Информация по радиокомпонентам Не можете опознать электронный компонент по маркировке на его корпусе? "Опознание" компонентов, техническая документация... |
10.10.2024, 16:00
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,134
Сказал спасибо: 2,816
Сказали Спасибо 2,738 раз(а) в 2,027 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Сообщение от zoog
|
Почему Вы, к примеру, крутизну не сравниваете?
|
FDS8447 и AO4480 имеют сравнимую крутизну. Сравнимые емкости, измеренные при одинаковых условиях (у первого крутизна больше, и больше емкости - что мне представляется логичным. Но разница в заряде - кмк неадекватна).
У остальных - крутизна намного меньше, емкости тоже меньше (что кмк логичным) - но при этом AO4480 для управления производитель почему-то насчитал требуемого заряда меньше...
|
|
|
|
10.10.2024, 16:51
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Сообщение от Yuri222
|
FDS8447 и AO4480 имеют сравнимую крутизну.
|
Я про то, что этот параметр нам в принципе по фигу)
Сообщение от Yuri222
|
Сравнимые емкости, измеренные при одинаковых условиях (у первого крутизна больше, и больше емкости - что мне представляется логичным. Но разница в заряде - кмк неадекватна).
|
Эт потому, шо Вы прододжаете верить, что Q==C*U)
Возможно, ошибка действительно есть, но сказать это обоснованно может только технолог, а Вы / мы не знаем даже поколений этих приборов, я в частности ни для 1го поколения не знаю связей Rdson, Qg, Сi/o/r, Uds...
Сообщение от Yuri222
|
но при этом AO4480 для управления производитель почему-то насчитал требуемого заряда меньше...
|
Транзистор под рукой?
Сообщение от Ш. Холмс
|
Ну, давайте вместе пересчитаем...
|
, это нетрудно)
|
|
|
|
10.10.2024, 20:58
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 20.03.2007
Адрес: "Братское кольцо враждебности", т.е. ближайшее заМКАДье.
Сообщений: 7,055
Сказал спасибо: 3,049
Сказали Спасибо 3,213 раз(а) в 2,183 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Зачем веририть, если это так?
Кабы Вы написали, что C(∆U) ≠ const или ∆U может быть другим относительно DS.
__________________
Экзорцист 40-го уровня.
|
|
|
|
11.10.2024, 02:22
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Сообщение от ForcePoint
|
Зачем веририть, если это так?
|
Кабы так... ёмкость - малосигнальный (дифференциальный параметр), путать его с макро-величиной - грубая ошибка уровня средних классов нач. школы.
|
|
|
|
11.10.2024, 11:13
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,134
Сказал спасибо: 2,816
Сказали Спасибо 2,738 раз(а) в 2,027 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Сообщение от zoog
|
Транзистор под рукой?
|
транзисторы жду.
Копаться с ними изменять - честно говоря, нет желания никакого.
У FDS8447 (докам которого не доверять нет оснований) и AO4480 - сходные исходные параметры - емкости и крутизна.
Кмк - при одинаковых технологиях с ростом крутизны транзистора должны расти и емкости.
Ну да ладно, придут все комплектующие, соберу макет - и опытным путем посмотрю их в работе.
|
|
|
|
11.10.2024, 14:20
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Сообщение от Yuri222
|
при одинаковых технологиях
|
А я о чём писал раза 3 тут?..
Последний раз редактировалось zoog; 11.10.2024 в 14:33.
|
|
|
|
11.10.2024, 14:43
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,134
Сказал спасибо: 2,816
Сказали Спасибо 2,738 раз(а) в 2,027 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
zoog, на технологии (обычно - самые верхние строки даташита, и то далеко не всегда даже у брендов) я сразу же посмотрел, как только усомнился в цифрах.
Беда в том, что они передирают технологии друг у друга, но обзывают по-разному. Тут уж поди, догадайся - насколько они идентичны.
только по косвенным признакам. И то, если близкие технологии дают разницу в параметрах 10-20% - то тут уж хз.
Ну и та же "trench technology" - у кого-то она уже какого-то поколения, а у других - без указания этой информации. Или с какими-то добавками - типа "наша супер-пупер передовая фирменная"...
Цитата:
|
ёмкость - малосигнальный (дифференциальный параметр), путать его
|
по графикам можно прикинуть и аппроксимировать, разделив на несколько участков.
Та же вх. емкость - при около 0В - резко растет, можно пару вольт выделить в один участок, усреднив емкость , а потом еще участков прикинуть - в зависимости от монотонности изменения этой емкости. Как-то так, полагаю...
|
|
|
|
11.10.2024, 15:18
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Сообщение от Yuri222
|
технологии (обычно - самые верхние строки даташита, и то далеко не всегда даже у брендов
|
и которые не указаны в нужных ДШ) Только у UMW, которые даже не являются оригинальным производителем AO4480)
Сообщение от Yuri222
|
Беда в том, что они передирают технологии друг у друга, но обзывают по-разному. Тут уж поди, догадайся - насколько они идентичны.
|
Ну, хорошие люди знают соответствие. Беда в том, что техпроцессы (и параметры изделий) соответствуют не полностью.
Сообщение от Yuri222
|
по графикам можно прикинуть и аппроксимировать, разделив на несколько участков.
|
Последний раз редактировалось mike-y-k; 11.10.2024 в 21:13.
|
|
|
|
11.10.2024, 20:55
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,054
Сказал спасибо: 807
Сказали Спасибо 4,037 раз(а) в 2,879 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
Yuri222,
с даташитами нужно быть осторожными. Я намучился с одним из транзисторов логиклевел. Я разрабатывал преобразователь с питанием от литиевого аккумулятора. По расчёту должна была работать схема от 3 Вольт, а работала от 3.9 В. В даташит было указано пороговое напряжение не более 2.4 В, а по факту работала как с порогом 3.3 В! И вот думай, не китайская ли это подделка? Хотя сопротивление транзистора нормировалось при 4.5 В. А мне надо было хотя бы от 3.2 В. Меня держали габариты. Пришлось делать составной транзистор из полевого транзистора с низким порогом и биполярным, а также использовать диоды Шоттки.
Вот и расчитывай на Datasheet!
|
|
|
Сказали "Спасибо" bordodynov
|
|
|
11.10.2024, 21:11
|
|
Модератор
Регистрация: 04.08.2010
Адрес: Москва СЗАО
Сообщений: 11,258
Сказал спасибо: 11,170
Сказали Спасибо 3,859 раз(а) в 2,929 сообщении(ях)
|
Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов
zoog, замечания на Вас не действуют, посему пока на месяц изучать правила форума и сходить к профильному специалисту на тему своих ментальных проблем.
__________________
rtfm forever должно быть основой для каждого. Альтернатива грустна, поскольку метод слепого щенка успешно работает при весьма малом числе вариантов…
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 21:52.
|
|