Диммер для ламп накаливания и асинхронный двигатель

[mike18]

Сообщение от mike18

Однако, чтобы быстро переключить силовой полевик напряжением его затвор заряжать-разряжать изрядным током приходится, даже драйверы специальные выпускают .

Рассматриваемые Вами режимы переходные, а не статические.

С уважением, Алексей.

Констатирую аналогично. Рассматриваемые Вами режимы статические, а не динамические.

[EVGENIY1962]

Та цитата,которую я привел относится ко всем типам полевых транзисторов.Если не верите возьмите любую книжку где описан принцип работы полевика с PN переходом.По поводу переключения я согласен с ALEX__A.
И еще по поводу PN полевиков не существует удобных и неудобных параметров.Если ваше утверждение было верно то существовал бы параметр типа статического коэффициента усиления по току.Кстати он измеряля бы миллиардами.

[mike18]

... По поводу переключения я согласен с ALEX__A.

Можно уточнить, в чём Вы не согласны со мной?

[EVGENIY1962]

Сообщение от ALEX__A

Сообщение от mike18 Однако, чтобы быстро переключить силовой полевик напряжением его затвор заряжать-разряжать изрядным током приходится, даже драйверы специальные выпускают . Рассматриваемые Вами режимы переходные, а не статические. С уважением, Алексей.

Констатирую аналогично. Рассматриваемые Вами режимы статические, а не динамические.

Вот этим.Проблема перезаряда внутренних емкостей и вольт-амперные характеристики транзистора это разные вещи.Если вам приходилось снимать статические х-ки транзистора на лабораторных работах вспомните учитывали ли вы влияние затворных емкостей транзистора.

[mike18]

Сообщение от mike18

Сообщение от ALEX__A Сообщение от mike18 Однако, чтобы быстро переключить силовой полевик напряжением его затвор заряжать-разряжать изрядным током приходится, даже драйверы специальные выпускают . Рассматриваемые Вами режимы переходные, а не статические. С уважением, Алексей. Констатирую аналогично. Рассматриваемые Вами режимы статические, а не динамические.

Вот этим.Проблема перезаряда внутренних емкостей и вольт-амперные характеристики транзистора это разные вещи.Если вам приходилось снимать статические х-ки транзистора на лабораторных работах вспомните учитывали ли вы влияние затворных емкостей транзистора.

Которым именно "Вот этим" ?
Первым - о "заряжать-разряжать", или вторым - о том, что рассматриваемые Алексеем режимы статические, а не динамические? Что до второго, то это я с ALEX__A просто раскланялся за своё вразумление : "ГУЛаг АрхипеЛаг - АрхипеЛаг ГУЛаг". Вы же с ним согласились? Кстати, уточняющий термин "статические режимы" появился здесь только после "заряжать-разряжать-приложить" . ВАХ транзистора и проблема "перезаряда" внутренних емкостей, конечно, разные вещи, но подскажите пожалуйста, как изменить напряжение на затворе силового ПТ минуя силовую токовую стадию заряда или разряда затвора и используя только токи утечки затвора? Медленно и печально? Опять же будем последовательны в не существовании плохих и хороших параметров ПТ. Мне чаще важнее именно динамические. И ещё - предельные, если уж говорить о силовых ПТ.
Извините если кого невольно обидел, не хотел.

С уважением Mike18.

[ALEX__A]

Та цитата,которую я привел относится ко всем типам полевых транзисторов.Если не верите возьмите любую книжку где описан принцип работы полевика с PN переходом.По поводу переключения я согласен с ALEX__A.
И еще по поводу PN полевиков не существует удобных и неудобных параметров.Если ваше утверждение было верно то существовал бы параметр типа статического коэффициента усиления по току.Кстати он измеряля бы миллиардами.

Важно понимать конструкцию транзистора. В рассматриваевом полевом транзисторе существует управляющий p-n - переход, с помощью которого изменяют ширину канала. А раз существует переход как таковой, то существует и ток через него. Поскольку мы имеем дело с обратносмещенным переходом, данный ток мал и им пренебрегают вводя описание с помощью напряжений. Но ток есть, и это обратный ток перехода, а не ток утечки затвора, это разные вещи.

При описании свойств полевого транзистора, Вы можете вводить любые характеристики. Главное, чтобы это описание было удобным для применения. Поэтому все характеристики полевого транзистора Вы можете построить относительно тока обратносмещенного pn-перехода. Более того, Вы сможете проводить по ним практические расчеты. Только оперировать придется несколько неудобными числами, но результат будет верным. Т.о. вопрос существования того или иного параметра решается относительно удобства его дальнейшего применения.

С уважением, Алексей.

[EVGENIY1962]

Глубокоуважаемый mike18 подсказывваю,чтобы изменить напряжение на затворе нужно просто покрутить ручку регулировки напряжения источника питания который подключен к выводам затвора и истока.Поверте этого будет вполне достаточно(посмотрите на методики снятия
х-к.ничего лучшего человечество не придумало)Емкость затвор-исток весьма велика(в любой реальной схеме о процессе зарда надо помнить),но эта емкость от источника питания зарядится за время существенно меньшее,чем время которое вы затратите на чтение этого текста.

