максимально допустимый ток через MOSFET

[NewWriter]

Так вот, господин Всёзнайка-симуляторщик, а вы ж там написали про индуктивность ЗАТВОРА, не так ли? А тут начинаете рассказывать про индуктивность стока и истока, и потом за уши притягиваете индуктивность затвора. Ну а про ЁМКОСТЬ (ЗАРЯД) затвора мосфета вы когда-нибудь читали? Я уж не спрашиваю про эффект Миллера и про то, почему указывают именно заряд, а не ёмкость...
И скажите, вы держали в руках щупы осциллографа хоть когда-нибудь? Я уж не спрашиваю, держали ли вы в руках настоящие транзисторы )) Так вот возьмите в руки осциллограф и транзистор, и посмотрите.
За одним, узнаете разницу между мосфетом и биполярником. А то ваши

Столь категоричное утверждение не может быть верно! Я выбрал лучший транзистор, а также применил на входе предварительный усилитель на биполярных СВЧ транзисторах...

говорят о том, что вы не знаете разницы, и в ваших собственных суждениях полно ошибок. "В чужом глазу соринку видите, а в своём и бревна не замечаете"(С) - народная мудрость, очень точная!
Разве не читали никогда, что затвор мосфета представляет собой нехилый такой конденсатор? А как ведет себя последовательный конденсатор в цепи переменного тока - вы можете посмотреть в симуляторе.
И если уж взялись приплюсовывать индуктивность выводов, то тогда уж давайте плюсуйте и ёмкость дорожек, их омическое сопротивление, да и не забудьте добавить тепловые шумы и внешние наводки и помехи, а так же обязательно просимулируйте влияние углов на дорожках и вообще заложите в симуляцию все-все-все реалии печатной платы и внешнего мира. Иначе - у вас метод научного очень тыка.

Любой полупроводниковый элемент имеет паразитные индуктивности выводов

А как быть с безвыводными или не полупроводниковыми? Нет выводов или нет полупроводника - нет индуктивности! Вероятно так!
Мосфеты могут быть не только в корпусе ТО-220, но и в микромаленьком smd с коротенькими выводами, но с рабочим током полсотни ампер!

Просто Я предлагаю свои суждения и для меня нет авторитетов

Ничо-ничо, это битьё пяткой в грудь проходит со временем У кого-то раньше, у кого-то позже... у некоторых - никогда Я раньше тоже думал, что всё-всё знаю, и я вообще весь такой ах-ный Но это быстро прошло, после первых же косяков в работе.
Чего и вам желаю - скорейшего выздоровления. Ну а если нет - то "горбатого могила исправит"(С)народная мудрость

[12943]

NewWriter, вы показали свою дремучесть

Зачем вам этот чмошник?

[VladimirIvan]

На MOSFETах можно строить усилители класса D, E, и F.
Использовать их в линейном режиме - получить устройство с непредсказуемой ФЧХ и невозможность ликвидировать "подзвоны", не говоря о "блуждающей" ОС, которая в зависимости от уровня сигнала может изменять свое значение от ОС до ПОС.
Да и собственно нехрен изобретать велосипед. Есть вылизанные схемотехнические решения, которые фактически готовы для массового производства и не нуждаются даже в настройке после сборки.

[NewWriter]

12943, О, а вот и присмыкающиеся подоспели )) 12943, а вы подмастерье у Всёзнайки?
Эхехех, пацаны, пацаны... знали бы вы, сколько вам открытий чудных готовит транзисторов реальных дух, и опыт, сын ошибок трудных, и книжек множество заумных - для просвещенья огого

Да, управлять мосфетами в линейном режиме безболезненно и математически точно можно только в симуляторе. Наличие обратного диода в структуре мосфета уже должно было насторожить и заставить задуматься - а нафига он втам сдался?
Это как если бы тиристор поставить в цепь постоянного тока и пытаться чето там получить полезного на выходе.
Надеюсь, топикстартер к следующему году всё-же пороется в инете и найдет схемы выходного каскада радиопередатчика. Чего ему и желаем.

[kreking]

Можно гармонический сигнал получать, используя транзисторы в ключевом режиме.

[NewWriter]

Конечно можно! Только я, блин, надеялся, что топикстартер сам это нагуглит

[dgrishin]

Конечно можно! Только я, блин, надеялся, что топикстартер сам это нагуглит

Золотой вы человек и слова ваши золотые. Вы же только что критиковали в пух и прах схемы, которые постоены в симуляторах. Но вот к схеме kreking работающую в симуляторе у вас вопросов нет. Уж будте последовательны в своих взглядах.

В чем "фишка" этого форума - можно задать один вопрос, у получить кучу советов, поучений (ди и просто оскорблений) совершенно не относящихся к сути вопроса.
Еще немного, и тебе скажут, что ты вообще не той рукой паяльник держишь да и припой у тебя гавно.

[NewWriter]

Дак эта схема жизнеспособна и в "железе", причем гораздо более жизнеспособнее, чем симулирование линейного режима мосфета.
В нарисованной схеме есть и потенциальные проблемы в виде сквозного тока через мосфеты - но это решается методом наложения полученных ранее знаний - известно, что между импульсами должен быть dead-time - время, в течение которого закрыты оба транзистора.
Ну это уже "мелочи", там этих "мелочей" наберется с мешочек. Главное, что получение синусоиды из прямоугольника - известно давно-предавно.

(кстати, я только сейчас посмотрел приложенную схему, ибо этот способ известен мне не понаслышке. О, и dead-time там учтен - сразу видно, товарищ вкурсах и без лишних слов)

[dgrishin]

Мне надо иметь возможность задавать разную выходную мощность (в линейном режиме это сделать проще всего)
Для импульсного управления тоже можно управляя шириной импульсов изменять выходную мощность (может быть попробую такую тему с микроконтроллера). В импульсном режиме есть конечно один большой бонус - транзисторы будут без радиатора. Закончу с линейным режимом, попробую в ключевом.

[NewWriter]

Да нет проблем - в линейном режиме хорошо работают биполярные транзисторы. Кстати, на какой частоте вы делаете передатчик то? 27 МГц? 144 МГц?