Включение транзисторов для повышения пробивного напряжения

[bordodynov]

Высоковольтные полевые транзисторы имеют высокоомную дрейфовую область. эта область фактически представляет полевой транзистор с PN переходом. В результате максимальное напряжение на затворном диэлектрике существенно ниже напряжения на стоке.

[ForcePoint]

Самое смешное, что пробивное напряжение сток-затвор (исток болтается) больше пробивного Сток-исток.

Хм-м-м... С одной стороны (для DN2540) - Drain-to-source voltage (BVdsx) и Drain-to-gate voltage (BVdgx) действительно равны и составляют 400 Вольт. Но с другой стороны - BVdsx нормируется при Vgs = -5.0 V и Id = 100 μA (закрытый транзистор), а условия измерения BVdgx - не указаны.

При этом, например для IRF740, условие указано явно - наличие цепи исток-затвор:
Vdgr Drain-gate Voltage (Rgs = 20 kΩ) 400 V

Если на левой симуляции отключить оптрон (исток - висит), а затвор заземлить через резистор (например - 10 кОм). Но это, конечно, будет только симуляция...

[bordodynov]

По поводу IRF740, 20 кОм это максимальная величина. Затвор-сток имеет утечку и резистор уменьшает напряжение Затвор-исток (достаточно меньше порога). Хотя у транзистора есть ещё подпороговые токи. Мне не понятно зачем убирать оптрон. В левом оптроне я закоротил диод оптрона. В истоке транзистора только утечка биполярного транзистора.

[цифровик]

Вот такая схема на оптроне. Кстати чем еще оптронное управление идеальное кроме гальванической развязки. Светодиод оптрона управляется не напряжением а током.
Вы по управлению можете ставить любые напряжения при этом соблюдать макс. ток включения или делать чуть меньше. И формы сигналов не обязательно прямоугольник.
Кстати есть специальные полевые транзисторы которые управляются по затвору сигналом ТТЛ например. Есть ряд которые имеют высокие напряжения сток - исток и малый ток. И наоборот большой ток стока и малое напряжение. Естественно без гальванической развязки.
Так что выдумывать что то в этом плане это изобретать велосипед. Давно все сделано и работает на практике а не в учебниках.

[ForcePoint]

Высоковольтные полевые транзисторы имеют высокоомную дрейфовую область. эта область фактически представляет полевой транзистор с PN переходом.

Не без труда припоминаю такую картинку... Каким манускиптом освежить память?

В результате максимальное напряжение на затворном диэлектрике существенно ниже напряжения на стоке.

Но если исток M1 оборван, то никаких утечек нет и падение на J1 стремится к нулю?

В истоке транзистора только утечка биполярного транзистора [оптрона].

Утечка U1 создает достаточное падение на M1 и затвор-исток мало. Что будет если обрыв в истоке?

[spasatell]

Журнал Радио 1981 г. №10 — Страница 46

Журнал Радио 1982 г. №5 — Страница 62

в этом направлении по капай...

[цифровик]

Вот тут по ключам на мощных мосфетах. Справочник по полевым транзисторам с заменой отечественных - импортом.

http://chipinfo.pro/elements/transis...s_as_key.shtml

http://nauchebe.net/2014/03/klyuchi-...rokontrollere/