Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Помощь проекту

Информация по радиокомпонентам Не можете опознать электронный компонент по маркировке на его корпусе? "Опознание" компонентов, техническая документация...

 
Опции темы
Непрочитано 10.10.2024, 16:00  
Yuri222
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,134
Сказал спасибо: 2,816
Сказали Спасибо 2,738 раз(а) в 2,027 сообщении(ях)
Yuri222 на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Сообщение от zoog Посмотреть сообщение
Почему Вы, к примеру, крутизну не сравниваете?
FDS8447 и AO4480 имеют сравнимую крутизну. Сравнимые емкости, измеренные при одинаковых условиях (у первого крутизна больше, и больше емкости - что мне представляется логичным. Но разница в заряде - кмк неадекватна).
У остальных - крутизна намного меньше, емкости тоже меньше (что кмк логичным) - но при этом AO4480 для управления производитель почему-то насчитал требуемого заряда меньше...
Реклама:
Yuri222 вне форума  
Непрочитано 10.10.2024, 16:51  
zoog
Заблокирован
 
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
zoog на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Сообщение от Yuri222 Посмотреть сообщение
FDS8447 и AO4480 имеют сравнимую крутизну.
Я про то, что этот параметр нам в принципе по фигу)

Сообщение от Yuri222 Посмотреть сообщение
Сравнимые емкости, измеренные при одинаковых условиях (у первого крутизна больше, и больше емкости - что мне представляется логичным. Но разница в заряде - кмк неадекватна).
Эт потому, шо Вы прододжаете верить, что Q==C*U)
Возможно, ошибка действительно есть, но сказать это обоснованно может только технолог, а Вы / мы не знаем даже поколений этих приборов, я в частности ни для 1го поколения не знаю связей Rdson, Qg, Сi/o/r, Uds...


Сообщение от Yuri222 Посмотреть сообщение
но при этом AO4480 для управления производитель почему-то насчитал требуемого заряда меньше...
Транзистор под рукой?
Сообщение от Ш. Холмс
Ну, давайте вместе пересчитаем...
, это нетрудно)
zoog вне форума  
Непрочитано 10.10.2024, 20:58  
ForcePoint
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 20.03.2007
Адрес: "Братское кольцо враждебности", т.е. ближайшее заМКАДье.
Сообщений: 7,055
Сказал спасибо: 3,049
Сказали Спасибо 3,213 раз(а) в 2,183 сообщении(ях)
ForcePoint на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Зачем веририть, если это так?
Кабы Вы написали, что C(∆U) ≠ const или ∆U может быть другим относительно DS.
__________________
Экзорцист 40-го уровня.
ForcePoint вне форума  
Непрочитано 11.10.2024, 02:22  
zoog
Заблокирован
 
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
zoog на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Сообщение от ForcePoint Посмотреть сообщение
Зачем веририть, если это так?
Кабы так... ёмкость - малосигнальный (дифференциальный параметр), путать его с макро-величиной - грубая ошибка уровня средних классов нач. школы.
zoog вне форума  
Непрочитано 11.10.2024, 11:13  
Yuri222
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,134
Сказал спасибо: 2,816
Сказали Спасибо 2,738 раз(а) в 2,027 сообщении(ях)
Yuri222 на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Сообщение от zoog Посмотреть сообщение
Транзистор под рукой?
транзисторы жду.
Копаться с ними изменять - честно говоря, нет желания никакого.
У FDS8447 (докам которого не доверять нет оснований) и AO4480 - сходные исходные параметры - емкости и крутизна.
Кмк - при одинаковых технологиях с ростом крутизны транзистора должны расти и емкости.

Ну да ладно, придут все комплектующие, соберу макет - и опытным путем посмотрю их в работе.
Yuri222 вне форума  
Непрочитано 11.10.2024, 14:20  
zoog
Заблокирован
 
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
zoog на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Сообщение от Yuri222 Посмотреть сообщение
при одинаковых технологиях
А я о чём писал раза 3 тут?..

Последний раз редактировалось zoog; 11.10.2024 в 14:33.
zoog вне форума  
Непрочитано 11.10.2024, 14:43  
Yuri222
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,134
Сказал спасибо: 2,816
Сказали Спасибо 2,738 раз(а) в 2,027 сообщении(ях)
Yuri222 на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

zoog, на технологии (обычно - самые верхние строки даташита, и то далеко не всегда даже у брендов) я сразу же посмотрел, как только усомнился в цифрах.
Беда в том, что они передирают технологии друг у друга, но обзывают по-разному. Тут уж поди, догадайся - насколько они идентичны.
только по косвенным признакам. И то, если близкие технологии дают разницу в параметрах 10-20% - то тут уж хз.

