Параллельное включение MOSFET - Страница 3

DSerge · 02.03.2015, 00:15

Спасибо всем.
Буду делать с отдельным каналом для каждого MOSFET (4) или 2 канала с более мощными.

DSerge · 23.05.2015, 23:54

В продолжение темы.
Сделал эквивалент нагрузки с 4-мя каналами регулирования (ток до 20А, мощность 250-300Вт).Стабильность хорошая, нагрузка равномерная на каждый канал. Вот рабочая схема.

индюк · 24.05.2015, 00:10

Сообщение от DSerge

Сделал эквивалент нагрузки с 4-мя каналами регулирования

ну и дурень)))
в каждом мосфете и так тысяча маленьких полевиков!!! поэтому их все надо просто в один соединить и всё!!
кстати если открыть даташит то там видно что включаются они все неравномерно даже внутри кристалла. поэтому вобщем то обычно полевики используют только в ключевом режиме когда 100% полевичков внутри включены
а так просто каждый полевичок в кристалле нагревается если раньше включился и так они внутри самобаллансируются и точно так же соединенные вместе они в схеме сбалансируются
точно так же мог бы взять полевики по 0,1 амперу и сделать 50 таких схем - бесполезность точно такая же

johanh · 24.05.2015, 11:00

Сообщение от индюк

поэтому их все надо просто в один соединить и всё!!

Не спеши ...
Транзисторы в разных корпусах.
Для обеспечения эффекта саморегулирования необходимо обеспечить
максимально возможный тепловой контакт ...
Схема правильна и рабочая.
...................
И самобалансировка там не нужна.
Каждый канал даст то что ему положено.
Без перегрузки.

ForcePoint · 24.05.2015, 14:27

Сообщение от индюк

а так просто каждый полевичок в кристалле нагревается если раньше включился и так они внутри самобаллансируются

Для современных транзисторов это может быть не так. Вот у Леодина Иваныча - несколько другое мнение насчёт MOSFET'a в линейном режиме: http://leoniv.livejournal.com/228001.html

johanh · 24.05.2015, 21:11

Электронные нагрузки промышленного изготовления ...
http://wcg14.org/blog/print:page,1,3...tovleniya.html

laser532 · 25.05.2015, 00:41

Лучше применять полевики, оптимизированные под линейный режим (у APT были неплохие), а из более доступных хорошо работают "тупые" старые высоковольтные с большим кристаллом. С логическим уровнем существенно хуже. В любом случае выбрать так чтобы не выйти за ОБР и добавить один "лишний" полевик. Хороший радиатор с максимально идентичными условиями теплоотвода. Я параллелю в ключевом режиме, но ток настолько большой, что любой перекос и все горит. Сидят на притертой меди 2 - 2,5 мм с трубкой водоохлаждения прямо под кристаллами (проекция, конечно). Смещение трубки по меди влияет катастрофически. Паяю трубку серебряно-цинковым припоем. На самом деле все мерилось в свое время, сейчас просто делюсь фактами. Корпуса TO247. TO220 - не годятся. Паста самодельная из аморфного серебра и ПМС средней вязкости. Винты из нержавейки с внутренним шестигранником с обязательной толстой шайбой и пружинной шайбой (гровер) со строны меди, а сверху на все корпуса толстая прижимная пластина.
Скоро должны появится SiC полевики с J-FET зоной, способные прекращать ток в 3000А - на один кристалл и напряжением до 3000В, оно нам не нужно, но будут интересные мелкие зверьки. Японцы уже запустили электровоз на таком мостике.
Извините, что без матов!

Unknown · 25.05.2015, 17:46

Если нагрузка предназначена для постоянного напряжения, изменяющегося не более, чем в 2..5 кратном диапазоне, то возможен еще один вариант реализации: импульсный преобразователь (стабилизатор) с резистивной нагрузкой (лампа, спираль из нихрома и т.п.). Достоинства - в некоторых случаях проще охлаждать, т.к. резистивная нагрузка может нагреваться до бОльшей температуры и, соответственно, может занимать меньше места.
А МОСФЕТ работает в привычном ему ключевом режиме, рассеивая лишь небольшой процент общей мощности.
Недостатки - сложность и переходная характеристика.