Intel разработала гибридный кремниевый лазер

Отдел исследований и разработок компании Intel совместно с Калифорнийским Университетом из Санта-Барбары создали первый в мире гибридный кремниевый лазер.

Это говорит о том, что компании Intel удалось преодолеть барьер на пути к дешевым оптоволоконным кремниевым устройствам с большой пропускной способностью.

Ученые объединили фосфид иридия и кремний в одном чипе. При подаче напряжения генерируется излучение, которое передается по кремниевым каналам, образуя непрерывный лазерный луч.

По словам директора лаборатории фотоники компании Intel, Марио Паницци (Mario Panniccia), технология еще далека от коммерческого внедрения, но добавил, что использование этой технологии позволило бы достичь пропускной способности в несколько терабит.

Источник: 3dnews.ru | Дата публикации: 18/09/2006

Предыдущая новость: National Semiconductor представляет миниатюрный малошумящий линейный стабилизатор для питания аналоговых и радиочастотных микросхем

Следующая новость: TPA203xD1 - новое семейство усилителей класса D от Texas Instruments

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>