От участника АВК - попытки сделать…

[akegor]

1) А почему не сделать ''основной выход'' на, к примеру П217, а параллельно поставить П605, с сопротивлюшкой в базе и параллельно конденсатором, чтоб этот П605 усиливал только ВЧ.
На эмитерном сопротивалении будет локальная ООС противодействовать попаданию на П213 ВЧ.

"Однажды лебедь раком щуку..." Не, "однажды лебедь рака щупал..." Опять не то... "Однажды лебедь рака щучил..." (слова от Вовочки)
Вот примерно в этом духе.

почему комментарии присутствующих в этой теме (Бордодынова исключим) зачастую имеют подтекст - ''сам дурак''.

Что спрашиваете, так люди и отвечают.
А если, как говорите, "просто" ответить, то "было бы так просто, давно бы все так и делали".

[Алексей_ПП]

Что то я не пойму, о чём это Вы....
.

Да как же? Уже забыли? Правда, это вы в другом месте рассказали.

[bordodynov]

Наверно я не донёс простоту замысла.

Я и без вашей картинки понял, что вы хотите. В части образования о транзисторах. Я уже демонстрировал диффузионную ёмкость диода Д7. Я думаю вы запомнили величину этой ёмкости. Так вот, у транзистора она тоже есть и не малая. Ёмкость эта пропорциональна току эмиттера. Вот возьмём германиевый транзистор П213. У него эта ёмкость при 100 мА ~ 70000 пФ=70 нФ. И весь высокочастотный ток пойдёт через этот конденсатор. И никакая ускоряющая RC-цепочка не поможет другому более быстрому транзистору. Иными словами низкочастотный транзистор загубит высокие частоты. Делайте вывод сами. Правда можно в базу П213 поставить дроссель, но это тоже не решение. Из-за него будут другие проблемы - всяческие резонансные явления.

[zoog]

bordodynov, у меня была подобная мысля. Обычный вых. каскад, 3 2тактных ЭП. К выходу 2го звена подключаем через RL-цепочки второй такой же, выходы соединяем через подобные уже установленным катушкам. Это для повышения реальной мощности (как Вы, возможно, знаете, 99,9% заводских усилителей не способны на надёжную работу с реальной нагрузкой). Разброс параметров пока опустим, увеличения нагрузки на предвыход тоже не должно быть.
Тоже бред?
Ну и классический параллельный канал на пару ватт в классе А - с полноценными ФВЧ/ФНЧ на входах и выходах каналов - хорошая ведь идея?)

[АВК]

akegor, что то Вас на ЛИРКУ потянуло....
Вот тем же количеством букафкоф могли бы и что то ''в техническом ключе'' откоментировать.
Вот я, к примеру, и сам могу лирику разводить, но это потому, что я чего то не знаю, и пока жду ТЕХНИЧЕСКОГО ответа, могу и ''пофилософствовать'' и даже поприкалываться....
Но это потому, ЧТО Я ДОЛГО ЖДУ ПРАВИЛЬНОГО ОТВЕТА, а не потому, что лирика в технической теме хорошо выглядит.
Но Вы то позиционируетесь как ЗНАЮЩИЙ больше меня - могли бы и по вопросую БЕЗ лирики.

[АВК]

Да как же? Уже забыли? Правда, это вы в другом месте рассказали.

Я много где чего понаписал.
Даже книгу. Лежит в тырнете с 2006 в свободном доступе.
Но это не по теме и вообще не интересно.

Насчет ЛИРИКИ я только что чуть выше ответил форумчанину.

У Вас есть, что ''технически'' добавить к теме?

[ForcePoint]

5 лет на изучение симулятора...

Неужели из моих слов следует, что я 5 лет ничем другим не занимался? Или то, что я не мог до этого разработать схему (или разобрать работу чужой) без симулятора?

чтоб схему наваял, ткнул и симуль сам выдал её искажения

Эй, стража!... Вот что, братцы, отрубите-ка ему голову — тунеядец...

[АВК]

Я и без вашей картинки понял, что вы хотите. В части образования о транзисторах. Я уже демонстрировал диффузионную ёмкость диода Д7. Я думаю вы запомнили величину этой ёмкости. Так вот, у транзистора она тоже есть и не малая. Ёмкость эта пропорциональна току эмиттера. Вот возьмём германиевый транзистор П213. У него эта ёмкость при 100 мА ~ 70000 пФ=70 нФ. И весь высокочастотный ток пойдёт через этот конденсатор. И никакая ускоряющая RC-цепочка не поможет другому более быстрого транзистора. Иными словами низкочастотный транзистор загубит высокие частоты. Делайте вывод сами. Правда можно в базу П213 поставить дроссель, но это тоже не решение. Из-за него будут другие проблемы - всяческие резонансные явления.

Вот спасибо!
Это ТЕХНИЧЕСКИЙ ОТВЕТ, причём на доступном мне уровне.
Понял.
НО, не понял - если кремниевые выходники иногда парралелят (пример схемы у меня вроде где то лежит, могу поискать и выложить), да и мы с Вами, недавно, вернее - Вы прокомментировали моё предложение о запараллеливании 2 кт808 в Шушуринской схеме.
Тоесть получается, что кремниевые можно, а германиевые нельзя?

Насчёт ёмкости транзисторов - где то видел справочные данные, по памяти что то от 6 до 60 пикофарад

Не больно то пишут этот параметр.
Вот нашёл упоминание -· Ёмкость переходов меняется от приложенного напряжения, при нулевом напряжении она максимальна

Насчёт дросселя, да, это нельзя.
Ладно, может быть со временем придумается другое решение.

[akegor]

Это ТЕХНИЧЕСКИЙ ОТВЕТ, причём на доступном мне уровне.
Понял.
НО, не понял...

Вот об этом я в "лирике" и сказал. ТЕХНИЧЕСКИЙ ответ для Вас

Понял.
НО, не понял

[Yuri222]

ТЕХНИЧЕСКИЙ ОТВЕТ, причём на доступном мне уровне.
Понял.
НО, не понял - если кремниевые выходники иногда парралелят (пример схемы у меня вроде где то лежит, могу поискать и выложить), да и мы с Вами, недавно, вернее - Вы прокомментировали моё предложение о запараллеливании 2 кт808 в Шушуринской схеме.
Тоесть получается, что кремниевые можно, а германиевые нельзя?

Т.е. по итогу -

не понял

(извините, но так оно и выходит...)

Оппс, Akegor опередил

может быть со временем придумается другое решение

кмк Zoog уже подсказал имхо нечто вполне работоспособное.
НО - а зачем именно так? Тогда уж - без вых суммирующего фильтра (что Вы категорически уже отбросили)...

Я правильно понимаю, что Ваша цель - сваять нечто достойное из тго , что есть под рукой? Причем то, что есть в старых развалах - имеет пенсионный (по полупроводниковым меркам) возраст и сегодня уже не выпускается?
Как Вам вот такая оценка германиевых полупроводниковых элементов?

От германиевых транзисторов отказались потому, что у них низкая термостабильность, меньшие коэфф-ты усиления и хуже частотные свойства, чем у кремниевых и арсенид-галлиевых. Выбор оказался правильным, потому что через несколько десятилетий выяснилось, что параметры германиевых транзисторов быстрее ухудшаются во времени. Это не важно для производителей, но важно для потребителей.

Уже через 15 лет у германиевых транзисторов обратный ток коллектора начинае расти, а усиление падает. Влияет радиационный фон, космическое излучение, а ещё более диффузия легирующих примесей (тех что создают p-n переход), которая в германии оказывается в 4 раза выше, чем в кремнии, и приводит к рассасыванию p-n перехода. И примерно через 25 лет германиевый транзистор можно выбрасывать, т.к параметры уже совсем не те, что были в год выпуска. У германиевых транзисторов за 30 лет усиление падает примерно вдвое, а многие вообще просто дохнут насмерть. Потому в аппаратуру с военной приёмкой никогда не ставят детали старше 1-2 лет.

Например, в радиоприёмниках увеличение обр.тока коллектора увеличивает паразитные ёмкости, уплывают режимы, контура расстраиваются, т.е избирательность и чувствительность приёмника со временем падает. При ремонте ретро аппаратов германиевые транзисторы надо менять сразу после замены электролитов.

Особенно недолговечными были первые транзисторы. Точечные так вообще дохли за несколько лет. Плоскостные первых выпусков 1956...1963 тоже были недолговечны и не прожили и 20 лет.

Те германиевые транзисторы, что были выпущены с середины 60-тых и в 70-тые годы были ещё живы в 1990-тые годы, но по обратному току большинство из них должны были считаться уже дохлыми. А те, что были из 60-тых уже в большинстве полностью были дохлыми. Т.о германиевые транзисторы можно использовать не более 25 лет, а через 30-35 лет они просто сдохнут.

Речь была о маломощных транзисторах. Про долговечность мощных германиевых типа П4, П201, П213, П603, ГТ402, ГТ903, ГТ806 ничего не знаю.

Насчет П213 - однозначно утечки увеличиваются со временем, замечал не раз.
В этом плане мне П215 казались более стойкими (хотя - как знать, может быть они просто на тот момент оказались более позднего срока выпуска).