Вылетает транзистор в импульсном БП. Почему?

[-vitalik-]

17мкс и 0.58мГн-что тогда вы хотели.посчитайте ток в
импульсе для 1 обмотки и все будет ясно.
310*10*1Е-6/(580*10Е-6)=5Ампер.
или перегрев транзистора током или высоковольтный пробой.
и способ регулирования по 1 выводу неудачный.

Можно формулу полностью?
Да и микросхема по идее отслеживает ток и должна закрыть транзистор уже при 3 А
И как удачнее регулировать? Подавать Uref на вход компаратора?

[locik_1]

если допустить что изменение тока линейно во времени
то изменение его равно
дельтаI=U*T/L
U-напряжение приложенное к обмотке
T-длительность во времени приложенного напряжения
(длительность импульса)
L-индуктивность обмотки.
для вашей схемы
U=310
T=10мкс(примерно половина периода)и это не худший
случай.коэффициент заполнения может быть и больше
для этой микросхемы.
L=580мкГн
конечно ток ограничивается токозадающим резистором,
но и 3 ампера многовато.
в схеме из даташита вообще нет оптронов.
конечно стабильность похуже,но вы используете в
квартире,поэтому температура примерно постоянна,
нагрузка тоже.для улучшения стабилизации по входному
напряжению соедините через резистор 10 Мегаом(может
больше) + источника питания и вывод 2 микросхемы.
тогда изменение Uвх будет непосредственно изменять
длительность импульса.величину этого резистора надо
подобрать экспериментально.лучше начать с большого.
вызывают сомнения величины R2,C3.C3 маловат,R2 слишком
большой.С3 не будет успевать разряжаться.
и для такой маленькой индуктивности желательно увеличить
частоту в 5 раз.
посмотрите в исправном длительность импульса и период.