CY7C4xxx — высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV следующего поколения для передовых сетевых инфраструктур |
Компания Cypress, мировой лидер по производству SRAM памяти, предлагает семейство микросхем памяти QDR-IV, являющихся представителями высокопроизводительной линейки продуктов QDR®. SRAM память QDR-IV обеспечивает скорость произвольных транзакций на несколько порядков больше, чем у широко распространённых микросхем памяти и в 2.4 раза больше, чем у предыдущего поколения QDR.
|
Семейство микросхем памяти QDR-IV включает две серии продуктов: QDR-IV Xtreme Performance (XP) и QDR-IV High Performance (HP). QDR-IV является стандартом высокопроизводительной памяти для сетевых применений и идеально подходит для следующего поколения сетевых устройств, коммуникационного оборудования и вычислительных систем.
QDR-IV SRAM-память имеет встроенный блок обнаружения и коррекции ошибок (ECC), обеспечивающий целостности данных. Этот блок способен обработать все одноразрядные ошибки памяти, включая ошибки, вызванные космическими лучами и альфа-частицами. В результате модули памяти будут иметь коэффициент ошибок программ (SER) не более 0.01 сбоев/МБ. QDR-IV снабжена функцией программируемой чётности адреса, которая обеспечивает целостность данных на адресной шине. Компанией Cypress предлагается руководство разработчика для быстрого и простого проектирования контроллера памяти для микросхем QDR-IV на основе передовых ПЛИС Stratix–V компании Altera.
Преимущества QDR SRAM памяти:
Архитектура QDR SRAM предоставляет произвольный доступ к памяти, необходимый для сетевых и других высокопроизводительных приложений. В этих приложениях память является «узким местом», ограничивающим дальнейший рост производительности системы. Например, в сетевых системах каждый пакет данных требует проведения нескольких транзакций с произвольным доступом к памяти. Поэтому скорость обработки пакета в системе зависит от того, насколько быстро можно обеспечить доступ к памяти. Модули QDR SRAM имеют скорость транзакций доступа к памяти намного выше, чем у традиционных модулей, и таким образом способны устранить указанное выше «бутылочное горлышко», повышая производительность системы. Типовое значение скорости транзакции для QDR-IV SRAM составляет до 2132 Мтранз./с. Такой уровень является критическим для перехода к следующему поколению высокопроизводительных систем.
Отличительные особенности:
- Встроенный модуль коррекции ошибок обеспечивает целостность данных и исключает программные ошибки
- Модули доступны в двух версиях: QDR-IV HP (скорость передачи данных 1334 Мтранз./с) и QDR-IV XP (скорость передачи данных 2132 Мтранз./с)
- Два независимых двунаправленных порта данных памяти DDR1
- Функция инверсии шины для снижения шумов при одновременном подключении линий ввода и вывода
- Встроенная схема согласования (ODT) снижает сложность плат
- Тренинг на перекос для улучшения временных характеристик захвата сигнала
- Уровень сигналов ввода-вывода: от 1.2 В до 1.25 В (высокоскоростная приёмопередающая логика (HSTL)/терминированная логика (SSTL)), от 1.1 В до 1.2 В (POD2)
- 361-выводной корпус FCBGA3
- Разрядность шины: x18, x36 бит
Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 28/07/2014 |
| |
|
Реклама на сайте |
|
Последние новости |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |