Токовое зеркало.

[bordodynov]

А вот физики, пожалуй, - уже не осталось. Модель не пригодна для ситуации с оборванным коллектором, на что недвусмысленно намекает несколькоамперный ток текущий из ниоткуда в никуда внутри перехода КБ.

Если бы я закачал в базу не 2А, а 1мА, то токи были бы доли миллиампер. Вас пугает величина токов? это напрасно. Суммарный ток коллектора равен нулю. Но переход смещён в прямом направлении! Как вы это объясните. А эта "фантастическая" эквивалентная схема всё объясняет, хотя и не физическая по вашему мнению. Я же поместил рядом транзистор и схему Эберса-Мола, воспроизводящая этот транзистор. Напряжения получились одинаковые. Также, чтобы показать о реальности я взял четыре мощных транзисторов. Посмотрите на напряжения КЭ. А по вычисленному току этого коллекторного перехода считается заряд в переходе.
Очень давно, ещё будучи студентом, мне пришло поисследовать именно такое включение транзистора (оборванный коллектор) с помощью эквивалента Эберса-Молла. Я был удивлён результатам расчёта. Взял транзистор и включил его с оборванным коллектором. И наблюдал между базой и коллектором напряжение (переход был смещён в прямом направлении без внешнего тока).

[bordodynov]

Внутреннего транзистора? это как?

Посмотрите на последнюю схему с диодами Шоттки.

[bordodynov]

Здесь сложнее генераторы заданы параметрически и взаимодействуют специфически, два диода это математически прокатывает а в реальности так не получится

Что значит в реальности так не получится? Получается ещё как! Возьмите два китайских тестера. Один переведите в режим прозвонки диодов и подлючите к нему вазо эмиттерный переход npn транзистора, вторым измерьте напряжение на коллекторном переходе. Измерьте напряжение коллектор-эмиттер. Потом сделайте это же с коллекторным переходом (инверсный режим).

[ForcePoint]

Вас пугает величина токов?

Нет, не пугает. А смущает. Само их наличие.

Я же поместил рядом транзистор и схему Эберса-Мола, воспроизводящая этот транзистор.

Пропущено слово "модель" перед словом "транзистор". В результате получилась тавтология.

Также, чтобы показать о реальности я взял четыре мощных транзисторов.

Тоже самое. Модель показывает, что она верна.

Очень давно, ещё будучи студентом, мне пришло поисследовать именно такое включение транзистора (оборванный коллектор) с помощью эквивалента Эберса-Молла. Я был удивлён результатам расчёта. Взял транзистор и включил его с оборванным коллектором.

Это другое дело. Но на слово - не верю. В ближайшее время заведу очередной топик на тему "Практика - критерий истины" с "форком" этой подтемы и результатами измерений.

И наблюдал между базой и коллектором напряжение (переход был смещён в прямом направлении без внешнего тока).

экстрагированные электроны заполнят большую часть вакансий донорных атомов (например - фосфора Р+) в зоне перехода, что ослабит экстрагирующее их поле и ток затухнет сам собой до тепловых флуктуаций.

Незаполненные вакансии донорных атомов будут скомпенсированы не ранее "отогнанными" к выводу коллектора электронами, а экстрагированными из базы. В результате - вся n-область коллектора приобретёт отрицательный заряд. Т.е. создастся что-то вроде заряда на сетке лампы при отсутствии пути для утечки тока (индуктивность или резистор, grid leak).

[sxemak]

Подключаем к КЭ источник питания теперь ситуация меняется от висящего коллектора, к переходу БК приложено обратное напряжение потенциальный барьер будет увеличиваться, ток эмиттера будет рости, и достигнув на коллекторе напряжения питания ток прекратится, в переходе коллектора стала больше положительных атомов примесей и притяжение электронов с эмиттера увеличилось но с другой стороны, отрицательных примесей в базе тоже стало больше и они будут препятствовать инжекции электронов с эмиттера, верно так?