Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
02.03.2015, 00:15
|
|
Прописка
Регистрация: 15.09.2008
Сообщений: 210
Сказал спасибо: 45
Сказали Спасибо 29 раз(а) в 24 сообщении(ях)
|
Re: Параллельное включение MOSFET
Спасибо всем.
Буду делать с отдельным каналом для каждого MOSFET (4) или 2 канала с более мощными.
|
|
|
|
23.05.2015, 23:54
|
|
Прописка
Регистрация: 15.09.2008
Сообщений: 210
Сказал спасибо: 45
Сказали Спасибо 29 раз(а) в 24 сообщении(ях)
|
Re: Параллельное включение MOSFET
В продолжение темы.
Сделал эквивалент нагрузки с 4-мя каналами регулирования (ток до 20А, мощность 250-300Вт).Стабильность хорошая, нагрузка равномерная на каждый канал. Вот рабочая схема.
|
|
|
|
24.05.2015, 00:10
|
|
Гуру портала
Регистрация: 17.07.2010
Адрес: мурмурляндия
Сообщений: 10,611
Сказал спасибо: 181
Сказали Спасибо 3,174 раз(а) в 2,054 сообщении(ях)
|
Re: Параллельное включение MOSFET
Сообщение от DSerge
|
Сделал эквивалент нагрузки с 4-мя каналами регулирования
|
ну и дурень)))
в каждом мосфете и так тысяча маленьких полевиков!!! поэтому их все надо просто в один соединить и всё!!
кстати если открыть даташит то там видно что включаются они все неравномерно даже внутри кристалла. поэтому вобщем то обычно полевики используют только в ключевом режиме когда 100% полевичков внутри включены
а так просто каждый полевичок в кристалле нагревается если раньше включился и так они внутри самобаллансируются и точно так же соединенные вместе они в схеме сбалансируются
точно так же мог бы взять полевики по 0,1 амперу и сделать 50 таких схем - бесполезность точно такая же
|
|
|
|
24.05.2015, 11:00
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 28.03.2006
Сообщений: 3,611
Сказал спасибо: 141
Сказали Спасибо 427 раз(а) в 377 сообщении(ях)
|
Re: Параллельное включение MOSFET
Сообщение от индюк
|
поэтому их все надо просто в один соединить и всё!!
|
Не спеши ...
Транзисторы в разных корпусах.
Для обеспечения эффекта саморегулирования необходимо обеспечить
максимально возможный тепловой контакт ...
Схема правильна и рабочая.
...................
И самобалансировка там не нужна.
Каждый канал даст то что ему положено.
Без перегрузки.
Последний раз редактировалось johanh; 24.05.2015 в 11:08.
|
|
|
|
24.05.2015, 21:11
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 28.03.2006
Сообщений: 3,611
Сказал спасибо: 141
Сказали Спасибо 427 раз(а) в 377 сообщении(ях)
|
Re: Параллельное включение MOSFET
|
|
|
|
25.05.2015, 00:41
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 14.03.2009
Сообщений: 1,601
Сказал спасибо: 1,068
Сказали Спасибо 1,560 раз(а) в 857 сообщении(ях)
|
Re: Параллельное включение MOSFET
Лучше применять полевики, оптимизированные под линейный режим (у APT были неплохие), а из более доступных хорошо работают "тупые" старые высоковольтные с большим кристаллом. С логическим уровнем существенно хуже. В любом случае выбрать так чтобы не выйти за ОБР и добавить один "лишний" полевик. Хороший радиатор с максимально идентичными условиями теплоотвода. Я параллелю в ключевом режиме, но ток настолько большой, что любой перекос и все горит. Сидят на притертой меди 2 - 2,5 мм с трубкой водоохлаждения прямо под кристаллами (проекция, конечно). Смещение трубки по меди влияет катастрофически. Паяю трубку серебряно-цинковым припоем. На самом деле все мерилось в свое время, сейчас просто делюсь фактами. Корпуса TO247. TO220 - не годятся. Паста самодельная из аморфного серебра и ПМС средней вязкости. Винты из нержавейки с внутренним шестигранником с обязательной толстой шайбой и пружинной шайбой (гровер) со строны меди, а сверху на все корпуса толстая прижимная пластина.
Скоро должны появится SiC полевики с J-FET зоной, способные прекращать ток в 3000А - на один кристалл и напряжением до 3000В, оно нам не нужно, но будут интересные мелкие зверьки. Японцы уже запустили электровоз на таком мостике.
Извините, что без матов!
|
|
|
Сказали "Спасибо" laser532
|
|
|
25.05.2015, 17:46
|
|
Прописка
Регистрация: 23.02.2005
Сообщений: 166
Сказал спасибо: 203
Сказали Спасибо 46 раз(а) в 27 сообщении(ях)
|
Re: Параллельное включение MOSFET
Если нагрузка предназначена для постоянного напряжения, изменяющегося не более, чем в 2..5 кратном диапазоне, то возможен еще один вариант реализации: импульсный преобразователь (стабилизатор) с резистивной нагрузкой (лампа, спираль из нихрома и т.п.). Достоинства - в некоторых случаях проще охлаждать, т.к. резистивная нагрузка может нагреваться до бОльшей температуры и, соответственно, может занимать меньше места.
А МОСФЕТ работает в привычном ему ключевом режиме, рассеивая лишь небольшой процент общей мощности.
Недостатки - сложность и переходная характеристика.
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 15:40.
|
|