максимально допустимый ток через MOSFET

[GTK31]

В моей схеме предельный расчетный ток на уровне 270 ампер без учета индуктивности проводов.
Если у транзисторов irf с нужными мне характеристиками Idm не менее 300 ампер, то у прочих это значение на уровне 120-180 ампер.
Это легко можете сами проверить сравнив описание к примеру irlr7843 с одноклассниками irf и не irf.

[zoog]

азбука мосфетов же
скорость включения может быть ниже скорости роста напряжения на затворе

А попонятнее можно, что за скорости? dI(U)/dt?

В моей схеме предельный расчетный ток на уровне 270 ампер без учета индуктивности проводов.

То есть 12В, 44мОм? А конденсатор был какой? Вы учитываете, что на интервалах меньше мс внутреннее сопротивление батареи много больше?

[b_raven]

dI(U)/dt?

dU(t) на стоке и T_on мосфета
считается через соотношение емкостей затвор-исток и затвор-сток
на выходе имеем напряжение на затворе

напряжение на стоке может резко вырасти по разным причинам, их все надо учитывать в идеале
а так же учитывать схемотехнику и выходные характеристики драйвера, сопротивление антизвонного резистора в затворе, наличие резистора затвор-исток (иногда на нем экономят)

[zoog]

Это легко можете сами проверить сравнив описание к примеру irlr7843 с одноклассниками irf и не irf.

Посмотрел APT и FC - то же отношение, 4:1 или даже лучше.

[zoog]

dU(t) на стоке и T_on мосфета
считается через соотношение емкостей затвор-исток и затвор-сток
на выходе имеем напряжение на затворе

И как при этом

скорость включения может быть ниже скорости роста напряжения на затворе

??

наличие резистора затвор-исток

импульсные режимы к нему уж точно отношения не имеют.

[GTK31]

zoog, на выходе зу по максимуму 15,6в. На батарее пусть 12,6в.
На выходе моего зу (до мосфета) 2200 мкФ. Сопротивление шунта 25 мОм, шунт китайского показометра 10 мОм, транзистор 6 мОм, провода на уровне 18мОм. Сопротивление батареи пусть будет 80 мОм (Я правда тогда оценивал в 20 мОм). Набегает будь здоров.
Я сейчас вечерами занимаюсь импульсной долбилкой для десульфатации по прототипу с форума shyza.ru. Импульс тока 140 ампер вижу на осциллографе через трансформатор тока измеряя напряжение на сопротивлении 1ом. При этом напряжение на батарее прыгает до 24в. Частота импульсов 400 Гц. Длительность импульса около 5 миллисекунд. Нарастание с нуля до максимума тока примерно за 2,5 мкс. Процесс имеет колебательный затухающий характер - влияние индуктивности кабеля огромное. Длина жгута одной полярности всего 15 см при сечении 7,5 кв мм. Но в долбилке накопитель из баяна пленочных конденсаторов менее 10 мкФ, а в ЗУ повторюсь 2200 мкФ.

[GTK31]

Посмотрел APT и FC - то же отношение, 4:1 или даже лучше.

Давайте на конкретных примерах низковольтных и сильноточных мосфетах. Выбирайте образец не irf.

[b_raven]

И как при этом ??


импульсные режимы к нему уж точно отношения не имеют.

1) вот так при этом...
не поленитесь посчитать
по несколько раз обьяснять очевидное, как-то устаёт
еще раз на пальцах
если скорость заряда затвора импульсом через паразитную емкость стока окажется достаточно высокой, то время заряда затвора от значения Gate Threshold (когда мосфет начинает включаться) до U_пробоя затвора легко может быть меньше чем T_on, со всеми вытекающими.
T_on здесь это время включения мосфета, которое считается от момента достижения Uзатв. значения Gate Threshold

2) как раз импульсные режимы очень к чему, при хреновастых драйверах особенно. частный случай - рост напряжения питания в цепи стока и время выхода драйвера в рабочий режим
в этот момент драйвер может не подсаживать выход к земле а "плавать" в Z-состоянии, тогда скорость роста напряжения на стоке опять таки по вышеизложеному принципу приоткроет транзистор, что приведет к нежелательным последствиям, в худшем случае грохнет затвор.
Поэтому ставится данный резистор, такого номинала, чтобы при возможных скоростях паразитного роста напряжения затвора успевать его разряжать.

[zoog]

На выходе моего зу (до мосфета) 2200 мкФ. Сопротивление шунта 25 мОм, шунт китайского показометра 10 мОм, транзистор 6 мОм, провода на уровне 18мОм. Сопротивление батареи пусть будет 80 мОм (Я правда тогда оценивал в 20 мОм).

Забыли конденсатор - если не lowesr, 50мОм будет где-то. (15,6-12,3)/(50+25+10+6+1 = 27А. Что-то не сходится.

Давайте на конкретных примерах низковольтных и сильноточных мосфетах. Выбирайте образец не irf.

Выбирал с такими же токами, напряжениями, мощностями: ap90t03 - 800/200A, fdb8870 - 700/160A.

если скорость заряда затвора импульсом через паразитную емкость стока окажется достаточно высокой, то время заряда затвора от значения Gate Threshold (когда мосфет начинает включаться) до U_пробоя затвора легко может быть меньше чем T_on, со всеми вытекающими.

Это что за ситуация? Мосфет закрывается напряжением от драйвера? В таком случае если наведённое на затвор напряжение превысит Ugsth, открываюшийся транзистор замедлит нарастание напряжения на стоке. Так?

в этот момент драйвер может не подсаживать выход к земле а "плавать" в Z-состоянии, тогда

Нет. Импеданс затворных емкостей в субмикросекундных интервалах - десятки Ом, на их фоне единицы кОм не видны даже приборами. Только лишнее рассеивание тепла.

[GTK31]

Забыли конденсатор - если не lowesr, 50мОм будет где-то. (15,6-12,3)/(50+25+10+6+1 = 27А. Что-то не сходится.

Вы неправильно как то считаете. При переполюсовке напряжение складывается. У меня транзисторы сгорали всегда при переполюсовке, а не при КЗ. КЗ транзисторы спокойно выдерживали, даже китайские.
Обижаете электролит у меня LOW ESR с проверенным значением сопротивления нормальный заводским измерителем. Ну ладно пусть будет еще 20 мОм ESR.
Кстати Вы изначально писали что при переполюсовке таких токов не бывает.

Выбирал с такими же токами, напряжениями, мощностями: ap90t03 - 800/200A, fdb8870 - 700/160A.

Примеры хорошие, но едва едва дотягивают до транзисторо IRF даже тех что валяются в ЧИПеДИПе и некоторые выпускаются чуть ли не с 2000 годов.
ap90t03 - 350А на первой странице. а не 800 как вы написали.
fdb8870 - 640А по графику Fig.4.
Большинство же аналогов обладают гораздо более скромными значениями. Особенно китайские всякие Silan, Alpha&Omega и т.п. Японцы тоже недалеко от них ушли.
Примеры IRF из ассортимента ЧД (фильтр достаточно удобный): https://www.chipdip.ru/catalog/field...1=xke&x.31=Pqp