FOD8332 — интеллектуальная, оптически изолированная схема управления затвором IGBT транзистора с выходным током до 2.5А |
Fairchild Semiconductor представила новый оптрон FOD8332 с драйвером затвора IGBT-транзисторов с выходным током до 2.5 А, функцией обнаружения падения напряжения насыщения, изолированной схемой сигналов ошибки и активным подавлением эффекта Миллера
|
Новый оптрон будет интересен разработчикам промышленных приложений, таких как инверторные схемы управления двигателем и высокоэффективные системы питания, которым необходимо высокоинтегрированное решение для управления затвором транзистора с функциями защиты в виде одной микросхемы, позволяющей упростить конструкцию и повысить надежность и эффективность системы.
Новый оптрон FOD8332 обеспечивает выходной ток управления затвором IGBT/MOSFET-транзистора вплоть до 2.5 А. Рабочее пробивное напряжение изоляции оптрона составляет 1414 В, что на 13% превышает этот параметр у конкурирующих продуктов и допускает непосредственную работу с IGBT-транзисторами с напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В. Также, по сравнению с аналогичными устройствами, FOD8332 имеет сниженную более чем в два раза чувствительность к синфазным переходным помехам и вполовину меньшую динамическую рассеиваемую мощность на цикл переключения.
Высоковольтные компоненты оптрона позволяют применять его в схемах с высоким напряжением и малыми токами, обеспечивая при этом заданную мощность и повышенный КПД благодаря снижению потерь и фильтрации шумов. FOD8332 снабжён защитными функциями, предотвращающими ложное срабатывание устройства, которое может привести к стрессовым тепловым режимам IGBT-транзистора. Это упрощает проектирование схем и исключает необходимость применения специальных внешних компонентов.
Оптрон произведён по фирменной копланарной технологии Fairchild Optoplanar®, позволяющей оптимизировать конструкцию микросхемы с целью достижения высоких значений изолирующего напряжения и низкой чувствительности к синфазным помехам. FOD8332 поставляется в компактном 16-выводном пластиковом корпусе SO, обеспечивающем высокую степень изоляции.
Внутренняя архитектура FOD8332
Отличительные особенности FOD8332:
- Входной светодиодный каскад поддерживает управление посредством цифровых сигналов ШИМ-выхода
- Оптически изолированная цепь обратной связи сигналов ошибки
- Функция активного подавления эффекта Миллера для выключения IGBT-транзистора при высоких значениях dv/dt без использования источника отрицательного напряжения
- Высокая стойкость к электромагнитным шумам благодаря уровню ослабления синфазных сигналов не менее 35 кВ/мкс, при VCM 1500 В (пик.)
- Выходной ток до 2.5 А позволяет непосредственно управлять IGBT-транзисторами средней мощности
- P-канальные транзисторы выходного каскада поддерживают размах выходного напряжения, близкий к уровня напряжения питания (rail-to-rail выход)
- Широкий диапазон напряжений питания: 15…30 В
- Максимальное пробивное напряжение изоляции в течение 1 мин. по стандарту UL1577: 4243 В (скз.)
- Соответствие стандарту DIN-EN/IEC60747-5-5
- Продолжительное пиковое пробивное напряжение изоляции: 1414 В
- Пиковое напряжение изоляции перехода: 8000 В
- Длина пути тока утечки и безопасный зазор: 8 мм
Область применения FOD8332:
- Солнечная энергетика
- Источники бесперебойного питания
- Схемы управления электродвигателем
Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 12/06/2014 |
| |
|
Реклама на сайте |
|
Последние новости |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |