Анализ элемента 2И-НЕ на транзисторах

[Alladdin]

Цифровая интегральная микросхема

Для нахождения коэффициента разветления при состояния нуля на выходе требуется найти ток нагрузки при состоянии нуля на выходе. Выражение для тока нагрузки есть, но подробного объяснения к нему нет.



Вычисляется ток базы четвертого транзистора через первый закон Кирхгофа. Токи IR2 и IR4 я не стал здесь рассписывать, они понятны мне. В токе IR1 мне непонятно откуда взялась лишнее U*. Две U* взялись из двух переходов база-эммитер в двухэммитерном транзисторе. Третье U* - ?. Я так понял, что напряжение в данном токе мы находим через второй закон Кирхгофа, достраивая контур по левую сторону от ветви с R1. Хотя здесь я могу ошибаться. Но если взять по правую сторону контур, то там небудет вообще пороговых напряжений эммитер-база, а только коллектор-база (2 штуки).

Вопрос №2. В каком же включении МЭТ? С общим эммитером или базой?

По ходу обсуждения я добавлю несколько вопросов.

Извиняюсь за неудобный рисунок формулы, если щелкнуть на ней, то она увеличится

[genao]

При 1 или в воздухе Х1 и Х2.
3U*=Uбкмэт + UбэVT1+UбэVT4
Ir1= (E-3U*)/R1
МЭТ это по функции просто три диода с общим анодом, а если на одном или обоих эмиттерах нуль, то транзистор во включении с общим эмиттером.

[Alladdin]

Интересный контур, но туманный для меня. Если вы взяли в свой контур даже базу-эммитер четвертого транзистора, то почему вы не взяли пороговые напряжения двух диодов на входе. Я вообще не понимаю почему вы выбрали именно такой контур.

[genao]

Интересный контур, но туманный для меня. Если вы взяли в свой контур даже базу-эммитер четвертого транзистора, то почему вы не взяли пороговые напряжения двух диодов на входе. Я вообще не понимаю почему вы выбрали именно такой контур.

Эмиттерные переходы МЭТ висят в воздухе либо заперты логической 1. Ток через них не течет. VT1, VT4 открыты. VT2 и VT3 закрыты. Через R3,R4 и R5 ток не течет. Переход база-коллектор МЭТ в прямом включении, падение на нем U*. Что осталось