Ну и та же "trench technology" - у кого-то она уже какого-то поколения, а у других - без указания этой информации. Или с какими-то добавками - типа "наша супер-пупер передовая фирменная"...

Цитата:
ёмкость - малосигнальный (дифференциальный параметр), путать его
по графикам можно прикинуть и аппроксимировать, разделив на несколько участков.
Та же вх. емкость - при около 0В - резко растет, можно пару вольт выделить в один участок, усреднив емкость , а потом еще участков прикинуть - в зависимости от монотонности изменения этой емкости. Как-то так, полагаю...
Yuri222 вне форума  
Непрочитано 11.10.2024, 15:18  
zoog
Заблокирован
 
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
zoog на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Сообщение от Yuri222 Посмотреть сообщение
технологии (обычно - самые верхние строки даташита, и то далеко не всегда даже у брендов
и которые не указаны в нужных ДШ) Только у UMW, которые даже не являются оригинальным производителем AO4480)

Сообщение от Yuri222 Посмотреть сообщение
Беда в том, что они передирают технологии друг у друга, но обзывают по-разному. Тут уж поди, догадайся - насколько они идентичны.
Ну, хорошие люди знают соответствие. Беда в том, что техпроцессы (и параметры изделий) соответствуют не полностью.

Сообщение от Yuri222 Посмотреть сообщение
по графикам можно прикинуть и аппроксимировать, разделив на несколько участков.

Последний раз редактировалось mike-y-k; 11.10.2024 в 21:13.
zoog вне форума  
Непрочитано 11.10.2024, 20:55  
bordodynov
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,054
Сказал спасибо: 807
Сказали Спасибо 4,037 раз(а) в 2,879 сообщении(ях)
bordodynov на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

Yuri222,
с даташитами нужно быть осторожными. Я намучился с одним из транзисторов логиклевел. Я разрабатывал преобразователь с питанием от литиевого аккумулятора. По расчёту должна была работать схема от 3 Вольт, а работала от 3.9 В. В даташит было указано пороговое напряжение не более 2.4 В, а по факту работала как с порогом 3.3 В! И вот думай, не китайская ли это подделка? Хотя сопротивление транзистора нормировалось при 4.5 В. А мне надо было хотя бы от 3.2 В. Меня держали габариты. Пришлось делать составной транзистор из полевого транзистора с низким порогом и биполярным, а также использовать диоды Шоттки.
Вот и расчитывай на Datasheet!
bordodynov вне форума  
Сказали "Спасибо" bordodynov
Yuri222 (11.10.2024)
Непрочитано 11.10.2024, 21:11  
mike-y-k
Модератор
 
Регистрация: 04.08.2010
Адрес: Москва СЗАО
Сообщений: 11,258
Сказал спасибо: 11,170
Сказали Спасибо 3,859 раз(а) в 2,929 сообщении(ях)
mike-y-k на пути к лучшему
По умолчанию Re: Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

zoog, замечания на Вас не действуют, посему пока на месяц изучать правила форума и сходить к профильному специалисту на тему своих ментальных проблем.
__________________
rtfm forever должно быть основой для каждого. Альтернатива грустна, поскольку метод слепого щенка успешно работает при весьма малом числе вариантов…
mike-y-k вне форума  
 

Закладки
Опции темы

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход

Похожие темы
Тема Автор Раздел Ответов Последнее сообщение
FAQ (ЧаВО) по PROTEUS для начинающих и не только dosikus Proteus 221 07.03.2024 22:45
Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT sat_art Измерительное оборудование 36 25.12.2023 15:36
Protected MOSFET на россыпи serg28serg Электроника - это просто 29 20.10.2022 20:59
Драйверы управления силовых транзисторов и силовых ключей по низким ценам Mike121234 Барахолка электронных компонентов 0 15.09.2020 20:14
Подобрать замену транзистору IRLML2803 Electric75 Делимся опытом 12 24.12.2010 00:16


Часовой пояс GMT +4, время: 21:52.


Powered by vBulletin® Version 3.8.4
Copyright ©2000 - 2024, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot