Питание на мелкосхеме NCP1400. Как увеличить мощность? - Страница 2

Falconist · 09.03.2010, 12:16

Ну почему "не директива"? Вполне уместная схема. Еще добавил бы нагрузочный резистор с выхода м/с (базы первого транзистора) на выходное напряжение. Тогда этот генератор тока "заткнется" намертво.

А база-эмиттерный резистор второго транзистора нужен, чтобы устранить влияние неуправляемого коллекторного тока первого (IMHO), как Вы и отметили.

ish0 · 09.03.2010, 12:33

Сообщение от Falconist

Ну почему "не директива"? Вполне уместная схема.

Ну, уместной она будет после поверки в железе.

Сообщение от Falconist

Еще добавил бы нагрузочный резистор с выхода м/с (базы первого транзистора) на выходное напряжение.

Наверное входное?

Falconist · 09.03.2010, 12:47

Нет, именно выходное! Для внутреннего ключа м/схемы повышенное напряжение как-то по барабану, а для генератора тока на U1 получится его качественно запирание обратным база-эмиттерным напряжением. В начале генерации этот резистор будет временно подтягивать базу к входному напряжению (поступающему на выход через выпрямительный диод).

ish0 · 09.03.2010, 14:23

А нужно ли, такое "качественное" запирание U1? Обычно запирание отрицательным напряжением применяют для рассасывания объемного заряда базы, т.е. при больших токах базы для ускореного запирания транзистора. В "нашем" случае, ток базы U1 не превышает 1-2 ma и для тр-ра 856 время запирания, подачей нуля на базу, не превысит пятидесяти-ста наносекунд. Целесообразность увеличения скорости переключения, нужно рассматривать в контексте определенных параметров диода, транзисторов, дросселя и конденсаторов, т.к. увеличение скорости переключения приведет к увеличению уровня помех.

Falconist · 09.03.2010, 14:31

Уважаемый ish0, так в схеме импульсного преобразователя помех - и так "выше крыши". Не думаю, что дополнительное запирающее напряжение на базе сколь-нибудь существенно их увеличит.

Просто я стараюсь заблаговременно предусмотреть все возможные "узкие места" в схеме, чтобы потом не париться, отчего параметры "поплыли" при, например, прогреве транзисторов. Будет, конечно, работать и так, как Вы нарисовали - я токмо попытался исключить видимые навскидку источники возможных проблем. Наверное, это осталось у меня еще с "эпохи" германиевых транзисторов, когде без запирающего базового напряжения возникали "чудеса".

ish0 · 09.03.2010, 15:12

Уважаемый Falconist, про себя не могу вспомнить, что приходилось использовать германий в ключевых схемах, так, что и опыта соответствующего нет. Увы.

Что же касается DC-DC преобразователей, то в них, на мой взгляд, лучше иметь КПД пониже, чем уровень помех повыше. Поэтому, за "сверхбыстрыми" ключами не гонюсь, а то еще снабберы придется ставить

Falconist · 09.03.2010, 15:25

Уважаемый ish0, думаю, что на первый случая информации для DK достаточно. Пусть попробует и так и эдак. А потом отпишется, что получилось. Будем по крайней мере знать, что из схемотехнических "бантиков" следует оставлять "в прошлом", а что не помешает брать с собой и "в будущее"...

Yurkin2007 · 09.03.2010, 16:14

Сообщение от ish0

Ну и мой второй вариант умощнения

Непонятно мне ... Когда на выходе LX напряжение = 0В, то на эммитере U1 имеем +0.6В относительно общего провода. Тогда на коллекторе U1 ( базе U2) будет 0.6-Uce sat = 0.4В, что явно недостаточно для насыщения U2.
Не лучше ли использовать p- n- канальные МОСФЕТы для U1, U2 ?

Falconist · 09.03.2010, 16:21

Уважаемый Yurkin2007, пусть ish0 поправит, если я ошибаюсь, но первый транзистор является генератором тока, задающим стабильный ток базы второго транзистора при нулевом выходном напряжении микросхемы. Потому ни в коллекторе, ни в базе U1 и нет токоограничительных резисторов, которые должны были бы быть, если бы он был включен как ключевой.

Такой вариант и я часто применяю с неизменным успехом.

ish0 · 09.03.2010, 17:02

Коллега Yurkin2007 похоже прав.

Резистор 300 ом в цепи базы необходим, т.к. обычно такое включение применяется в схемах с высоким выходным сопротивлением, а здесь доли ома.