё меньше меня понимаете. Извините, если был невежлив, но уже достало это - что за комментарий "гы-гы" от спеца? Так любое быдло сможет, где же отличия?

[victorhan]

что за комментарий "гы-гы" от спеца?

Так "специалист" показывает свое преимущество, часто-надуманное.

[genao]

Какой слой? Это _часть_ транзистора, такая же, как переходы в биполярном....Паразит - это тоже сосем другое...

но речь вел

угу. достаточно какойто слой на кристалле выполнить на скорую руку в целях экономиии - вот и усё, карачун

про облучаемый/легируемый слой

Внутренний диод на подложке (Intrinsic body diode). Переход p-n между подложкой и стоком формирует внутренний диод, так называемый body diode, или паразитный диод. Обратный ток стока не может быть блокирован, потому что подложка замкнута на исток, предоставляя мощный путь для тока через body diode.

Для управления временем жизни неосновных носителей во внутреннем диоде применяется либо облучение электронами (наиболее часто используемый вариант) или легирование платиной, что значительно уменьшает заряд обратно смещенного перехода и время восстановления.

[mike-y-k]

По технологии изготовления - это совсем не профиль форума, в сети достаточно статей по теме. Стоит почитать для понимания сути происходящего.
А дальше уже старый добрый Георг Ом - сечения проводников никто не отменял.

Уважаемый genao начал процесс ликбеза, но это таки лучше самому сделать - "технологии производства полупроводниковых приборов" в поиске помогут. Там много, но не сложно для понимания…

Относительно "гы" - так это нормальная реакция на вопросы по секрету полишинеля.

[zoog]

genao, то есть, как я и писал - диод в подделках может быть медленнее, но не слаботочнее. Это нужно смотреть на сам мосфет - если он не простой, а с повышенным быстродействем, быстрым обратным диодом или радиочастотный, то в теории может быть подмена на прибор предыдущего поколения, более дубовый. На практике же такого афаик не случается - все подделки - это замена кристалла на в 5..20 раз менее мощный. Тем более наш случай - прибор общего применения.
Спасибо, теперь я зато понял, что мог иметь в виду индюк.

процесс ликбеза, но это таки лучше самому сделать

Я этим каждые пару лет занимаюсь, читаю, но потом без практики почти всё забывается)

[jump]

"специалист" показывает свое преимущество, часто-надуманное

зато ты специалист по пистежу - естественно
во всех сборниках аппнотов производителей, в талмудах и библиях по технологии пр-ва мосфет это разжевано, но кто-то

каждые пару лет занимаюсь, читаю, но потом без практики почти всё забывается

Так любое быдло сможет

вот-вот, зачем мне метать бисер перед...

диод в подделках может быть медленнее, но не слаботочнее

а посмотреть хоть пяток-десяток ДШ на мосфеты разных производителей/поколений/мощности не судьба?

[zoog]

jump, ты зачем такой злой? как akegor.. Поругаться зашёл, сказать, что все вокруг плохие, глупые, - очень умный поступок..
Даташитов я видел десятки, везде ток диода равен току транзистора.

[jump]

зачем такой злой? Поругаться зашёл, сказать, что все вокруг плохие, глупые

да, меня злит глупость, когда по забывчивости или упертому непониманию доказывают, что чудом возникший "хрен на бугре" (читай - паразитный диод) является полноценным элементом. борьба по удалению хрена ведется, но там много сложностей, да, еще - по образованию технолог именно этих самых проводников/2, но давно уже нет того завода

[zoog]

паразитный диод) является полноценным элементом.

Вы не поняли, что я писал - диод является частью структуры, если его запороть при изготовлении - то и сам транзистор запорется. Его "полноценность" мне вообще не понятна, к чему это?