Уважаемый Евгений.
В одном из предыдуших сообщений я исправил допущенную мною неточнность:
|
Сообщение от ALEX__A
|
Да, Вы правы.
Увеличение обратного напряжения, приводит к увеличению обратного тока через управляющий переход. Происходит уменьшение поперечного сечения канала. Что приводит к уменьшению тока стока. Безусловно предыдушее моё сообщение надо читать, - "ток в цепи нагрузочного сопротивления будет уменьшаеться".Это динамический режим работы транзистора!!! И коэф. передачи там используется динамический.
|
|
Сообщение от EVGENIY1962
|
|
Кроме того я привел вам цитату из "искусства схемотехники" об отсутствии влияния тока утечки затвора на ток стока для ВСЕХ типов полевых транзисторов.Вы считаете что авторы ошибались?
|
Мнение авторов ошибочно с точки зрения самого понятия тока утечки.
1. Если мы имеем дело с полевым транзистором управление которым происходит с помощью пн перехода, то здесь говорить о токе утечки нельзя, поскольку мы имеем дело с обратносмещенным пн переходом, где имеет место понятие обратный ток пн перехода, который зависит от обратного напряжения (см. ВАХ любого диода).
2. Если мы имеем дело с МОП транзистором, в этом случае мы действительно имеем дело с током утечки, поскольку конструкция затвора транзистора подобна конденсатору с диэлектриком из оксида кремния, вторая обклатка которого - исток. Вот тут действительно ток утечки, через диэлектрик. И строго говоря, этот ток зависит от приложенного к затвору напряжения, правда слабо, но всё же зависит. А так, как мы имеем дело с емкостью, её перезаряд (что само собой, разумеется, вызывает ток через область ЗИ) в динамическом режиме надо учитывать, о чем правильно заметил mike18.
|
Сообщение от EVGENIY1962
|
|
Если вам мало одной цитаты могу привести еще.
|
Дело в том, что в литературе практического характера, указанными выше явления считают малозначимыми и ими просто пренебрегают. Но физически они существуют.
|
Сообщение от EVGENIY1962
|
И кстати вы бы привели хоть одну ссылку
подтверждающую Iстока=К(К›0)*Iзатвора.Это ваше утверждение.
|
Таких формул в практической литературе вы не найдете. Поскольку они неудобны для описания и не имеют практического применения. Однако, зависимость обратного тока перехода от приложенного к нему напряжения, Вы можете найти в описании ВАХ диода, а зависимость тока утечки затвора для МОП транзистора, Вы можете найти, как это не странно звучит, в литературе где описываются физические явления, происходящие в тонкопленочных конденсаторах.
Теперь о зависимости тока стока от тока затвора.
Итак для транзистора существуют два коэффициента усиления по току т.е. отношение тока выхода к току входа - тока стока к обратному току пн перехода (затвора):
1.Статический - т.е. взятый в одной точке. Рассмотрим простой пример. У нас существует простой полевой транзистор с управляющим переходом. В его стоковую цепь включён резистор и все это подключено к источнику питания. Установим статический режим транзистора (путем изменения напряжения ЗИ) такой, чтобы ток стока равнялся, например 1А. Очевидно, что при этом ток затвора будет лежать в пределах микроампер. Т.о. коэф. усиления по току в статическом режиме - 1/10^-6 = 10^6. Вы согласны с таким положением?
2. Динамический - коэф. усиления характеризующий степень
изменения (увеличения или уменьшения)тока.
Расчетное соотношение было приведено ранее:
|
Сообщение от ALEX__A
|
|
Бетта дин. = (Iстока кон.-Iстока нач.)/(Iобр.кон - Iобр. нач.)
|
Рассмотрим тотже пример - только увеличим обратный ток затвора, путем увеличения обратного напряжения ЗИ так, чтобы ток через нагрузочное сопротивление упал до 0.5А, при этом обратный ток затвора увеличится до пусть десятков мкА.
Бетта дин. = (0,5А-1А)/(10мкА - 1мкА)= - 5.5*10^5.
Очевидно, что дин. КУС меньше статического, но больше единицы. Знак минус показывает инверсию сигнала на выходе (увеличение приводит к уменьшению).
С уважением, Алексей.
