максимально допустимый ток через MOSFET - Страница 13

Yuri222 · 20.12.2019, 11:34

Сообщение от parovoZZ

или взять обычный МОП и повесить внешний

Обычно встроенных стабилитронов два - чтобы ограничить как положительный, так и отрицательный потенциал на затворе в районе +-20В.
Если при прочих равных мосфет со встроенными стабилитронами дешевле или одинаково стоит - почему бы не применить его...

bordodynov · 20.12.2019, 12:33

Сообщение от parovoZZ

Спрошу здесь - есть смысл брать МОП транзистор со стабилитроном в затворе или взять обычный МОП и повесить внешний?

Второй способ даёт больше возможностей.

zoog · 20.12.2019, 20:17

Кто объяснит, как на затворе может появиться высокий потенциал в схеме обратнохода, к примеру? Обычно пишут - наводка со стока, но ведь при такой наводке транзистор откроется и загасит всё, что на стоке там.

parovoZZ · 20.12.2019, 23:07

А как-бы определиться с критериями выбора производителя мосфетов? Ну т.е. азиатские бренды держат марку или не стоит связываться?

zoog · 21.12.2019, 01:41

Сообщение от genao

Когда идет закрытие .....

При закрытии: то, что Вы нарисовали - это обычная параллельная ООС. (Всё равно, что сказать, что в каскаде с ОЭ с резистором с коллектора на базу ток через этот резистор будет полностью закрывать транзистор при открывании.)
Если при закрытии ток через Сgd вызовет приращение напряжения на затворе - то это приращение тут же уменьшит проводимость канала и соответственно скорость закрытия транзистора.
Прикинем: этот стабилитрон был бы актуален в схемах ZVS - когда на выключенный транзистор приходи фронт напряжения с резонансной цепи в нагрузке. Тогда действительно нарастание стокового напряжения происходит не из-за воздействия на вход, транзистор может открыться, и при достаточной мощности, приходящей с агрузки, может случиться так, что Ugs=20+В, транзистор открыт, а напряжение на стоке всё ещё велико - но я плохо себе такое представляю... тем более в резонансных схемах импульсы - резонансны/синусоидальны, т.е. имеют достаточно пологие фронты.

Сообщение от parovoZZ

Ну т.е. азиатские бренды держат марку или не стоит связываться?

Не стоит, самсунг/тсмц ваще неконкретные.

GTK31 · 21.12.2019, 10:08

Сообщение от parovoZZ

А как-бы определиться с критериями выбора производителя мосфетов? Ну т.е. азиатские бренды держат марку или не стоит связываться?

Зависит от того какие параметры для вас приоритетны.
Заказал как то на алиэкспрессе мосфеты типа irf. Пришли, проверил. Ну подделка оказалась само собой. Сопротивление канала и входная емкость отличаются, хотя сопротивление канала было достаточно малое. Попробовал поставить в схему защиты акб от переполюсовки. Оригинал работает, а эти сгорали. В этой известной схеме защиты возможен большой пиковый ток при срабатывании. Я использовал транзистор в корпусе d-pack. Значит комбинация поиска была помимо напряжения стока не менее 30в еще и минимальное сопротивление канала и высокое значение импульсного тока стока.
Понятно, что мне продали перемаркер. Заинтересовался и стал целенаправленно искать описания оригинальных китайских и тайваньских транзисторов- аналогов. В ходе сравнения с описанием irf выяснил, что пиковый импульсный ток Idm у irf выше чем у всех прочих производителей при сопоставимом сопротивлении канала. И у японских тошиба и у фуджи в том числе. Но справедливости ради надо сказать, что у st и fairchild этот параметр тоже пониже чем у транзисторов irf. Технология мофетов у всех производителй имеют отличия в общем.

zoog · 21.12.2019, 10:22

Сообщение от GTK31

В ходе сравнения с описанием irf выяснил, что пиковый импульсный ток Idm у irf выше

Этот ток никакого влияния не оказывает в схеме переполюсовки, ибо нормируется на микросекундных интервалах.

GTK31 · 21.12.2019, 10:31

zoog, в этой схеме происходит по сути разряд емкости на выходе ЗУ. Происходит это очень быстро. Разве что индуктивность проводов сдерживает скорость нарастания тока. Предельное значение тока определяется оммическим сопротивлением контура, а оно очень незначительно для автомобильных аккумуляторов. Не спорьте. Все давно обсчитано, смоделировано и проверено в реале.
Этот параметр, я считаю, характеризует стойкость транзистора к ударным токам. Приэтом у разных производителей может отличаться в 2-3 раза.

zoog · 21.12.2019, 10:43

Сообщение от GTK31

в этой схеме происходит по сути разряд емкости на выходе ЗУ. Происходит это очень быстро. Разве что индуктивность проводов сдерживает скорость нарастания тока. Предельное значение тока определяется оммическим сопротивлением контура, а оно очень незначительно для автомобильных аккумуляторов.

Можно конкретные приблизительные значения, раз всё измерено?

Сообщение от GTK31

Приэтом у разных производителей может отличаться в 2-3 раза.

И пример производителя, у которого Iк.имп/Iк в разы хуже чем у IRF, свп.

b_raven · 21.12.2019, 10:49

Сообщение от zoog

Кто объяснит, как на затворе может появиться высокий потенциал в схеме обратнохода, к примеру? Обычно пишут - наводка со стока, но ведь при такой наводке транзистор откроется и загасит всё, что на стоке там.

азбука мосфетов же
скорость включения может быть ниже скорости роста напряжения на затворе
в частности это возможно при отсутствии снаббера со стока на землю

Вы забываете учитывать ВСЕ параметры, отсюда и вопросы
а ведь всё очень несложно посчитать на бумажке