FOD8332 — интеллектуальная, оптически изолированная схема управления затвором IGBT транзистора с выходным током до 2.5А

Новый оптрон будет интересен разработчикам промышленных приложений, таких как инверторные схемы управления двигателем и высокоэффективные системы питания, которым необходимо высокоинтегрированное решение для управления затвором транзистора с функциями защиты в виде одной микросхемы, позволяющей упростить конструкцию и повысить надежность и эффективность системы.

Новый оптрон FOD8332 обеспечивает выходной ток управления затвором IGBT/MOSFET-транзистора вплоть до 2.5 А. Рабочее пробивное напряжение изоляции оптрона составляет 1414 В, что на 13% превышает этот параметр у конкурирующих продуктов и допускает непосредственную работу с IGBT-транзисторами с напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В. Также, по сравнению с аналогичными устройствами, FOD8332 имеет сниженную более чем в два раза чувствительность к синфазным переходным помехам и вполовину меньшую динамическую рассеиваемую мощность на цикл переключения.

Высоковольтные компоненты оптрона позволяют применять его в схемах с высоким напряжением и малыми токами, обеспечивая при этом заданную мощность и повышенный КПД благодаря снижению потерь и фильтрации шумов. FOD8332 снабжён защитными функциями, предотвращающими ложное срабатывание устройства, которое может привести к стрессовым тепловым режимам IGBT-транзистора. Это упрощает проектирование схем и исключает необходимость применения специальных внешних компонентов.

Оптрон произведён по фирменной копланарной технологии Fairchild Optoplanar®, позволяющей оптимизировать конструкцию микросхемы с целью достижения высоких значений изолирующего напряжения и низкой чувствительности к синфазным помехам. FOD8332 поставляется в компактном 16-выводном пластиковом корпусе SO, обеспечивающем высокую степень изоляции.

Внутренняя архитектура FOD8332

Отличительные особенности FOD8332:

• Входной светодиодный каскад поддерживает управление посредством цифровых сигналов ШИМ-выхода
• Оптически изолированная цепь обратной связи сигналов ошибки
• Функция активного подавления эффекта Миллера для выключения IGBT-транзистора при высоких значениях dv/dt без использования источника отрицательного напряжения
• Высокая стойкость к электромагнитным шумам благодаря уровню ослабления синфазных сигналов не менее 35 кВ/мкс, при VCM 1500 В (пик.)
• Выходной ток до 2.5 А позволяет непосредственно управлять IGBT-транзисторами средней мощности
• P-канальные транзисторы выходного каскада поддерживают размах выходного напряжения, близкий к уровня напряжения питания (rail-to-rail выход)
• Широкий диапазон напряжений питания: 15…30 В
• Максимальное пробивное напряжение изоляции в течение 1 мин. по стандарту UL1577: 4243 В (скз.)
• Соответствие стандарту DIN-EN/IEC60747-5-5
• Продолжительное пиковое пробивное напряжение изоляции: 1414 В
• Пиковое напряжение изоляции перехода: 8000 В
• Длина пути тока утечки и безопасный зазор: 8 мм

Область применения FOD8332:

• Солнечная энергетика
• Источники бесперебойного питания
• Схемы управления электродвигателем 

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest