FDMC86xxxP — семейство P-канальных MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток 150В/100В от Fairchild Semiconductor

Семейство P-канальных MOSFET-транзисторов FDMC86xxxP, выполненных по технологии PowerTrench®, обеспечивают более компактное решение, отличаются высокой скоростью переключения и меньшей рассеиваемой мощностью и предназначены для применения в схемах управления двигателями, в преобразователях с активной схемой фиксации уровня напряжения (Active Clamp) и коммутаторах нагрузки.

Серия представлена двумя MOSFET-транзисторами FDMC86261P и FDMC86139P с максимальным напряжением сток-исток 150 В и 100 В, соответственно. По сравнению с аналогичными устройствами, новые P-канальные транзисторы обеспечивают показатель добротности (Figure Of Merrit — FOM) по эффективности переключения на 67% выше, чем у ближайшего конкурента. Кроме того, в транзисторах снижены потери на переключение на 38% и потери проводимости – на 46%. Это позволяет сократить размеры схемы и увеличить общую эффективность системы.

Транзисторы доступны в корпусах MLP, размером всего 3 х 3 мм, и отличаются самым низким сопротивлением открытого канала RDS(ON) для устройств такого размера. FDMC86261P и FDMC86139P позволяют снизить тепловыделение и рассеиваемую мощность, повышая тем самым энергоэффективность решения.

Отличительные особенности:

Максимальное напряжение сток-исток VDS: -100 В (FDMC86139P), -150 В (FDMC86261P)
Максимальный постоянный ток стока ID: -15 А (FDMC86139P), -9 А (FDMC86261P)
Максимальное сопротивление открытого канала RDS(ON): 67 мОм при VGS = -10 В / ID = -4.4 А (FDMC86139P), 160 мОм при VGS = -10 В / ID = -2.4 А (FDMC86261P)

Область применения:

Изолированные DC/DC конвертеры с активной схемой фиксации уровня напряжения
Коммутаторы нагрузок
H-мосты (управление электродвигателями)

Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 11/06/2014

Предыдущая новость: Более быстрый и точный мониторинг и сбор данных о распределении электроэнергии в интеллектуальных электросетях благодаря измерениям в режиме реального времени

Следующая новость: FOD8332 — интеллектуальная, оптически изолированная схема управления затвором IGBT транзистора с выходным током до 2.5А

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>