Как закрыть тиристор в цепи постоянного тока?

[Falconist]

То же самое, но с конкретными цифрами.

Ваш комментарий?..

-- Прилагается рисунок: --

[alexey-b]

Falconist
Да какие тут коментари. Ни в каких повторителях потенциал точки C не может на такую разницу отличаться от потенциала точки B. Спросите у кого угодно. Если входное сопротивление полевика не нагружает сопротивлене R5 до такой степенич, чтобы уменьшить потенциал деления "холостого хода" - (R5 Uп/R4+R5 = 51 х 12/51 + 4,3 = 11,06V), то сток должен передавать этот потенциал на R1 c незначительной потерей. У вас потенциал точки B получился в районе 11V.

[tauP10]

Ни в каких повторителях потенциал точки C не может на такую разницу отличаться от потенциала точки B. Спросите у кого угодно.

У Falconist-а на 10 странице в схеме потенциал затвора примерно на 4,5 Вольта выше потенциала истока при токе 1,5А ,
что совершенно естественно.
alexey-b, в истоковых повторителях на MOSFET потенциал затвора обычно на несколько вольт выше потенциала истока , обычно на 3...5 Вольт .

[soladko]

что-то вы везде начали "ошибаться", уважаемый. Мы с вами говорили о ЭМИтерном повторителе, и ИСТоковом повторителе. Спор был о том, может ли транзистор войти в насыщение в этом случае, так ваш окончательный ответ, может или нет?



Я по прежнему утверждаю, что даже если вы базу и колектор соедините и подключите к плюсу источника, а нагрузку к емиттеру, то транзистор будет на ГРАНИ!!!! активного режима, но не в режиме насыщения. Я за все время оговорился только в том, что в режиме насыщения оба перехода смещены в ПРЯМОМ!!! направлении, приношу свои извинения, писал одно-думал другое, но все остальные мои выкладки по прежнему имеют силу, так как писал я это основываясь на правильной формулировке режима насыщения.


Посмотрите сами на вашу вырезку из книги, там это тоже написано. Что вы на это скажете???? как вы в схеме с общим эмиттером собираетесь коллекторный переход сместить в прямом направлении!!!!???? ну как???? А о истоковом повторителе я вообще молчу, вашу схему промодулировал Фальконист, она не работает, на нагрузке 6 вольт, ибо полевик только при этом напряжении открываться начал, о чем я и говорил. Вторая схема нарисованая Фальконистом конечно работоспособна, ведь это схема с общим истоком, но ведь ВЫ рисовали ИСТОКОВЫЙ повторитель!!!! Или признайте свои ошибку, или не сьезжайте. Где даташит на силовой полевик с насыщением в полвольта?????



И при чем тут режим насыщения к вашему утверждению---приблизиться к 0,9 Uп-------???? В режиме насыщения мы имеем МИНИМАЛЬНОЕ падение напряжения между коллектором и эмиттером, в эмиттерном повторителе(общий коллектор) вы этого никогда не получите. Или вы это отрицаете?

[alexey-b]

tauP10
Я уже писал, что несколько отстал от современтной элементной базы, но, если верно то, что вы сообщили о MOSFET-ах, то это означает только то, что они не могут работать в повторителях, по крайней мере в схемах с низковольтным питанием.
Кроме того, я ведь решал задачу искючительно принципиально и, например, если сейчас существуют мощные полевики с n b или p структурами, то истоковый повторитель останется классическим именно повторителем.

[soladko]

Кстати, уважаемый, вы в курсе, что ваша последняя схема с дросселем неработоспособна? Работоспособность остальных схем тоже ставлю под сомнение, так как нет привязки номиналов резисторов возле транзистора, управляющего тиристором, к сопротивлению Rн. Самая последняя схема принципиально нерабочая, остальные(только некоторые, там ведь тоже были ошибки, вами же исправленые) в принципе при определенных условиях могут работать, но эти условия вы не оговариваете.

[soladko]

Прочитал последний пост Алекса-б, и вижу что мне он ничего не может возразить....

[soladko]

Если сильно извратиться, то можно и на мосфетах повторитель сделать. Вот только потенциал сигнала на выходе не сможет приблизиться к напряжению питания ближе чем на напряжение открытия полевого транзистора(в случае биполярного не сможет ближе, чем на напряжение емиттер-база), имеем низкий кпд, потому так не делается. Классический истоковый повторитель применять не выгодно.

[alexey-b]

soladko
Я не отвечаю вам потому что вы лишь даете "профессорские" указания типа: "учите матчасть", сами ничего не доказывая ни математическими, ни цитатными, ни эмпирическими способами - это ли не треп?

Без сомнения, даже настоящие академики на гесте будут допускать некоторые неточности, опечатки и описки, т.к. тексты пишутся здесь экспромтом. Существенные неточности должны быть уточнены, но ведь вы говорите что я их исправлял сам.

Я нигде не говорил что схема с ОК имеет такой же коэффицент усиления по мощности как и схема с ОЭ и, соответственно, не говорил того, что КПД у первой больше чем у второй. Я лиши рассматривал чисто практический вариант непосредственного подключения нагрузки к общему проводу.

Моя последняя схема с дросселем чревычайно надежно работала и в сорокаградусные морозы и более чем в тридцатиградусную жару долгие годы и обладает изумительным по красоте и простоте схемотехническим решением, не принадлежащим моему авторству, хотя патентов и изобретений у меня достаточно.

[soladko]

Опровергните пожалуйста хотя бы то, что транзистор в схеме с общим коллектором не может войти в насыщение. Вы упрямый человек и не хотите даже слушать, когда вам указывают на ошибки.

Берем вашу схему, последнюю, согласны? после того как тиристор мы открыли, какой будет потенциал управляющего електрода? он будет близок к напряжению питания. Какой потенциал у коллектора? тоже очень близок, через дроссель ток не протекает. Тогда вопрос, после закрытия транзистора откуда возьмется выброс тока на управляющий електрод? Этот ток зависит от сопротивления нагрузки, в случае 4 Ом он должен быть большим(не могу сказать каким, так как не знаю параметров тиристора) но точно десятки миллиампер, если до закрытия транзистора этот ток не протекал(потенциалы почти равные на управляющем електроде и коллекторе) то откуда индуктивность его возьмет? Другое дело, где в первых схемах вы нагрузку подключали к плюсу, а дальше к тиристору....но опять же, вы там поставили дидод, препятствующий подаче обратного напряжения на управляющий електрод. Вы или забыли как вы это делали когда-то, или неверно нарисовали. Я теперь говорю обосновано? Тогда ваши комментарии, но ответьте на первый вопрос, хотя бы, я ведь даже ссылаюсь на ваш рисунок, который вы сами сюда выставили, где ясно написано когда транзистор работает в режиме насыщения.