Для Алексея.
При описании свойств полевого транзистора, Вы можете вводить любые характеристики. Главное, чтобы это описание было удобным для применения. Поэтому все характеристики полевого транзистора Вы можете построить относительно тока обратносмещенного pn-перехода. Более того, Вы сможете проводить по ним практические расчеты. Только оперировать придется несколько неудобными числами, но результат будет верным. Т.о. вопрос существования того или иного параметра решается относительно удобства его дальнейшего применения.
1 Ток утечки затвора нормируется(см любой справочник)
2Если поверить вашей гипотезе об управлении током затвора оком стока то получается .что полевой транзистор по своим усилительным свойствам превзойдет
любой прецизионный опер.
3.Вас не затруднит привести пример подобного расчета.
4.А не проще взять книжку и прочитать о полевом транзисторе?



Алексей

[ALEX__A]

1. Ток утечки затвора нормируется(см любой справочник)
2.Если поверить вашей гипотезе об управлении током затвора оком стока то получается .что полевой транзистор по своим усилительным свойствам превзойдет
любой прецизионный опер.
3.Вас не затруднит привести пример подобного расчета.
4.А не проще взять книжку и прочитать о полевом транзисторе?

1. В моих сообщениях речь идет от полевых транзисторах с управляющим pn переходом. Управление данным транзистором производится путем подачи обратного смещения на данный переход. Возникает ток обратносмещенного перехода.
В справочниках данный ток иногда называют током утечки лишь потому, что им пренебрегают, его не нормируют, а указывают справочно. Более того, обычно приводят его два значения, при двух значениях напряжения затвор-исток и они существенно различаются.

2. Я не выдвигаю гипотез. Я пытаюсь объяснить инвариантность описаний характеристик полевых транзисторов.

Давайте рассмотрим отдельно ВАХ управляющего перехода. Она эквивалентна ВАХ обыкновенного диода. Очевидно, что любому значению обратного напряжения, может быть сопоставлено значение обратного тока. В результате на семействе выходных ВАХ, вместо напряжения затвор исток будет фигурировать обратный ток перехода.

Усилительные свойства транзистора не изменятся. Пусть для описания управления транзистора мы будем использовать понятие обратного тока пн перехода. Можно ввести понятие статического коэф. усиления по току. Значение его будет велико. Собственно непонятно, почему это Вас настораживает?! В ОУ используют понятие коэф. усиления по напряжению. Очевидно, что это две разные характеристики, поэтому сравнение их невозможно.


В ОУ, если Вы захотите вычислить коэф. усиления по току, Вы также получите огромное значение, ведь входной ток ОУ чрезвычайно мал, и им также пренебрегают...

Вопрос в другом. Удобно ли будет использовать полученный параметр для расчета реальных схем, содержащих полевые транзисторы??? Или лучше ввести более удобное описание?!

3. Надеюсь приведенные выше примеры, без использования конкретных цифр, достаточны.


Прошу Вас понять, что в данном сообщении Я пытаюсь показать, что при описании полевого транзистора была выбрана система параметров, прежде всего удобная для использования.

С уважением, Алексей.

[mike18]

Глубокоуважаемый mike18 подсказывваю,чтобы изменить напряжение на затворе нужно просто покрутить ручку регулировки напряжения источника питания который подключен к выводам затвора и истока.Поверте этого будет вполне достаточно(посмотрите на методики снятия
х-к.ничего лучшего человечество не придумало)Емкость затвор-исток весьма велика(в любой реальной схеме о процессе зарда надо помнить),но эта емкость от источника питания зарядится за время существенно меньшее,чем время которое вы затратите на чтение этого текста.
Алексей

Спасибо за подсказку. Вы забыли вставить ранее приведённую цитату - зарядится "током утечки затвора", ведь никакого другого тока в цепи затвора быть не может? Если Вам люб и мил популярный учебник Х. и Х. "Искусство схемотехники" то не сочтите за труд посмотреть 5-е его издание 1998 г., где они предостерегают от поспешных выводов по применению ПТ, которые могут возникнуть, в том числе, из Вашей аргументации ссылкой на лабораторную работу по ВАХ ПТ (что-то вроде - провели и вперёд, конструировать!). Раздел 3.09 этого издания посвящён именно току затвора ПТ. Итак, цитирую, для затравки:
"3.09. Ток затвора ПТ
Мы уже говорили вначале, что ПТ вообще и МОП-транзисторы в особенности имеют практически нулевой ток затвора. ...
Разумеется, при пристальном рассмотрении мы увидим, что какой-то ток через затвор всё же течёт. Это важно знать, поскольку наивная модель с нулевым током гарантирует, что раньше или позже, но вы ошибётесь. ...
В большинстве случаев входной ток затвора пренебрежительно мал в сравнении с током базы биполярного транзистора. Есть, однако, ситуации, когда ПТ может фактически иметь более высокий ток! Рассмотрим ряд из них. ..." Вы уловили тенденцию? И так далее. Предметней - смотрите первоисточник. Чтобы далеко не ходить:
http://lord-n.narod.ru/download/book...ill.part1.djvu
Там же part2, part3 и part4.

P.S. Думаю, что не совсем корректно советовать ALEX__A читать книги:

4.А не проще взять книжку и прочитать о полевом транзисторе?

Судя по выверенности, широте и оперативности его ответов, ALEX__A книги не только читает, но и писать может.

С уважением, Mike18

[vasseff]

Пошло да поехало. Не много ли?
(проба русского языка иностранца)